Фоминых Богдан Михайлович

Младший научный сотрудник (Лаборатория низких температур)

Наукометрические данные (по состоянию на 20.08.2024г):
Web of Science: h-index - 1; Sum of the Times Cited - 5
Scopus: h-index - 0; Sum of the Times Cited - 0
РИНЦ (SCIENCE INDEX): Индекс Хирша - 2; Цитируемость - 9
Личные страницы автора в системах: WoS, Scopus ID, ORCID, РИНЦ, База публикаций ИФМ

Статьи

1) Tuning the electrical and optical properties of topological insulator Bi2Se3 by Ar+ ion irradiation / B.M. Fominykh¹, A.N. Perevalova¹, E.I. Shreder¹, S.V. Naumov¹, K.V. Shalomov⁰, E.B. Marchenkova¹, N.V. Gushchina⁰, V.V. Ovchinnikov⁰, V.V. Marchenkov¹. – Текст: непосредственный // Materials Letters. — 2025. — V. 387. — P. 138263—138268.

2) Effect of argon ion irradiation on the electrical transport and electronic characteristics of Bi2Se3 single crystals / V.V. Marchenkov¹, B.M. Fominykh¹, A.N. Perevalova¹, A.E. Stepanov¹, S.V. Naumov¹, E.B. Marchenkova¹, A.M. Bartashevich¹, K.V. Shalomov⁰, N.V. Gushchina⁰, V.V. Ovchinnikov⁰. – Текст: непосредственный // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B. — 2025. — V. 561. — P. 165633—165638.

3) Особенности магнитотранспортных свойств монокристаллов MoxW1-xTe2 (x = 0; 0.7) / А. Н. Перевалова¹, Б. М. Фоминых¹, В. В. Чистяков¹, В. В. Марченков¹. – Текст: непосредственный // Chelyabinsk Physical and Mathematical Journal. — 2024. — V. 9 – No. 4. — P. 658—669.

Показать еще статьи

4) Role of bulk and surface current carriers in resistivity of thin films of the topological insulator Bi2Se3 / A. N. Perevalova¹, B. M. Fominykh¹, V. V. Chistyakov¹, V. V. Marchenkov¹. – Текст: непосредственный // Nanosystems-physics chemistry mathematics. — 2024. — V. 15 – No. 4. — P. 465—468.

5) Hall effect and quantum oscillations of magnetoresistivity in the topological insulator Bi2Se3. The role of bulk and surface carriers / B.M. Fominykh¹, A.N. Perevalova¹, S.V. Naumov¹, V.V. Chistyakov¹, V.V. Marchenkov¹. – Текст: непосредственный // Physics of the Solid State. — 2024. — V. 66 – No. 5. — P. 641—646.

6) Эффект Холла и квантовые осцилляции магнитосопротивления в топологическом изоляторе Bi2Se3. Роль объемных и поверхностных носителей / Б.М. Фоминых¹, А.Н. Перевалова¹, С.В. Наумов¹, В.В. Чистяков¹, В.В. Марченков¹. – Текст: непосредственный // Физика твёрдого тела. — 2024. — V. 66 – No. 5. — P. 661—666.

7) The Hall Effect in Single Crystals of Topological Semimetals WTe2 and MoTe2 / A.N. Perevalova¹, S.V. Naumov¹, B.M. Fominykh², E.B. Marchenkova¹, S.H. Liang⁰, V.V. Marchenkov². – Текст: непосредственный // Physics of Metals and Metallography. — 2024. — V. 125 – No. 4. — P. 406—411.

8) Эффект Холла в монокристаллах топологических полуметаллов WTe2 и MoTe2 / А.Н. Перевалова¹, С.В. Наумов¹, Б.М. Фоминых², Е.Б. Марченкова¹, S.H. Liang⁰, В.В. Марченков². – Текст: непосредственный // Физика металлов и металловедение. — 2024. — V. 125 – No. 4. — P. 453—459.

9) Peculiarities of the electronic properties in the intrinsic magnetic topological insulator MnBi2Te4 / V. V. Marchenkov¹, A. N. Perevalova¹, B. M. Fominykh¹, E. I. Shreder¹, S. V. Naumov¹, E. B. Marchenkova¹. – Текст: непосредственный // Materials Letters. — 2024. — V. 366. — P. 136591—136596.

10) Magnetoresistivity and Hall effect in Weyl semimetal WTe2 / A.N. Perevalova¹, B. M. Fominykh², V.V. Chistyakov¹, S.V. Naumov¹, V.N. Neverov¹, V.V. Marchenkov². – Текст: непосредственный // St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. — 2023. — V. 16 – No. 1.3. — P. 26—32.

11) Electrical resistivity and optical conductivity of the antiferromagnetic topological insulator MnBi2Te4 single crystal / B.M. Fominykh², A.N. Perevalova¹, E.B. Marchenkova¹, E.I. Schreder¹, S.V. Naumov¹, V.V. Marchenkov². – Текст: непосредственный // Journal of Radio Electronics. — 2023. — V. 11. — P. 1—11.

12) Hall Effect in “size” topological insulators Bi2Se3 / V.V. Chistyakov², A.N. Perevalova¹, В.M. Fominykh², J.C.A. Huang⁰, V.V. Marchenkov². – Текст: непосредственный // St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. — 2023. — V. 16 – No. 3.1. — P. 16—20.

13) Электросопротивление и оптическая проводимость монокристалла антиферромагнитного топологического изолятора MnBi2Te4 / Б.М. Фоминых², А.Н. Перевалова¹, Е.Б. Марченкова¹, Е.И. Шредер¹, С.В. Наумов¹, В.В. Марченков². – Текст: непосредственный // ЖУРНАЛ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ. — 2023. — V. 11. — P. 1—11.

14) Structure and Electrical Properties of AlFe Matrix Composites with Graphene / A.N. Petrova¹, D.Y. Rasposienko¹, I.G. Brodova¹, L.A. Yolshina⁰, R.V. Muradymov⁰, A.A. Markin¹, V.V. Marchenkov¹, B.M. Fominykh¹. – Текст: непосредственный // Applied Sciences-Basel. — 2023. — V. 13. — P. 10501—10513.

15) Electronic structure and transport properties of Bi2Te3 and Bi2Se3 single crystals / V.V. Marchenkov², A.V. Lukoyanov², S.T. Baidak², A.N. Perevalova¹, B.M. Fominykh², S.V. Naumov¹, E.B. Marchenkova¹. – Текст: непосредственный // Micromachines. — 2023. — V. 14 – No. 10. — P. 1888—1898.

16) Кинетические свойства монокристалла топологического полуметалла WTe2 / А. Н. Перевалова¹, С. В. Наумов¹, С. М. Подгорных¹, В. В. Чистяков¹, Е. Б. Марченкова¹, Б. М. Фоминых², В. В. Марченков². – Текст: непосредственный // Физика металлов и металловедение. — 2022. — V. 123 – No. 11. — P. 1131—1137.

17) Kinetic Properties of a Topological Semimetal WTe2 Single Crystal / A. N. Perevalova¹, S. V. Naumov¹, S. M. Podgornykh¹, V. V. Chistyakov¹, E. B. Marchenkova¹, B. M. Fominykh², V. V. Marchenkov². – Текст: непосредственный // Physics of Metals and Metallography. — 2022. — V. 123 – No. 11. — P. 1061—1067.

Доклады

1) А.Н.Перевалова. Электронная структура, магнитные и магнитотранспортные свойства топологического полуметалла WTe2, чистого и допированного железом / А.Н.Перевалова, С.В.Наумов, А.В.Лукоянов, С.Т.Байдак, Б.М.Фоминых, А.А.Семянникова, Е.Б.Марченкова, В.В.Марченков // XXXIX Межд. конф. «Совещание по физике низких температур» (ФНТ-2024), Черноголовка (Россия), 03.06-07.06.2024, ISBN 978-5-6045956-5-7, Сборник тезисов, под ред. Б.Б. Страумала. – Черноголовка, 166 с. 2024. – P.110 – Текст: непосредственный.

2) Б.М.Фоминых. Влияние облучения ионами аргона на магнитосопротивление и фазу Берри в топологическом изоляторе Bi2Se3 / Б.М.Фоминых, А.Н.Перевалова, В.Ю.Ирхин, С.В.Наумов, К.В.Шаломов, Н.В.Гущина, В.В.Марченков // XXVI Всеросс. молодежная конф. по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург (Россия), 25.11-29.11.2024, ISBN 978-5-7422-8770-4, Тезисы докладов, СПб. : ПОЛИТЕХ-ПРЕСС, 2024. – P.17 – Текст: непосредственный.

3) А.Н.Перевалова. Электронная структура и электронные транспортные свойства топологических материалов Bi2Se3 и WTe2 / А.Н.Перевалова, Б.М.Фоминых, С.В.Наумов, А.В.Лукоянов, С.Т.Байдак, Е.Б.Марченкова, В.В.Марченков // XXIII Всеросс. конф. «Проблемы физики твердого тела и высоких давлений», Россия (Сочи), 20.09-29.09.2024, ISBN 978-5-902622-47-5, Сборник тезисов, Москва-Сочи: Изд-во ФИАН, 2024. – P.108 – Текст: непосредственный.

Показать еще доклады

4) Б.М.Фоминых. Магнитотранспортные свойства монокристаллов топологического изолятора Bi2Se3, облученных ионами аргона / Б.М.Фоминых, А.Н.Перевалова, А.Е.Степанов, С.В.Наумов, К.В.Шаломов, Н.В.Гущина, В.В.Марченков // XXIII Всеросс. конф. «Проблемы физики твердого тела и высоких давлений», Россия (Сочи), 20.09-29.09.2024, ISBN 978-5-902622-47-5, Сборник тезисов, Москва-Сочи: Изд-во ФИАН, 2024. – P.149 – Текст: непосредственный.

5) S.T.Baidak. Electronic structure and transport properties of topological insulators Bi2Te3 and Bi2Se3 / S.T.Baidak, B.M.Fominykh, A.V.Lukoyanov, A.N.Perevalova, S.V.Naumov, E.B.Marchenkova, V.V.Marchenkov // 9th Intern. Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE 2024). 6th Intern. Conf. on New Materials and High Technologies (6th NMHT), Russia (Tomsk), 16.09-21.09.2024, ISBN 978-5-6052421-8-5, Abstracts, Tomsk : Academizdat Publishing, 2024. – P.545 – Текст: непосредственный.

6) Б.М.Фоминых. Влияние облучения ионами аргона на электро- и магнитотранспортные свойства топологического изолятора Bi2Se3 / Б.М.Фоминых, А.Н.Перевалова, А.Е.Степанов, С.В.Наумов, К.В.Шаломов, Н.В.Гущина, В.В.Марченков // XI Межд. молодежная научная конф. «Физика. Технологии. Инновации» (ФТИ-2024), Россия (Екатеринбург), 20.05-25.05.2024, ISBN 978-5-6049106-9-6, Тезисы докладов, Екатеринбург: УрФУ, 2024. – P.105 – Текст: непосредственный.

7) А.Н.Перевалова. Особенности магнитотранспортных свойств монокристаллов MoxW1-xTe2 (x = 0, 0.7, 1) (FEATURES OF MAGNETOTRANSPORT PROPERTIES OF MOXW1-XTE2 (X = 0, 0.7, 1) SINGLE CRYSTALS) / А.Н.Перевалова, Б.М.Фоминых, С.В.Наумов, В.В.Марченков // XI Межд. молодежная научная конф. «Физика. Технологии. Инновации» (ФТИ-2024), Россия (Екатеринбург), 20.05-25.05.2024, ISBN 978-5-6049106-9-6, Тезисы докладов, Екатеринбург: УрФУ, 2024. – P.182 – Текст: непосредственный.

8) А.Степанов. Выращивание монокристаллов топологического изолятора Bi2Se3 методом Бриджмена-Стокбаргера (GROWING SINGLE CRYSTALS OF THE TOPOLOGICAL INSULATOR BI2SE3 BY THE BRIDGMAN–STOCKBARGER METHOD) / А.Степанов, Б.М.Фоминых // XI Межд. молодежная научная конф. «Физика. Технологии. Инновации» (ФТИ-2024), Россия (Екатеринбург), 20.05-25.05.2024, ISBN 978-5-6049106-9-6, Тезисы докладов, Екатеринбург: УрФУ, 2024. – P.218 – Текст: непосредственный.

9) В.В.Марченков. Особенности электронных транспортных свойств монокристаллов MoTe2 и WTe2 / В.В.Марченков, А.Н.Перевалова, С.В.Наумов, Б.М.Фоминых, Е.Б.Марченкова // XXV Межд. конф. «Новое в магнетизме и магнитных материалах» (НМММ), Москва (Россия), 01.07-06.07.2024, ISBN 978-5-4465-1869-16, Сборник трудов, Москва, 2038 2024. – P.393 – Текст: непосредственный.

10) Б.М.Фоминых. Электросопротивление и гальваномагнитные свойства топологического изолятора Bi2Se3 после облучения ионами аргона / Б.М.Фоминых, А.Е.Степанов, А.Н.Перевалова, С.В.Наумов, К.В.Шаломов, Н.В.Гущина, В.В.Марченков // XL Международная зимняя школа физиков-теоретиков «Коуровка», Новоабзаково (Россия), 02.02-09.02.2024, Тезисы докладов 2024. – P.111 – Текст: непосредственный.

11) С.Т.Байдак. Электронная структура топологических изоляторов Bi2Te3 и Bi2Se3 / С.Т.Байдак, Б.М.Фоминых, А.В.Лукоянов, А.Н.Перевалова, С.В.Наумов, Е.Б.Марченкова, В.В.Марченков // Молодежная конференция по физике полупроводников «Зимняя школа 2024», Зеленогорск (Россия), 29.02-04.03.2024, Тезисы докладов, СПб.: ПОЛИТЕХ-ПРЕСС, 2024, ISBN 978-5-7422-8466-6. – P.52 – Текст: непосредственный.

12) А.Н.Перевалова. Электронная структура и электронные свойства топологических полуметаллов MoTe2 и WTe2 / А.Н.Перевалова, С.В.Наумов, Е.И.Шредер, А.В.Лукоянов, С.Т.Байдак, Б.М.Фоминых, Е.Б.Марченкова, В.В.Марченков // XL Международная зимняя школа физиков-теоретиков «Коуровка», Новоабзаково (Россия), 02.02-09.02.2024, Тезисы докладов 2024. – P.92 – Текст: непосредственный.

13) А.Н.Перевалова. Особенности электронного транспорта и оптических свойств монокристаллов WTe2 и MoTe2 / А.Н.Перевалова, С.В.Наумов, Е.И.Шредер, Б.М.Фоминых, В.Н.Неверов, Е.Б.Марченкова, В.В.Марченков // XXV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2024), Екатеринбург (Россия), 12.02-17.02.2024, Тезисы докладов, Екатеринбург, ИФМ УрО РАН, 2024, ISBN 978-5-6045774-9-3. – P.180 – Текст: непосредственный.

14) А.Н.Перевалова. Особенности электро-, магнитосопротивления и оптических свойств антиферромагнитного топологического изолятора MnBi2Te4 / А.Н.Перевалова, Б.М.Фоминых, С.В.Наумов, Е.И.Шредер, Е.Б.Марченкова, В.В.Марченков // XL Международная зимняя школа физиков-теоретиков «Коуровка», Новоабзаково (Россия), 02.02-09.02.2024, Тезисы докладов 2024. – P.93 – Текст: непосредственный.

15) Б.М.Фоминых. Особенности электро- и магнитотранспорта в топологическом полуметалле PtSn4 / Б.М.Фоминых, А.Н.Перевалова, С.В.Наумов, В.В.Марченков // X Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации» (ФТИ-2023), Екатеринбург (Россия), 15.05-19.05.2023, ISBN 978-5-6050040-2-8, Тезисы докладов, Екатеринбург : УрФУ, ИЗДАТЕЛЬСВО АМБ, 2023.. – P.176 – Текст: непосредственный.

16) Б.М.Фоминых. Анизотропия электрических и оптических свойств антиферромагнитного топологического изолятора MnBi2Te4 / Б.М.Фоминых, А.Н.Перевалова, Е.И.Шредер, С.В.Наумов, В.В.Марченков // XV Межд. школа-конф. молодых учёных «КоМУ-2023» , Ижевск (Россия), 16.10-20.10.2023, ISBN 978-5-6049221-3-2, Материалы, Ижевск: УдмФИЦ УрО РАН, 2023 . – P.104 – Текст: непосредственный.

17) V.V.Chistyakov. Galvanomagnetic properties in “size” topological insulators Bi2Se3 / V.V.Chistyakov, A.N.Perevalova, B.M.Fominykh, V.V.Marchenkov // Школа-конференция с межд. участием по оптоэлектронике, фотонике и нанобиоструктурам “Saint Petersburg OPEN 2023”, Санкт-Петербург (Россия), 23.05-26.05.2023, Book of Abstracts, HSE University - St. Petersburg 2023. – P.181 – Текст: непосредственный.

18) А.Н.Перевалова. Особенности структуры, электро- и магнитосопротивления монокристалла MnBi2Te4 / А.Н.Перевалова, Б.М.Фоминых, С.В.Наумов, Е.Б.Марченкова, В.В.Марченков // 27-я Всеросс. научная конф. студентов-физиков и молодых ученых (ВНКСФ-27), Екатеринбург (Россия), 03.04-06.04.2023, ISBN 978-5-93667-204-Сборник тезисов, материалы, Екатеринбург – Ростов-на-Дону: издательство АСФ России, 2023. – P.51 – Текст: непосредственный.

19) А.Н.Перевалова. Электросопротивление и оптические свойства антиферромагнитного топологического изолятора MnBi2Te4 (ELECTRICAL RESISTIVITY AND OPTICAL PROPERTIES OF ANTIFERROMAGNETIC TOPOLOGICAL INSULATOR MnBi 2 Te 4) / А.Н.Перевалова, Б.М.Фоминых, С.В.Наумов, Е.И.Шредер, Е.Б.Марченкова, В.В.Марченков // IX Байкальская межд. конф. «Магнитные материалы.Новые технологии» (BICMM-2023), Байкальск (Россия), 11.09-14.09.2023, ISBN 978-5-9624-2178-Материалы конференции, Иркутск : Издательство ИГУ, 2023. – P.175 – Текст: непосредственный.

20) Б.М.Фоминых. Электронные транспортные свойства топологического полуметалла PtSn4 / Б.М.Фоминых, А.Н.Перевалова, С.В.Наумов, В.В.Марченков // 27-я Всеросс. научная конф. студентов-физиков и молодых ученых (ВНКСФ-27), Екатеринбург (Россия), 03.04-06.04.2023, ISBN 978-5-93667-204-Сборник тезисов, материалы, Екатеринбург – Ростов-на-Дону: издательство АСФ России, 2023. – P.58 – Текст: непосредственный.

21) А.Н.Перевалова. Синтез, особенности структуры, электро- и магнитосопротивления моно- и поликристалла MnBi2Te4 / А.Н.Перевалова, Б.М.Фоминых, С.В.Наумов, Е.Б.Марченкова, В.В.Марченков // X Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации» (ФТИ-2023), Екатеринбург (Россия), 15.05-19.05.2023, ISBN 978-5-6050040-2-8, Тезисы докладов, Екатеринбург : УрФУ, ИЗДАТЕЛЬСВО АМБ, 2023.. – P.273 – Текст: непосредственный.

22) Б.М.Фоминых. Электрические и гальваномагнитные свойства полуметалла Вейля WTe2 / Б.М.Фоминых, А.Н.Перевалова, С.В.Наумов, С.М.Подгорных, В.В.Чистяков, Е.Б.Марченкова, В.В.Марченков // XXII Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-22) памяти М.И. Куркина, Екатеринбург (Россия), -24 ноября – 1 декабря.2022, Тезисы докладов, г. Екатеринбург, ИФМ УрО РАН 2022. – P.167 – Текст: непосредственный.

Результаты интеллектуальной деятельности

1) Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2024685098 Российская Федерация. Оценка вкладов от поверхности и объема в электросопротивление топологических изоляторов и вейлевских полуметаллов: № 2024684610: заявл. 24.10.2024: опубликовано 24.10.2024 / В.В.Чистяков, А.Н.Перевалова, Б.М.Фоминых, В.В.Марченков; заявитель и правообладатель ИФМ УрО РАН . - 1 c.: ил. - Текст: непосредственный.

2) Свидетельство о регистрации Ноу-Хау (номер 30-НХ.). (Оценка длины свободного пробега носителей заряда в топологических полуметаллах в области эффективно сильных магнитных полей.) / (В.В.Марченков, А.Н.Перевалова, Б.М.Фоминых.); заявитель и правообладатель (ИФМ УрО РАН). – № (); заявл.(); опубл. (Оценка длины свободного пробега носителей заряда в топологических полуметаллах в области эффективно сильных магнитных полей). – (к-во стр. в заявке) с.

Наукометрические данные ИФМ УрО РАН по состоянию на 31.03.2024 г.
	WoS	РИНЦ
Всего статей	-	19326
Индекс Хирша	-	120
Цитируемость
суммарно	-	176729
на статью	-	9,14

Адрес:	620108, г. Екатеринбург,
	ул. Софьи Ковалевской, 18
Email:	physics@imp.uran.ru
Телефон:	(343) 374-02-30
Факс:	(343) 374-52-44
Схема проезда

Вы здесь