Фоминых Богдан Михайлович

Инженер-исследователь (Лаборатория низких температур)




Статьи

1) Peculiarities of the electronic properties in the intrinsic magnetic topological insulator MnBi2Te4 / V. V. Marchenkov1, A. N. Perevalova1, B. M. Fominykh1, E. I. Shreder1, S. V. Naumov1, E. B. Marchenkova1. – Текст: непосредственный // Materials Letters. — 2024. — V. 366. — P. 136591—136596.

2) Hall effect and quantum oscillations of magnetoresistivity in the topological insulator Bi2Se3. The role of bulk and surface carriers / B.M. Fominykh1, A.N. Perevalova1, S.V. Naumov1, V.V. Chistyakov1, V.V. Marchenkov1. – Текст: непосредственный // Physics of the Solid State. — 2024. — V. 66. — P. 641—646.

3) Эффект Холла и квантовые осцилляции магнитосопротивления в топологическом изоляторе Bi2Se3. Роль объемных и поверхностных носителей / Б.М. Фоминых1, А.Н. Перевалова1, С.В. Наумов1, В.В. Чистяков1, В.В. Марченков1. – Текст: непосредственный // Физика твёрдого тела. — 2024. — V. 66. — P. 661—666.


Доклады

1) А.Н.Перевалова. Особенности электро-, магнитосопротивления и оптических свойств антиферромагнитного топологического изолятора MnBi2Te4 [Текст] / А.Н.Перевалова, Б.М.Фоминых, С.В.Наумов, Е.И.Шредер, Е.Б.Марченкова, В.В.Марченков // XL Международная зимняя школа физиков-теоретиков «Коуровка», Новоабзаково, 09.02.2024, ISBN: Тезисы докладов.- 93 c.

2) Б.М.Фоминых. Электросопротивление и гальваномагнитные свойства топологического изолятора Bi2Se3 после облучения ионами аргона [Текст] / Б.М.Фоминых, А.Е.Степанов, А.Н.Перевалова, С.В.Наумов, К.В.Шаломов, Н.В.Гущина, В.В.Марченков // XL Международная зимняя школа физиков-теоретиков «Коуровка», Новоабзаково, 09.02.2024, ISBN: Тезисы докладов.- 111 c.

3) С.Т.Байдак. Электронная структура топологических изоляторов Bi2Te3 и Bi2Se3 [Текст] / С.Т.Байдак, Б.М.Фоминых, А.В.Лукоянов, А.Н.Перевалова, С.В.Наумов, Е.Б.Марченкова, В.В.Марченков // Молодежная конференция по физике полупроводников «Зимняя школа 2024», Зеленогорск, 04.03.2024, ISBN: Тезисы докладов, СПб.: ПОЛИТЕХ-ПРЕСС, 2024, ISBN 978-5-7422-8466-6.- 52 c.


Результаты интеллектуальной деятельности

1) Свидетельство о регистрации Ноу-Хау (номер 30-НХ.). (Оценка длины свободного пробега носителей заряда в топологических полуметаллах в области эффективно сильных магнитных полей.) / (В.В.Марченков, А.Н.Перевалова, Б.М.Фоминых.); заявитель и правообладатель (ИФМ УрО РАН). – № (); заявл.(); опубл. (Оценка длины свободного пробега носителей заряда в топологических полуметаллах в области эффективно сильных магнитных полей). – (к-во стр. в заявке) с.