Сандаков Никита Сергеевич

Инженер-исследователь (Лаборатория полупроводников и полуметаллов)




Статьи

1) Temperature dependence of the electron quantum lifetime in InGaAs/GaAs double quantum well: Fukuyama-Abrahams mechanism / S.V. Gudina1, Yu.G. Arapov1, V.N. Neverov1, A.P. Savelyev1, N.S. Sandakov1, N.G. Shelushinina1, M.V. Yakunin1. – Текст: непосредственный // Physica E. — 2024. — V. 165. — P. 116113—116118.


Доклады

1) Н.С.Сандаков. Эффективные масса и g-фактор электронов в квантовой яме InGaAs с высоким содержанием InAs [Текст] / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, М.В.Якунин // XXVIII Межд. симп. «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 15.03.2024, ISBN: Труды, Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2024, ISBN 978-5-8048-0124-4.- 812 c.

2) Н.С.Сандаков. Магнитотранспортные явления в метаморфных гетероструктурах с квантовой ямой InGaAs [Текст] / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XVI Росс. конф. по физике полупроводников, Россия, 11.10.2024, ISBN: ISSN:978-5-93634-074-5, Тезисы докладов, СПб.: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, 2024.- 142 c.

3) Н.С.Сандаков. Параметры энергетического спектра электронов в квантующих магнитных полях в метаморфных гетероструктурах InGaAs/InAlAs [Текст] / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // Молодежная конференция по физике полупроводников «Зимняя школа 2024», Зеленогорск, 04.03.2024, ISBN: Тезисы докладов, СПб.: ПОЛИТЕХ-ПРЕСС, 2024, ISBN 978-5-7422-8466-6.- 92 c.