Чарикова Татьяна Борисовна

Доктор физико-математических наук

Главный научный сотрудник (Лаборатория полупроводников и полуметаллов)


Контактная информация:
Тел.: 378-37-33,
внутренний тел.: 37-33
Корпус А, комната 353
Электронный адрес: charikova@imp.uran.ru

Наукометрические данные (по состоянию на 15.04.2022г):
Web of Science: h-index - 8; Sum of the Times Cited - 232
Scopus: h-index - 8; Sum of the Times Cited - 253
РИНЦ (SCIENCE INDEX): Индекс Хирша - 8; Цитируемость - 300
Личные страницы автора в системах: WoS, Scopus ID, ORCID, РИНЦ, База публикаций ИФМ

Докторская диссертация: Гальваномагнитные эффекты в слоистых сверхпроводящих соединениях с разной степенью беспорядка (2010)
Кандидатская диссертация: Термогальваномагнитные эффекты и релаксационные явления в высокотемпературных сверхпроводниках (1995)

Ведущий научный сотрудник лаборатории полупроводников и полуметаллов отдела электронных свойств. Признанный специалист в области электронной структуры слоистых сверхпроводящих соединений

Окончила физический факультет Уральского государственного университета им. А.М. Горького. С 1988 г. работает в Институте физики металлов. Область научных интересов: гальваномагнитные эффекты в неупорядоченных слоистых сверхпроводящих соединениях. Признанный специалист в области экспериментального исследования сверхпроводящих соединений. Получена целостная картина поведения сверхпроводящей слоистой системы с электронным типом носителей заряда при изменении уровня неизовалентного и изовалентного легирования и степени кислородного беспорядка. Разработан косвенный метод оценки содержания нестехиометрического кислорода по измерениям длины свободного пробега носителей заряда в монокристаллических пленках. Автор более 90 научных публикаций.

Главы в монографиях:

Электронные и магнитные корреляции в электронно-легированном слоистом сверхпроводнике Nd2-xCexCuО4 / T. Б. Чарикова, Н. Г. Шелушинина, A. С. Клепикова, M. Р. Попов, O. E. Петухова, A. A. Иванов // Квантовые структуры для посткремниевой электроники; под ред. академика А.В. Латышева. – Министерство образования и науки Российской Федерации, Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН. – Новосибирск, Параллель, 2023. – 224 с.: ил. – Глава 6. Раздел 6.4. С. 77-79. – ISBN 978-5-98901-273-2. – Текст: непосредственный. – DOI: 10.34077/ISP.2023-kvant-6.


Статьи

1) Эффекты туннелирования в сильно анизотропных слоистых сверхпроводниках / Т.Б. Чарикова1, Н.Г. Шелушинина1, В.Н. Неверов1, М.Р. Попов1. – Текст: непосредственный // Успехи физических наук. — 2024. — V. 194. — P. 740—752.

2) Charge carrier transport in PbS films doped with iodine / L.N. Maskaeva0, A.V. Pozdin0, A.Yu. Pavlova1, Yu.V. Korkh1, T.V. Kuznetsova2, V.I. Voronin1, K.E. Krivonosova0, T.B. Charikova1, V.F. Markov0. – Текст: непосредственный // PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS. — 2024. — V. 26. — P. 10641—10649.

3) A System of Josephson Vortices in a Layered Electron-Doped Nd2–xCexCuO4 Superconductor / T. B. Charikova1, N. G. Shelushinina1, A. S. Klepikova1, M. R. Popov1. – Текст: непосредственный // Physics of Metals and Metallography. — 2023. — V. 124. — P. 670—683.


Доклады

1) Т.Б.Чарикова. Внутренний эффект Джозефсона в высокотемпературных сверхпроводниках [Текст] / Т.Б.Чарикова // XXXIII Зимняя школа по химии твердого тела, Первоуральск, 09.02.2024, ISBN: Материалы, Екатеринбург : Изд-во Урал. ун-та, 2024, ISBN 978-5-7996-3839-9.- 24 c.

2) Т.Б.Чарикова. Вольт-амперные характеристики внутренних джозефсоновских переходов в сверхпроводнике Nd2-xCexCuO4 [Текст] / Т.Б.Чарикова, Д.И.Девятериков, В.Н.Неверов, М.Р.Попов, Н.Г.Шелушинина, А.А.Иванов, М.В.Якунин // XXVIII Межд. симп. «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 15.03.2024, ISBN: Труды, Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2024, ISBN 978-5-8048-0124-4.- 92 c.

3) Т.Б.Чарикова. Внутренний эффект Джозефсона в электронно-легированном сверхпроводнике Nd2-xCexCuO4+? [Текст] / Т.Б.Чарикова, Д.И.Девятериков, В.Н.Неверов, М.Р.Попов, Н.Г.Шелушинина, А.А.Иванов // XXV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2024), Екатеринбург, 17.02.2024, ISBN: Тезисы докладов, Екатеринбург, ИФМ УрО РАН, 2024, ISBN 978-5-6045774-9-3.- 194 c.