Гудина Светлана Викторовна

Кандидат физико-математических наук

Старший научный сотрудник (Лаборатория полупроводников и полуметаллов)

Контактная информация:
Тел.: 378-37-88,
внутренний тел.: 37-88
Корпус А, комната 355
Электронный адрес: svpopova@imp.uran.ru

Наукометрические данные (по состоянию на 18.08.2025г):
Web of Science: h-index - 6; Sum of the Times Cited - 183
Scopus: h-index - 8; Sum of the Times Cited - 295
РИНЦ (SCIENCE INDEX): Индекс Хирша - 9; Цитируемость - 384
Личные страницы автора в системах: WoS, Scopus ID, ORCID, РИНЦ, База публикаций ИФМ

Кандидатская диссертация: Кинетические эффекты в кристаллах HgTe1-xSx, Ga2Te3 и In2Te3 при высоком давлении до 20 ГПа (2003)

Главы в монографиях:

Гигантское спин-орбитальное расщепление Рашбы в квантовых ямах CdHgTe с нормальным и инвертированным зонным спектром / С. В. Гудина, В. Н. Неверов, М. Р. Попов, К. В. Туруткин, Н. Г. Шелушинина, М. В. Якунин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов // Квантовые структуры для посткремниевой электроники; под ред. академика А.В. Латышева. – Министерство образования и науки Российской Федерации, Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН. – Новосибирск, Параллель, 2023. – 224 с.: ил. – Глава 6. Раздел 6.1. С. 69-70. – ISBN 978-5-98901-273-2. – Текст: непосредственный. – DOI: 10.34077/ISP.2023-kvant-6.

Статьи

1) Magnetotransport in high-mobility metamorphic InGaAs/InAlAs heterostructures with high InAs content / N.S. Sandakov¹, S.V. Gudina¹, V.N. Neverov¹, M.V. Yakunin¹, S.D. Popov¹, A.S. Bogoliubskii¹, K.V. Turutkin¹, I.S. Vasil’evskii⁰, A.N. Vinichenko⁰. – Текст: непосредственный // Journal of Applied Physics. — 2026. — V. 139 – No. 9. — P. 95705—95717.

2) Temperature dependence of the electron quantum lifetime in InGaAs/GaAs double quantum well: Fukuyama-Abrahams mechanism / S.V. Gudina¹, Yu.G. Arapov¹, V.N. Neverov¹, A.P. Savelyev¹, N.S. Sandakov¹, N.G. Shelushinina¹, M.V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Physica E. — 2025. — V. 165. — P. 116113—116121.

3) Contact Potential Difference in the Absence of a Current through a Sample in the Quantum Hall Effect Regime in InGaAs/InAlAs Heterostructure / S. V. Gudina¹, V. N. Neverov¹, K. V. Turutkin¹, I. S. Vasil’evskii⁰, A. N. Vinichenko⁰. – Текст: непосредственный // Physics of Metals and Metallography. — 2024. — V. 125 – No. 2. — P. 137—141.

Показать еще статьи

4) Quantum Oscillations of Magnetoresistance in HgCdTe/HgTe/HgCdTe Heterostructures with Inverted Band Spectrum / A. S. Bogoliubskii¹, S. V. Gudina¹, V. N. Neverov¹, K. V. Turutkin¹, S. M. Podgornykh¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹, N. N. Mikhailov⁰, and S. A. Dvoretsky⁰. – Текст: непосредственный // Physics of the Solid State. — 2022. — V. 64 – No. 3. — P. 107—117.

5) Rashba Spin Splitting in HgCdTe Quantum Wells with Inverted and Normal Band Structures / Svetlana V. Gudina¹, Vladimir N. Neverov¹, Mikhail R. Popov¹, Konstantin V. Turutkin¹, Sergey M. Podgornykh¹, Nina G. Shelushinina¹, Mikhail V. Yakunin¹, Nikolay N. Mikhailov⁰, Sergey A. Dvoretsky⁰. – Текст: непосредственный // Nanomaterials . — 2022. — V. 12 – No. 7. — P. 1238—1252.

6) Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures / A. P. Savelyev¹, Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, V. N. Neverov¹, S. M. Podgornykh¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2021. — V. 47 – No. 1. — P. 18—23.

7) Quasiclassical calculations of Landau level spectrum for 20.5-nm-wide HgTe quantum well: “extremum loop” model and effects of cubic symmetry / S. V. Gudina¹, A. S. Bogolubskiy¹, V. N. Neverov¹, K. V. Turutkin⁰, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2021. — V. 47 – No. 1. — P. 11—17.

8) Квантовые осцилляции магнетосопротивления в гетероструктурах HgCdTe/HgTe/HgCdTe с инвертированным зонным спектром / Боголюбский А.С.¹, Гудина С.В.¹, Неверов В.Н.¹, Туруткин К.В.⁰, Подгорных С.М.¹, Шелушинина Н.Г.¹, Якунин М.В.¹, Михайлов Н.Н.⁰, Дворецкий C.А.⁰. – Текст: непосредственный // Физика твёрдого тела. — 2021. — V. 63 – No. 12. — P. 1983—1994.

9) Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures / A. P. Savelyev¹, Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, V. N. Neverov¹, S. M. Podgornykh¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2021. — V. 47 – No. 1. — P. 14—19.

10) Quasiclassical calculations of Landau level spectrum for 20.5-nm-wide H gTe quantum well: “extremum loop” model and effects of cubic symmetry / S. V. Gudina¹, A. S. Bogolubskiy¹, V. N. Neverov¹, K. V. Turutkin¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin². – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2021. — V. 47 – No. 1. — P. 7—14.

11) Anomalous phase shift of magneto-oscillations in HgTe quantum well with inverted energy spectrum / Svetlana V.Gudina¹, Andrei S.Bogoliubskii¹, Anna S.Klepikova¹, Vladimir N.Neverov¹, Konstantin V.Turutkin¹, Sergey M.Podgornykh¹, Nina G.Shelushinina¹, Mikhail V.Yakunin¹, Nikolay N.Mikhailov⁰, Sergey A.Dvoretsky⁰. – Текст: непосредственный // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. — 2021. — V. 524. — P. 167655—167660.

12) Determination of the magnetocaloric effect from thermophysical parameters and their relationships near magnetic phase transition in doped manganites / A.G.Gamzatov⁰, A.B.Batdalov⁰, A.M.Aliev⁰, P.D.H.Yen⁰, S.V.Gudina¹, V.N.Neverov¹, T.D.Thanh⁰, N.T.Dung⁰, S.-C.Yu⁰, D.-H.Kim⁰, M.H.Phan⁰. – Текст: непосредственный // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. — 2020. — V. 513. — P. 167209—167214.

13) Effective Mass and g-Factor of two-dimentional HgTe _8-band electrons: Shubnikov-de Haas oscillations / Neverov V.N.¹, Bogolubskii A.S.¹, Gudina S.V.¹, Podgornykh S.M.², Turutkin K.V.¹, Popov M.R.¹, Shelushinina N.G.¹, Yakunin M.V.², Mikhailov N.N.⁰, Dvoretsky S.A.⁰. – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2020. — V. 54 – No. 8. — P. 830—833.

14) Effective Mass and g-Factor of Two-Dimentional HgTe Γ8-Band Electrons: Shubnikov-de Haas Oscillations / Neverov V.N.¹, Bogolubskii A.S.¹, Gudina S.V.¹, Podgornykh S.M.², Turutkin K.V.¹, Popov M.R.¹, Shelushinina N.G.¹, Yakunin M.V.², Mikhailov N.N.⁰, Dvoretsky S.A.⁰. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2020. — V. 54 – No. 8. — P. 982—990.

15) HgTe quantum wells with inverted band structure: Quantum Hall effect and the large-scale impurity potential / S. V. Gudina¹, Yu. G. Arapov¹, V. N. Neverov¹, S. M. Podgornykh¹, M. R. Popov¹, E. V. Deriushkina¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹, N. N. Mikhailov⁰, S. A. Dvoretsky⁰. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2019. — V. 45 – No. 4. — P. 412—418.

16) Effect of exchange electron-electron interaction on conductivity of InGaAs single and double quantum wells / Gudina S.V.¹, Arapov Y.G.¹, Neverov V.N.¹, Savelyev A.P.¹, Podgornykh S.M.², Shelushinina N.G.¹, Yakunin M.V.². – Текст: непосредственный // Physica E. — 2019. — V. 113. — P. 14—20.

17) HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential / S.V. Gudina¹, Yu.G. Arapov¹, V.N. Neverov¹, S.M. Podgornykh¹, M.R. Popov¹, E.V. Deriushkina⁰, N.G. Shelushinina¹, M.V. Yakunin¹, N.N. Mikhailov⁰, S.A. Dvoretsky⁰. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2019. — V. 45 – No. 4. — P. 476—483.

18) Quantum Hall transitions in the presence of Landau levels mixing in n-InGaAs/InAlAs structures / S V Gudina¹, Yu G Arapov¹, E V Ilchenko¹, V N Neverov¹, A P Savelyev¹, S M Podgornykh¹, N G Shelushinina¹, M V Yakunin¹, I S Vasil'evskii⁰, A N Vinichenko⁰. – Текст: непосредственный // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. — 2019. — V. 475 – No. 1. — P. 12029—12036.

19) Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential / S.V. Gudina¹, A.S. Klepikova¹, V.N. Neverov¹, N.G. Shelushinina¹, M.V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2019. — V. 45 – No. 2. — P. 204—209.

20) Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential / S. V. Gudina¹, A. S. Klepikova¹, V. N. Neverov¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2019. — V. 45 – No. 2. — P. 176—180.

21) On the issue of universality of critical exponents in the quantum Hall effect mode / Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, E. V. Deryushkina¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin². – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2019. — V. 45 – No. 2. — P. 181—188.

22) К вопросу об универсальности критических индексов в режиме квантового эффекта Холла / Ю.Г. Арапов¹, С.В. Гудина¹, Е.В. Дерюшкина¹, Н.Г. Шелушинина¹, М.В. Якунин¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2019. — V. 45 – No. 2. — P. 210—218.

23) К вопросу о природе перехода в фазу квантового эффекта Холла / Савельев А.П.¹, Арапов Ю.Г.¹, Гудина С.В.¹, Шелушинина Н.Г.¹, Якунин М.В.¹. – Текст: непосредственный // Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований. — 2018. — V. - – No. 12/2. — P. 209—216.

24) Неуниверсальное скейлинговое поведение ширины пиков проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs / Гудина С.В.¹, Арапов Ю.Г.¹, Ильченко Е.В.¹, Неверов В.Н.¹, Савельев А.П.¹, Подгорных С.М.², Шелушинина Н.Г.¹, Якунин М.В.², Васильевский И.С.⁰, Виниченко А.Н.⁰. – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2018. — V. 52 – No. 12. — P. 1447—1455.

25) “Extremum Loop” Model for the Valence-Band Spectrum of a HgTe/HgCdTe Quantum Well with an Inverted Band Structure in the Semimetallic Phase / S. V. Gudina¹, A. S. Bogolyubskii¹, V. N. Neverov¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin². – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2018. — V. 52 – No. 11. — P. 1403—1406.

26) Nonuniversal Scaling Behavior of Conductivity Peak Widths in the Quantum Hall Effect in InGaAs/InAlAs Structures / S. V. Gudina¹, Yu. G. Arapov¹, E. I. Ilchenko¹, V. N. Neverov¹, A. P. Savelyev¹, S. M. Podgornykh², N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin², I. S. Vasil’evskii⁰, A. N. Vinichenko⁰. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2018. — V. 52 – No. 12. — P. 1551—1558.

27) Модель петли экстремумов" для спектра валентной зоны квантовой ямы HgTe/HgCdTe с инвертированной зонной структурой в полуметаллической фазе / С.В. Гудина¹, А.С. Боголюбский¹, В.Н. Неверов¹, Н.Г. Шелушинина¹, М.В. Якунин². – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2018. — V. 52 – No. 11. — P. 1291—1294.

28) Electron Effective Mass and g Factor in Wide HgTe Quantum Wells / S. V. Gudina¹, V. N. Neverov¹, E. V. Ilchenko¹, A. S. Bogolubskii¹, G. I. Harus¹, N. G. Shelushinina¹, S. M. Podgornykh¹, M. V. Yakunin¹, N. N. Mikhailov¹, S. A. Dvoretsky¹. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2018. — V. 52 – No. 1. — P. 12—18.

29) Эффективная масса и g-фактор электронов в широких квантовых ямах теллурида ртути / С.В. Гудина¹, В.Н. Неверов¹, Е.В. Ильченко¹, А.С. Боголюбский¹, Г.И. Харус¹, Н.Г. Шелушинина¹, С.М. Подгорных², М.В. Якунин², Н.Н. Михайлов⁰, С.А. Дворецкий⁰. – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2018. — V. 52 – No. 1. — P. 16—22.

30) Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure / S. V. Gudina¹, V. N. Neverov¹, E. G. Novik¹, E. V. Ilchenko¹, G. I. Harus¹, N. G. Shelushinina¹, S. M. Podgornykh¹, M. V.Yakunin¹, N. N. Mikhailov¹, S. A. Dvoretsky¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2017. — V. 43 – No. 4. — P. 485—490.

31) Антисимметричный вклад в магнитосопротивление гетероструктур в параллельном магнитном поле / А.С. Боголюбский¹, С.В. Гудина¹, В.Н. Неверов¹, С.Г. Новокшонов¹, М.В. Якунин¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2017. — V. 43 – No. 4. — P. 618—622.

32) Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs / А.П. Савельев¹, С.В. Гудина¹, Ю.Г. Арапов¹, В.Н. Неверов¹, С.М. Подгорных¹, М.В. Якунин¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2017. — V. 43 – No. 4. — P. 612—617.

33) Условия экспериментального наблюдения критического поведения продольного и холловского сопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе арсенида галлия и индия / А.С. Клепикова¹, Ю.Г. Арапов¹, С.В. Гудина¹, В.Н. Неверов¹, Г.И. Харус¹, Н.Г. Шелушинина¹, М.В. Якунин¹, Б.Н. Звонков¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2017. — V. 43 – No. 4. — P. 596—604.

34) The Temperature Dependence of the Conductivity Peak Values in the Single and the Double Quantum Well Nanostructures n-InGaAs/GaAs After IR-illumination / Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, A. S. Klepikova¹, V. N. Neverov¹, G. I. Harus¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2017. — V. 51 – No. 2. — P. 272—278.

35) The Temperature Dependence of the Conductivity Peak Values in the Single and the Double Quantum Well Nanostructures n-InGaAs/GaAs After IR-illumination / Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, A. S. Klepikova¹, V. N. Neverov¹, G. I. Harus¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2017. — V. 51 – No. 2. — P. 281—281.

36) Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure / S.V. Gudina¹, V.N. Neverov¹, E.G. Novik¹, E.V. Ilchenko¹, G.I. Harus¹, N.G. Shelushinina¹, S.M. Podgornykh¹, M.V. Yakunin¹, N.N. Mikhailov¹, S.A. Dvoretsky¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2017. — V. 43 – No. 4. — P. 605—611.

37) Quantum Hall effect in n-InGaAs/InAlAs metamorphic nanoheterostructures with high InAs content / Svetlana Gudina¹, Yurii Arapov¹, Alexander Savelyev¹, Vladimir Neverov¹, Sergey Podgornykh¹, Nina Shelushinina¹, Michail Yakunin¹, Krzysztof Rogacki¹, Ivan Vasil'evskii¹, Alexander Vinichenko¹. – Текст: непосредственный // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. — 2017. — V. 440. — P. 10—12.

38) Antisymmetric contribution to the magnetoresistance of heterostructures in a parallel magnetic field / A. S. Bogolubskiy¹, S. V. Gudina¹, V. N. Neverov¹, S. G. Novokshonov¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2017. — V. 43 – No. 4. — P. 495—498.

39) Insulator-quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures / A. P. Savelyev¹, S. V. Gudina¹, Yu. G. Arapov¹, V. N. Neverov¹, S. M. Podgonykh¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2017. — V. 43 – No. 4. — P. 491—494.

40) Conditions for experimental observation of the critical behavior of the longitudinal and Hall resistance in the quantum Hall regime in gallium and indium arsenide-based heterostructures / A. S. Klepikova¹, Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, V. N. Neverov¹, G. I. Harus¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹, B.N. Zvonkov¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2017. — V. 43 – No. 4. — P. 478—484.

41) Variable-Range Hopping Conductivity in Quantum Hall Regime for HgTe-Based Heterostructure / Arapov Y.G.¹, Gudina S.V.¹, Neverov V.N.¹, Podgornykh S.M.¹, Popov M.R.¹, Harus G.I.¹, Shelushinina N.G.¹, Yakunin M.V.¹, Dvoretsky S.A.¹, Mikhailov N.N.¹. – Текст: непосредственный // Journal of Low Temperature Physics. — 2016. — V. 185 – No. 5-6. — P. 665—672.

42) Quantum Hall Effect and Hopping Conductivity in n-InGaAs/InAlAs Nanoheterostructures / S. V. Gudina¹, Yu. G. Arapov¹, A. P. Saveliev¹, V. N. Neverov¹, S. M. Podgornykh¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹, I. S. Vasil’evskii¹, A. N. Vinichenko¹. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2016. — V. 50 – No. 12. — P. 1641—1646.

43) Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs / С.В. Гудина¹, Ю.Г. Арапов¹, А.П. Савельев¹, В.Н. Неверов¹, С.М. Подгорных¹, Н.Г. Шелушинина¹, М.В. Якунин¹, И.С. Васильевский¹, А.Н. Виниченко¹. – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2016. — V. 50 – No. 12. — P. 1669—1675.

44) 2D-localization and delocalization effects in quantum Hall regime in HgTe wide quantum wells / Svetlana V. Gudina¹, Yurii G. Arapov¹, Vladimir N. Neverov¹, Sergey M. Podgornykh¹, Mikhail R. Popov¹, Nina G. Shelushinina¹, Mikhail V. Yakunin¹, Sergey A. Dvoretsky¹, Nikolay N. Mikhailov¹. – Текст: непосредственный // Physica Status Solidi C. — 2016. — V. 13 – No. 7-9. — P. 473—476.

45) Temperature scaling in the quantum-Hall-effect regime in a HgTe quantum well with an inverted energy spectrum / Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, V. N. Neverov¹, S. M. Podgornykh¹, M. R. Popov¹, G. I. Harus¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹, N. N. Mikhailov¹, S. A. Dvoretsky¹. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2015. — V. 49 – No. 12. — P. 1545—1549.

46) Quantum magnetotransport in n-InGaAs/GaAs structures with electron density changes caused by infrared radiation / Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, V. N. Neverov¹, S. M. Podgornykh¹, A. P. Saveliev¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2015. — V. 41. — P. 221—232.

47) Quantum Hall plateau-plateau transitions in n-InGaAs/GaAs heterostructures before and after IR illumination / Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, A. S. Klepikova¹, V. N. Neverov¹, G. I. Harus¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2015. — V. 41. — P. 106—109.

48) Квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs при изменении концентрации электронов под воздействием инфракрасного излучения / Ю.Г. Арапов¹, С.В. Гудина¹, В.Н. Неверов¹, С.М. Подгорных¹, А.П. Савельев¹, М.В. Якунин¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2015. — V. 41. — P. 289—303.

49) Electron-electron interaction and the universality of critical indices for quantum Hall effect plateau-plateau transitions in n-InGaAs/GaAs nanostructures with double quantum wells / Arapov Y.G.¹, Gudina S.V.¹, Klepikova A.S.¹, Neverov V.N.¹, Shelushinina N.G.¹, Yakunin M.V.¹. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2015. — V. 49. — P. 181—186.

50) Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки / Ю.Г. Арапов¹, С.В. Гудина¹, А.С. Клепикова¹, В.Н. Неверов¹, Г.И. Харус¹, Н.Г. Шелушинина¹, М.В. Якунин¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2015. — V. 41. — P. 139—146.

51) Электрон-электронное взаимодействие и универсальность критических индексов для переходов между плато квантового эффекта Холла в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами / Ю.Г. Арапов¹, С.В. Гудина¹, А.С. Клепикова¹, В.Н. Неверов¹, Н.Г. Шелушинина¹, М.В. Якунин¹. – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2015. — V. 49 – No. 2. — P. 186—191.

52) Температурный скейлинг в квантовом эффекте Холла в квантовой яме HgTe с инвертированным энергетическим спектром / Ю.Г. Арапов¹, С.В. Гудина¹, В.Н. Неверов¹, С.М. Подгорных¹, М.Р. Попов¹, Г.И. Харус¹, Н.Г. Шелушинина¹, М.В. Якунин¹, Н.Н. Михайлов¹, С.А. Дворецкий¹. – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2015. — V. 49 – No. 12. — P. 1593—1597.

53) ПЕРЕХОД ИЗОЛЯТОР – КВАНТОВО-ХОЛЛОВСКАЯ ЖИДКОСТЬ В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ N-INGAAS/GAAS / Савельев А.П.¹, Арапов Ю.Г.¹, Гудина С.В.¹, Неверов В.Н.¹, Подгорных С.М.¹, Якунин М.В.¹. – Текст: непосредственный // Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований. — 2015. — V. 12 – No. 3. — P. 439—443.

54) ЭВОЛЮЦИЯ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ ДВОЙНОЙ КВАНТОВОЙ ЯМЫ N-INGAAS/GAAS В НАКЛОННЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЯХ / Савельев А.П.¹, Якунин М.В.¹, Подгорных С.М.¹, Гудина С.В.¹. – Текст: непосредственный // Известия Российской Академии наук. Серия физическая. — 2014. — V. 78. — P. 1171—1175.

55) Evolution of the energy structure of n-InGaAs/GaAs double quantum wells in tilted magnetic fields / A. P. Savelyev¹, M. V. Yakunin¹, S. M. Podgornykh¹, S. V. Gudina¹. – Текст: непосредственный // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. — 2014. — V. 78. — P. 927—931.

56) Scaling in the Quantum Hall Regime for a Double Quantum Well Nanostructure in High Magnetic Field / Yurii G. Arapov¹, Svetlana V. Gudina¹, Anna S. Klepikova¹, Vladimir N. Neverov¹, Sergey G. Novokshonov¹, Vsevolod I. Okulov¹, Tatiana B. Charikova¹, German I. Harus¹, Nina G. Shelushinina¹, Mikhail V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Sol. Stat. Phenomena. — 2014. — V. 215. — P. 208—213.

57) Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла / Ю.Г. Арапов¹, С.В. Гудина¹, В.Н. Неверов¹, С.Г. Новокшонов¹, А.С. Клепикова¹, Г.И. Харус¹, Н.Г. Шелушинина¹, М.В. Якунин¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2013. — V. 39. — P. 66—75.

58) Scaling in the quantum Hall effect regime in n-InGaAs/GaAs nanostructures / Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, A. S. Klepikova¹, V. N. Neverov¹, S. G. Novokshonov¹, G. I. Kharus¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Journal Of Experimental And Theoretical Physics. — 2013. — V. 117. — P. 144—152.

59) СКЕЙЛИНГ В РЕЖИМЕ КВАНТОВОГО ЭФФЕКТА ХОЛЛА В НАНОСТРУКТУРАХ n- InGaAs/GaAs / Арапов Ю.Г.¹, Гудина С.В.¹, Клепикова А.С.¹, Неверов В.Н.¹, Новокшонов С.Г.¹, Харус Г.И.¹, Шелушинина Н.Г.¹, Якунин М.В.¹. – Текст: непосредственный // Журнал экспериментальной и теоретической физики. — 2013. — V. 144. — P. 166—175.

60) Tunneling effects in tilted magnetic fields in n-InGaAs/GaAs structures with strongly coupled double quantum wells / Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, A. S. Klepikova¹, V. N. Neverov¹, S. M. Podgornykh¹, M. V. Yakunin¹, B. N. Zvonkov¹. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2013. — V. 47. — P. 1447—1451.

61) The effect of infrared radiation on quantum magnetotransport in n-InGaAs/GaAs with two strongly coupled quantum wells / S. V. Gudina¹, Yu. G. Arapov¹, V. N. Neverov¹, S. M. Podgornykh¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2013. — V. 39. — P. 374—373.

62) Temperature dependence of the bandwidth of delocalized states for n-InGaAs/GaAs in the quantum Hall effect regime / Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, V. N. Neverov¹, S. G. Novokshonov¹, A. S. Klepikova¹, G. I. Kharus¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2013. — V. 39. — P. 50—57.

63) Temperature dependence of quantum lifetime in n-InGaAs/GaAs structures with strongly coupled double quantum wells / Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, V. N. Neverov¹, S. M. Podgornykh¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2013. — V. 39. — P. 43—49.

64) Эффекты туннелирования в наклонных магнитных полях в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно-связанными квантовыми ямами / Ю.Г. Арапов¹, С.В. Гудина¹, А.С. Клепикова¹, В.Н. Неверов¹, С.М. Подгорных¹, М.В. Якунин¹, Б.Н. Звонков.¹. – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2013. — V. 47. — P. 1457—1461.

65) Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами / С.В. Гудина¹, Ю.Г. Арапов¹, В.Н. Неверов¹, С.М. Подгорных¹, М.В. Якунин¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2013. — V. 39. — P. 481—485.

66) Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами / Ю.Г. Арапов¹, С.В. Гудина¹, В.Н. Неверов¹, С.М. Подгорных¹, М.В. Якунин¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2013. — V. 39. — P. 58—65.

67) Transport Properties of 2D-Electron Gas in a InGaAs/GaAs DQW in a Vicinity of Low Magnetic-Field-Induced Insulator-Quantum Hall Liquid Transition / Yu. G. Arapov¹, M. V. Yakunin¹, S. V. Gudina¹, G. I. Harus¹, V. N. Neverov¹, N. G. Shelushinina¹, S. M. Podgornyh¹, E. A. Uskova¹, B. N. Zvonkov¹. – Текст: непосредственный // AIP Conference Proceedings. — 2007. — V. 893. — P. 647—648.

68) Features of quantum effects in two-dimensional GaAs/n-InGaAs/GaAs structures with double quantum wells / Yu. G. Arapov¹, M. V. Yakunin¹, S. V. Gudina¹, I. V. Karskanov¹, V. N. Neverov¹, G. I. Harus¹, N. G. Shelushinina¹, S. M. Podgornykh¹, B. N. Zvonkov¹, E. A. Uskova¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2007. — V. 33. — P. 156—159.

69) Transport properties of two-dimensional hole gas in a Ge1−xSix/Ge/Ge1−xSix quantum well in a vicinity of metal-insulator transition / Yu.G. Arapov¹, V.N. Neverov¹, G.I. Harus¹, N.G. Shelushinina¹, M.V. Yakunin¹, S.V. Gudina¹, I.V. Karskanov¹, O.A. Kuznetsov¹, A. de Visser¹, L. Ponomarenko¹. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2007. — V. 41. — P. 1315—1322.

70) Transport properties of two-dimensional hole gas in a Ge1−xSix/Ge/Ge1−xSix quantum well in a vicinity of metal-insulator transition / Yu.G. Arapov¹, V.N. Neverov¹, G.I. Harus¹, N.G. Shelushinina¹, M.V. Yakunin¹, S.V. Gudina¹, I.V. Karskanov¹, O.A. Kuznetsov¹, A. de Visser¹, L. Ponomarenko¹. – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2007. — V. 41. — P. 1333—1340.

71) Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge1-xSix / Арапов Ю.Г.¹, Гудина С.В.¹, Карсканов И.В.¹, Неверов В.Н.¹, Харус Г.И.¹, Шелушинина Н.Г.¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2007. — V. 33. — P. 222—227.

72) Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs с двойными квантовыми ямами / Арапов Ю.Г.¹, Якунин М.В.¹, Гудина С.В.¹, Карсканов И.В.¹, Неверов В.Н.¹, Харус Г.И.¹, Шелушинина Н.Г.¹, Подгорных С.М.¹, Звонков Б.Н.¹, Ускова Е.А.¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2007. — V. 33. — P. 217—221.

73) Transport properties of 2D-electron gas in the InGaAs/GaAs DQW in a vicinity of the Hall insulator - quantum Hall liquid transition / Yu.G.Arapov¹, S.V.Gudina¹, G.I.Harus¹, V.N.Neverov¹, N.G.Shelushinina¹, M.V.Yakunin¹, S.M.Podgornyh¹, B.N.Zvonkov¹. – Текст: непосредственный // International journal of Nanoscience. — 2007. — V. 6. — P. 173—177.

74) Contributions of the electron–electron interaction and weak localization to the conductance of p-Ge/Ge1−xSix heterostructures / Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, I. V. Karskanov¹, V. N. Neverov¹, G. I. Harus¹, N. G. Shelushinina¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2007. — V. 33. — P. 160—164.

75) Czochralski silicon characterisation by using thermoelectric power measurements at high pressure / V. V. Shchennikov¹, S. V. Gudina¹, A. Misiuk¹, S. N. Shamin¹. – Текст: непосредственный // Physica B. — 2004. — V. 340-342. — P. 1026—1030.

76) Thermoelectric properties of Czochralski-grown Silicon at high pressure up to 16 GPa / V. V. Shchennikov¹, S. V. Gudina¹, A. Misiuk¹, S. N. Shamin¹, S. V. Ovsyannikov¹. – Текст: непосредственный // European Physical Journal: Applied Physics. — 2004. — V. 27 – No. 1. — P. 145—148.

77) Application of the high-pressure thermoelectric technique for characterization of semiconductor micro-samples: PbX-based compounds / S. V. Ovsyannikov¹, V. V. Shchennikov¹, Y. S. Ponosov¹, S. V. Gudina¹, V. G. Guk¹, E. P. Skipetrov¹, V. E. Mogilenskikh¹. – Текст: непосредственный // Journal of Physics D: Applied Physics. — 2004. — V. 37 – No. 8. — P. 1151—1157.

Доклады

1) Н.С.Сандаков. Спин-орбитальное расщепление и спин-зависимое рассеяние в симметрично-легированных квантовых ямах HgCdTe/CdHgTe / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, М.В.Якунин, С.Д.Попов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, В.Я.Алешкин, Н.Н.Михайлов // XXX Симп. «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), 09.03-13.03.2026, Тезисы докладов, Нижний Новгород, 2026. – P.405 – Текст: непосредственный.

2) В.Н.Неверов. Универсальность критических индексов в режиме квантового эффекта Холла в зависимости от типа потенциала беспорядка / В.Н.Неверов, С.В.Гудина, Н.С.Сандаков, Н.Г.Шелушинина // XXX Симп. «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), 09.03-13.03.2026, Тезисы докладов, Нижний Новгород, 2026. – P.374 – Текст: непосредственный.

3) С.Д.Попов. Влияние типа потенциального контакта образца на возникновение пиков напряжения в режиме квантового эффекта Холла при отсутствии тока через образец / С.Д.Попов, В.Н.Неверов, С.В.Гудина, Н.С.Сандаков, К.В.Туруткин, Н.Б.Груздев, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXX Симп. «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), 09.03-13.03.2026, Тезисы докладов, Нижний Новгород, 2026. – P.388 – Текст: непосредственный.

Показать еще доклады

4) А.А.Брусникова. Скейлинг в режиме квантового эффекта Холла в структуре HgTe/CdHgTe с двойной квантовой ямой / А.А.Брусникова, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XXVI Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2026), Екатеринбург (Россия), 16.02-20.02.2026, ISBN 978-5-6052052-1-Сборник тезисов, Екатеринбург, ИФМ УрО РАН, 2026. – P.90 – Текст: непосредственный.

5) С.Д.Попов. Влияние типа контакта провод-образец на возникновение пиков напряжения в режиме квантового эффекта Холла / С.Д.Попов, В.Н.Неверов, С.В.Гудина, Н.С.Сандаков, К.В.Туруткин, Н.Б.Груздев, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXVI Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2026), Екатеринбург (Россия), 16.02-20.02.2026, ISBN 978-5-6052052-1-Сборник тезисов, Екатеринбург, ИФМ УрО РАН, 2026. – P.140 – Текст: непосредственный.

6) С.В.Гудина. Квантовые фазовые переходы плато - плато в квантовом эффекте Холла. Предсказания теории и экспериментальные подтверждения / С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина // XXVI Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2026), Екатеринбург (Россия), 16.02-20.02.2026, ISBN 978-5-6052052-1-Сборник тезисов, Екатеринбург, ИФМ УрО РАН, 2026. – P.88 – Текст: непосредственный.

7) В.Н.Неверов. Механизмы сбоя фазы для одиночных и двойных гетеропереходов в квантовых фазовых переходах плато-плато квантового эффекта Холла / В.Н.Неверов, С.В.Гудина, Н.Г.Шелушинина, Н.С.Сандаков, С.Д.Попов, М.В.Якунин // XXVI Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2026), Екатеринбург (Россия), 16.02-20.02.2026, ISBN 978-5-6052052-1-Сборник тезисов, Екатеринбург, ИФМ УрО РАН, 2026. – P.86 – Текст: непосредственный.

8) А.П.Савельев. Электрон-электронное взаимодействие в проводимости гетероструктур InGaAs/GaAs / А.П.Савельев, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XXVI Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2026), Екатеринбург (Россия), 16.02-20.02.2026, ISBN 978-5-6052052-1-Сборник тезисов, Екатеринбург, ИФМ УрО РАН, 2026. – P.101 – Текст: непосредственный.

9) Н.С.Сандаков. Спин-зависимое рассеяние в квантовых ямах HgCdTe с высокой электронной концентрацией / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, М.В.Якунин, С.Д.Попов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, В.Я.Алешкин, Н.Н.Михайлов // XXVI Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2026), Екатеринбург (Россия), 16.02-20.02.2026, ISBN 978-5-6052052-1-Сборник тезисов, Екатеринбург, ИФМ УрО РАН, 2026. – P.116 – Текст: непосредственный.

10) С.В.Гудина. Критическое поведение проводимости в режиме квантового эффекта Холла. Диаграммы скейлинга / С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина // XXX Симп. «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), 09.03-13.03.2026, Тезисы докладов, Нижний Новгород, 2026. – P.303 – Текст: непосредственный.

11) С.В.Гудина. Критическое поведение проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структуре HgTe/CdHgTe с двойной квантовой ямой / С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.А.Брусникова, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XXIX Симп. «Нанофизика и наноэлектроника» , Нижний Новгород (Россия), 10.03-14.03.2025, Тезисы докладов, Нижний Новгород, 2025. – P.281 – Текст: непосредственный.

12) С.В.Гудина. Проводимость двумерных систем с квантовыми ямами на основе теллурила ртути с заданной структурной асимметрией / С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.С.Сандаков, М.В.Якунин, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, С.Д.Попов, Н.Н.Михайлов // XXIX Симп. «Нанофизика и наноэлектроника» , Нижний Новгород (Россия), 10.03-14.03.2025, Тезисы докладов, Нижний Новгород, 2025. – P.382 – Текст: непосредственный.

13) S.V.Gudina. Critical behavior of conductivity in the quantum Hall effect regime: interaction effects / S.V.Gudina, V.N.Neverov, N.G.Shelushinina // XL Fortov Intern. Conf. on Interaction of Intense Energy Fluxes with Matter (ELBRUS 2025), Elbrus, Kabardino-Balkaria (Russia), 01.03-06.03.2025, ISBN 978-5-600-04617-7, Book of Abstracts 2025. – P.86 – Текст: непосредственный.

14) А.А.Брусникова. КРИТИЧЕСКОЕ ПОВЕДЕНИЕ ПРОВОДИМОСТИ В РЕЖИМЕ КВАНТОВОГО ЭФФЕКТА ХОЛЛА В СТРУКТУРЕ HGTE/CDHGTE С ДВОЙНОЙ КВАНТОВОЙ ЯМОЙ / А.А.Брусникова, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XII Межд. молодежная научная конф. «Физика. Технологии. Инновации» (ФТИ-2025), Екатеринбург (Россия), 19.05-23.05.2025, Тезисы докладов, Екатеринбург: УрФУ, 2025,. – P.105 – Текст: непосредственный.

15) А.А.Брусникова. Критическое поведение проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структуре HgTe/CdHgTe с двойной квантовой ямой / А.А.Брусникова, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XXIV Всеросс. школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-24), посвященная 100-летию со дня рождения Е.А. Турова, Екатеринбург (Россия), 14.03-20.03.2025, ISBN 978-5-6052052-0-3, Тезисы докладов, г. Екатеринбург: ИФМ УрО РАН, 2025. – P.111 – Текст: непосредственный.

16) С.Д.Попов. Возникновение разности потенциалов в отсутствие тока через образец в режиме квантового эффекта Холла в образце со случайной неэквивалентностью контактов / С.Д.Попов, В.Н.Неверов, С.В.Гудина, К.В.Туруткин, Н.С.Сандаков, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXIV Всеросс. школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-24), посвященная 100-летию со дня рождения Е.А. Турова, Екатеринбург (Россия), 14.03-20.03.2025, ISBN 978-5-6052052-0-3, Тезисы докладов, г. Екатеринбург: ИФМ УрО РАН, 2025. – P.115 – Текст: непосредственный.

17) Н.С.Сандаков. Эффективные масса и g-фактор электронов в квантовой яме InGaAs с высоким содержанием InAs / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, М.В.Якунин // XXVIII Межд. симп. «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), 11.03-15.03.2024, Труды, Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2024, ISBN 978-5-8048-0124-4. – P.812 – Текст: непосредственный.

18) В.Н.Неверов. Температурная зависимость величины сбоя фазы для одиночных и двойных гетеропереходов в квантовых фазовых переходах плато-плато КЭХ / В.Н.Неверов, С.В.Гудина, Н.Г.Шелушинина, Ю.Г.Арапов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин // XXVIII Межд. симп. «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), 11.03-15.03.2024, Труды, Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2024, ISBN 978-5-8048-0124-4. – P.754 – Текст: непосредственный.

19) Н.С.Сандаков. Параметры энергетического спектра электронов в квантующих магнитных полях в метаморфных гетероструктурах InGaAs/InAlAs / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // Молодежная конференция по физике полупроводников «Зимняя школа 2024», Зеленогорск (Россия), 29.02-04.03.2024, Тезисы докладов, СПб.: ПОЛИТЕХ-ПРЕСС, 2024, ISBN 978-5-7422-8466-6. – P.92 – Текст: непосредственный.

20) С.В.Гудина. Магнитосопротивление в двойных квантовых ямах InGaAs/GaAs в параллельном магнитном поле: исследование механизмов рассеяния / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XXV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2024), Екатеринбург (Россия), 12.02-17.02.2024, Тезисы докладов, Екатеринбург, ИФМ УрО РАН, 2024, ISBN 978-5-6045774-9-3. – P.135 – Текст: непосредственный.

21) В.Н.Неверов. Контактная разность потенциалов в отсутствии тока через образец в режиме квантового эффекта Холла / В.Н.Неверов, С.В.Гудина, К.В.Туруткин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2024), Екатеринбург (Россия), 12.02-17.02.2024, Тезисы докладов, Екатеринбург, ИФМ УрО РАН, 2024, ISBN 978-5-6045774-9-3. – P.79 – Текст: непосредственный.

22) Н.С.Сандаков. Параметры электронного энергетического спектра в квантующих магнитных полях в метаморфных гетероструктурах InGaAs/InAlAs / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2024), Екатеринбург (Россия), 12.02-17.02.2024, Тезисы докладов, Екатеринбург, ИФМ УрО РАН, 2024, ISBN 978-5-6045774-9-3. – P.117 – Текст: непосредственный.

23) В.Н.Неверов. Разность потенциалов неэквивалентных контактов в отсутствии тока через образец в режиме квантового эффекта Холла / В.Н.Неверов, С.В.Гудина, С.Д.Попов, К.В.Туруткин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XVI Росс. конф. по физике полупроводников, Россия (Санкт-Петербург), 07.10-11.10.2024, ISBN 978-5-93634-074-5, Тезисы докладов, СПб.: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, 2024. – P.135 – Текст: непосредственный.

24) С.В.Гудина. Электрон-электронное взаимодействие в структурах InGaAs/GaAs / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XVI Росс. конф. по физике полупроводников, Россия (Санкт-Петербург), 07.10-11.10.2024, ISBN 978-5-93634-074-5, Тезисы докладов, СПб.: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, 2024. – P.170 – Текст: непосредственный.

25) Н.С.Сандаков. Магнитотранспортные явления в метаморфных гетероструктурах с квантовой ямой InGaAs / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XVI Росс. конф. по физике полупроводников, Россия (Санкт-Петербург), 07.10-11.10.2024, ISBN 978-5-93634-074-5, Тезисы докладов, СПб.: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, 2024. – P.142 – Текст: непосредственный.

26) S.V.Gudina. Critical behavior of conductivity in the quantum Hall effect regime under large-scale impurity potential / S.V.Gudina, Yu.G.Arapov, V.N.Neverov, N.G.Shelushinina // XXXIX Fortov Intern. Conf. on Equations of State for Matter (ELBRUS 2024), Elbrus, Kabardino-Balkaria (Россия), 01.03-06.03.2024 – Текст: непосредственный.

27) С.В.Гудина. Исследование механизмов рассеяния в двойных квантовых ямах InGaAs/GaAs в параллельном магнитном поле / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, А.Н.Титов, Т.В.Кузнецова // XXVIII Межд. симп. «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), 11.03-15.03.2024, Труды, Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2024, ISBN 978-5-8048-0124-4. – P.625 – Текст: непосредственный.

28) В.Н.Неверов. Контактная разность потенциалов в отсутствии тока через образец в магнитных поля, отвечающих плато квантового эффекта Холла / В.Н.Неверов, С.В.Гудина, К.В.Туруткин // XXVII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), 13.03-16.03.2023, Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVII Международного симпозиума. Том 2.: Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2023. ISBN: ISBN 978-5-8048-0120-6. – P.697 – Текст: непосредственный.

29) Н.С.Сандаков. Параметры электронного энергетического спектра в квантующих магнитных полях в метаморфных гетероструктурах с квантовой ямой InGaAs / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXV Всеросс. молодежная конф. по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто-и наноэлектронике, Санкт-Петербург (Россия), 27.11-01.12.2023, ISBN 978-5-7422-8329-4, Тезисы докладов, СПб. : ПОЛИТЕХ-ПРЕСС, 2023. – P.55 – Текст: непосредственный.

30) К.В.Туруткин. Температурный и токовый скейлинг в квантовом эффекте Холла в структурах InGaAs/InAlAs / К.В.Туруткин, А.С.Боголюбский, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко, В.В.Марченков // XXIII Всеросс. школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-23), Екатеринбург (Россия), 23.11-30.11.2023, ISBN 978-5-6045774-8-6, Тезисы докладов, Екатеринбург: ИФМ УрО РАН, 2023. – P.130 – Текст: непосредственный.

31) М.А.Шишкин. Слабая локализация и время сбоя фазы в двойных квантовых ямах InGaAs/GaAs / М.А.Шишкин, С.В.Гудина, В.Н.Неверов // XXIII Всеросс. школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-23), Екатеринбург (Россия), 23.11-30.11.2023, ISBN 978-5-6045774-8-6, Тезисы докладов, Екатеринбург: ИФМ УрО РАН, 2023. – P.133 – Текст: непосредственный.

32) Н.С.Сандаков. Циклотронная эффективная масса и g*-фактор электронов в метаморфных гетероструктурах с квантовой ямой InGaAs / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXIII Всеросс. школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-23), Екатеринбург (Россия), 23.11-30.11.2023, ISBN 978-5-6045774-8-6, Тезисы докладов, Екатеринбург: ИФМ УрО РАН, 2023. – P.129 – Текст: непосредственный.

33) А.Г.Гамзатов. Влияние размера гранул на магнитокалорические и магнитотранспортные свойства манганита Pr0.7Sr0.2Ca0.1MnO3 / А.Г.Гамзатов, М.Д.Алиева, А.Т.Кадырбардеев, С.В.Гудина, В.Н.Неверов // XXIII Всеросс. школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-23), Екатеринбург (Россия), 23.11-30.11.2023, ISBN 978-5-6045774-8-6, Тезисы докладов, Екатеринбург: ИФМ УрО РАН, 2023. – P.65 – Текст: непосредственный.

34) М.Д.Алиева. Влияние размера гранул на низкотемпературный транспорт манганита Pr0.7Sr0.2Ca0.1MnO3 / М.Д.Алиева, А.Г.Гамзатов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов // 4-й Межд. научный Семинар «Дни калорики в Дагестане: функциональные материалы и их приложения» (DCD-2023), Дербент (Россия), 27.05-31.05.2023, ISBN 978-5-7271-1896-2, Сборник тезисов, Челябинск : Изд-во Челяб. гос. ун-та, 2023. – P.24 – Текст: непосредственный.

35) С.В.Гудина. Гигантское спин-орбитальное расщепление Рашбы в квантовых ямах 3HgCdTe с нормальным и инвертированным зонным спектром / С.В.Гудина, В.Н.Неверов, К.В.Туруткин, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов // 4-й Межд. научный Семинар «Дни калорики в Дагестане: функциональные материалы и их приложения» (DCD-2023), Дербент (Россия), 27.05-31.05.2023, ISBN 978-5-7271-1896-2, Сборник тезисов, Челябинск : Изд-во Челяб. гос. ун-та, 2023. – P.48 – Текст: непосредственный.

36) С.В.Гудина. Критическое поведение проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs: крупномасштабный примесный потенциал / С.В.Гудина, А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, К.В.Туруткин, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 14-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ», Москва (Россия), 24.05-25.05.2023, ISBN 978-5-7262-2958-4, Сборник трудов, М.: НИЯУ МИФИ, 2023. – P.15 – Текст: непосредственный.

37) Н.С.Сандаков. Эффективный g-фактор в метаморфных гетеро- структурах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 14-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ», Москва (Россия), 24.05-25.05.2023, ISBN 978-5-7262-2958-4, Сборник трудов, М.: НИЯУ МИФИ, 2023. – P.19 – Текст: непосредственный.

38) Н.С.Сандаков. Обменное усиление g-фактора электронов в метаморфных гетероструктурах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // X Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации» (ФТИ-2023), Екатеринбург (Россия), 15.05-19.05.2023, ISBN 978-5-6050040-2-8, Тезисы докладов, Екатеринбург : УрФУ, ИЗДАТЕЛЬСВО АМБ, 2023.. – P.300 – Текст: непосредственный.

39) Н.С.Сандаков. Усиление эффективного g-фактора в метаморфных гетероструктурах InGaAs/InAlAs / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 65-я Всероссийская научная конфеенция МФТИ , Москва (Россия), 03.04-08.04.2023 – Текст: непосредственный.

40) С.В.Гудина. Квантовые осцилляции магнетосопротивления в квантовых ямах HgTe с инвертированным зонным спектром / С.В.Гудина, А.С.Боголюбский, В.Н.Неверов, К.В.Туруткин, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов // XXVII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), 13.03-16.03.2023, Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVII Международного симпозиума. Том 2.: Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2023. ISBN: ISBN 978-5-8048-0120-6. – P.558 – Текст: непосредственный.

41) М.А.Шишкин. Квантовые интерференционные вклады в проводимость в структурах InGaAs{GaAs / М.А.Шишкин, С.В.Гудина, В.Н.Неверов // XXII Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-22) памяти М.И. Куркина, Екатеринбург (Россия), -24 ноября – 1 декабря.2022, Тезисы докладов, г. Екатеринбург: ИФМ УрО РАН, 2022. – P.167 – Текст: непосредственный.

42) А.О.Пакулов. Спин-орбитальное расщепление в квантовых ямах CdHgTe с нормальной и инвертированной зонной структурой / А.О.Пакулов, С.В.Гудина, К.В.Туруткин, В.Н.Неверов // XXII Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-22) памяти М.И. Куркина, Екатеринбург (Россия), -24 ноября – 1 декабря.2022, Тезисы докладов, г. Екатеринбург: ИФМ УрО РАН, 2022. – P.162 – Текст: непосредственный.

43) Н.С.Сандаков. Определение эффективного g -фактора в метаморфных гетероструктурах InGaAs{InAlAs с высоким содержанием InAs в наклонных магнитных полях / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, М.В.Якунин // XXII Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-22) памяти М.И. Куркина, Екатеринбург (Россия), -24 ноября – 1 декабря.2022, Тезисы докладов, г. Екатеринбург: ИФМ УрО РАН, 2022. – P.163 – Текст: непосредственный.

44) В.Н.Неверов. Механизмы сбоя фазы для одиночных и двойных гетеропереходов в квантовых фазовых переходах плато-плато КЭХ / В.Н.Неверов, С.В.Гудина, Н.Г.Шелушинина, Ю.Г.Арапов, А.С.Боголюбский, А.С.Клепикова, К.В.Туруткин, М.В.Якунин // XV Российская конференция по физике полупроводников, Нижний Новгород (Россия), -3-7 октября.2022, Тез.докл.-Нижний Новгород:Орг.ком. 2022. – P.154 – Текст: непосредственный.

45) С.В.Гудина. Гигантское расщепление Рашбы в асимметричных квантовых ямах на основе HgCdTe / С.В.Гудина, В.Н.Неверов, М.Р.Попов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов // XV Российская конференция по физике полупроводников, Нижний Новгород (Россия), -3-7 октября.2022, Тез.докл.-Нижний Новгород:Орг.ком. 2022. – P.139 – Текст: непосредственный.

46) С.В.Гудина. Эффективный g-фактор в квантовых ямах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.С.Сандаков, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // Международный семинар «Фазовые переходы и неоднородные состояния в оксидах» International Workshop PTISO22, Казань (Россия), -4-8 июля.2022, Тез.докл.-Казань:Орг.ком. 2022. – P.84 – Текст: непосредственный.

47) С.В.Гудина. Слабая локализация и время фазовой когерентности в структурах InGaAs/GaAs с двойными сильно-связанными квантовыми ямами / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Б.Н.Звонков // 13-я Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения», Москва (Россия), -25-26 мая.2022, Сб.трудов-Москва:НИЯУ МИФИ 2022. – P.58 – Текст: непосредственный.

48) С.В.Гудина. Спин-орбитальное расщепление Рашбы в магнитном поле в квантовых ямах CdHgTe с нормальной и инвертированной зонной структурой / С.В.Гудина, М.Р.Попов, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XXVI Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), -14-17 марта.2022, Труды конф.-Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета 2022. – P.746 – Текст: непосредственный.

49) А.П.Савельев. Исследование механизмов рассеяния в двойных квантовых ямах InGaAs/GaAs в параллельном магнитном поле / А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XXIV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2022), Екатеринбург (Россия), -14-19 февраля.2022, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2022. – P.164 – Текст: непосредственный.

50) А.С.Боголюбский. Квантовые осцилляции магнетосопротивления в гетероструктурах HgCdTe/HgTe/HgCdTe с инвертированным зонным спектром / А.С.Боголюбский, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, К.В.Туруткин, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XXIV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2022), Екатеринбург (Россия), -14-19 февраля.2022, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2022. – P.88 – Текст: непосредственный.

51) С.В.Гудина. Осцилляции Шубникова – де Гааза в асимметричных квантовых ямах на основе HgCdTe: эффект Бычкова-Рашбы / С.В.Гудина, М.Р.Попов, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XXIV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2022), Екатеринбург (Россия), -14-19 февраля.2022, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2022. – P.95 – Текст: непосредственный.

52) К.В.Туруткин. Возникновение разности потенциалов вследствие неэквивалентности контактов в режиме квантового эффекта Холла / К.В.Туруткин, С.В.Гудина, В.Н.Неверов // XXII Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-22) памяти М.И. Куркина, Екатеринбург (Россия), -24 ноября – 1 декабря.2022, Тезисы докладов, г. Екатеринбург: ИФМ УрО РАН, 2022. – P.164 – Текст: непосредственный.

53) С.В.Гудина. Электрон-электронное взаимодействие в структурах InGaAs/GaAs / С.В.Гудина, А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // 2-я Конференция «Физика Конденсированных Состояний», посвященная 90-летию со дня рождения акад. Ю.А. Осипьяна\rnull, Черноголовка (Россия), -31 мая – 4 июня.2021, Тез.докл.-Черноголовка:ИФТТ РАН 2021. – P.13 – Текст: непосредственный.

54) С.В.Гудина. Спин-орбитальное расщепление Рашбы в квантовых ямах на основе теллурида ртути с энергетическим спектром вблизи точки инверсии зон / С.В.Гудина, В.Н.Неверов, М.Р.Попов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов // XX Школа-конференция молодых ученых «Проблемы физики твердого тела и высоких давлений» \rnull, Сочи (Россия), -16-26 сентября.2021 – Текст: непосредственный.

55) С.В.Гудина. Квантовые ямы на основе теллурида ртути с энергетическим спектром вблизи точки инверсии зон: спин-орбитальное расщепление Рашбы / С.В.Гудина, В.Н.Неверов, М.Р.Попов, К.В.Туруткин, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов // Международная конференция «Фазовые переходы, критические и нелинейные явления в конденсированных средах», XIV Межд. семинар молодых ученых «Магнитные фазовые переходы» \rnull, Махачкала (Россия), -12-17 сентября.2021, Тез.не изд. 2021. – P.296 – Текст: непосредственный.

56) С.В.Гудина. Квантовый эффект Холла в квантовых ямах InGaAs: активационная проводимость / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, К.В.Туруткин, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // Международная конференция «Фазовые переходы, критические и нелинейные явления в конденсированных средах», XIV Межд. семинар молодых ученых «Магнитные фазовые переходы» \rnull, Махачкала (Россия), -12-17 сентября.2021, Тез.не изд. 2021. – P.294 – Текст: непосредственный.

57) А.С.Боголюбский. Фазовый сдвиг магнитоосцилляций в квантовой яме теллурида ртути с инвертированной зонной структурой / А.С.Боголюбский, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов // 2-я Конференция «Физика Конденсированных Состояний», посвященная 90-летию со дня рождения акад. Ю.А. Осипьяна\rnull, Черноголовка (Россия), -31 мая – 4 июня.2021, Тез.докл.-Черноголовка:ИФТТ РАН 2021. – P.7 – Текст: непосредственный.

58) С.В.Гудина. Крупномасштабный примесный потенциал в структурах InGaAs/InAlAs: квантовый эффект Холла / С.В.Гудина, А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 12-я Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения» \rnull, Москва (Россия), -19-20 мая.2021, Сб.трудов.- М.: НИЯУ МИФИ 2021. – P.55 – Текст: непосредственный.

59) С.В.Гудина. Квантовая яма HgTe с инвертированной зонной структурой: фазовый анализ квантовых осцилляций сопротивления / С.В.Гудина, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов // 12-я Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения» \rnull, Москва (Россия), -19-20 мая.2021, Сб.трудов.- М.: НИЯУ МИФИ 2021. – P.57 – Текст: непосредственный.

60) А.П.Савельев. Крупномасштабный примесный потенциал в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs / А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина // XXI Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-21)\rnull, Екатеринбург (Россия), -18-25 марта.2021, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2021. – P.172 – Текст: непосредственный.

61) А.С.Боголюбский. Аномальный фазовый сдвиг осцилляций Шубникова-де Гааза в квантовых ямах на основе HgTe с инвертированным зонным спектром / А.С.Боголюбский, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XXI Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-21)\rnull, Екатеринбург (Россия), -18-25 марта.2021, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2021. – P.166 – Текст: непосредственный.

62) А.С.Боголюбский. Квантовые осцилляции магнитосопротивления в гетероструктурах HgTe/CdHgTe: определение эффективной массы и g-фактора электронов 2D-системы / А.С.Боголюбский, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XXI Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-21)\rnull, Екатеринбург (Россия), -18-25 марта.2021, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2021. – P.167 – Текст: непосредственный.

63) К.В.Туруткин. Магнитный пробой в валентной зоне квантовой ямы HgTe/HgCdTe с инвертированной зонной структурой в полуметаллической фазе / К.В.Туруткин, С.В.Гудина, А.С.Боголюбский, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XXI Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-21)\rnull, Екатеринбург (Россия), -18-25 марта.2021, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2021. – P.174 – Текст: непосредственный.

64) С.В.Гудина. Магнитный пробой в валентной зоне квантовой ямы HgTe/HgCdTe с инвертированной зонной структурой в полуметаллической фазе / С.В.Гудина, А.С.Боголюбский, В.Н.Неверов, К.В.Туруткин, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XXV Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), -9-12 марта.2021, Труды симпозиума-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского ун-та 2021. – P.624 – Текст: непосредственный.

65) С.В.Гудина. Квантовое время жизни и электрон-электронное взаимодействие в структурах InGaAs/GaAs с двойными сильно-связанными квантовыми ямами / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Б.Н.Звонков // XXV Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), -9-12 марта.2021, Труды симпозиума-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского ун-та 2021. – P.626 – Текст: непосредственный.

66) С.В.Гудина. Аномальный фазовый сдвиг осцилляций Шубникова -де Гааза в квантовой яме HgTe с инвертированным энергетическим спектром / С.В.Гудина, В.Н.Неверов, К.В.Туруткин, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XXIII Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2020)\rnull, Екатеринбург-Алапаевск (Россия), -17-22 февраля .2020, Тез.докл.-Екатеринбург, Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН 2020. – P.77 – Текст: непосредственный.

67) С.В.Гудина. Эффекты обменного взаимодействия в проводимости гетероструктур InGaAs/GaAs / С.В.Гудина, А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Б.Н.Звонков // XXIII Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2020)\rnull, Екатеринбург-Алапаевск (Россия), -17-22 февраля .2020, Тез.докл.-Екатеринбург, Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН 2020. – P.66 – Текст: непосредственный.

68) С.В.Гудина. Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах InGaAs/GaAs с двойными сильно-связанными квантовыми ямами / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Б.Н.Звонков // 11-я Межд. Научно-практич. конф. по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения» \rnull, Москва (Россия), -28 октября .2020, Сборник трудов. М.: НИЯУ МИФИ 2020. – P.11 – Текст: непосредственный.

69) S.V.Gudina. Phase analysis of quantum oscillations in HgTe quantum well with an inverted band structure / S.V.Gudina, V.N.Neverov, K.V.Turutkin, N.G.Shelushinina, M.V.Yakunin, N.N.Mikhailov, S.A.Dvoretsky // 28th Intern. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology” , Minsk (Belarus), -28 сентября-2 октября.2020, Труды симп.-С.-Петербург:Ин-т им.Иоффе 2020. – P.220 – Текст: непосредственный.

70) V.N.Neverov. Anomalous phase shift of magnetooscillations in the HgTe quantum well with inverted energy spectrum / V.N.Neverov, A.S.Klepikova, A.S.Bogolubskii, S.V.Gudina, N.G.Shelushinina, K.V.Turutkin, M.V.Yakunin, N.N.Mikhailov, S.A.Dvoretsky // XXIV Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» , Нижний Новгород (Россия), -10-13 марта .2020, "Труды симпозиума.-Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета" 2020. – P.485 – Текст: непосредственный.

71) С.В.Гудина. Интерференционный вклад от обменного электрон-электронного взаимодействия в проводимость гетероструктур InGaAs/GaAS / С.В.Гудина, А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Б.Н.Звонков // XXIV Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» , Нижний Новгород (Россия), -10-13 марта .2020, "Труды симпозиума.-Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета" 2020. – P.543 – Текст: непосредственный.

72) С.В.Гудина. Расщепление Рашбы в асимметричных и симметричных структурах с квантовыми ямами на основе теллурида ртути / С.В.Гудина, В.Н.Неверов, М.Р.Попов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов // XIV Российская конференция по физике полупроводников, Новосибирск (Россия), -9-13 сентября.2019, Тез. докл.-М. Издательство Перо 2019. – P.211 – Текст: непосредственный.

73) С.В.Гудина. Эффективная масса и g-фактор электронов в широких квантовых ямах HgTe: Осцилляции Шубникова – де Гааза / С.В.Гудина, А.С.Боголюбский, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, С.М.Подгорных, К.В.Туруткин, М.В.Якунин, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов // XIV Российская конференция по физике полупроводников, Новосибирск (Россия), -9-13 сентября.2019, Тез. докл.-М. Издательство Перо 2019. – P.235 – Текст: непосредственный.

74) С.В.Гудина. Эффективная масса и спектр уровней Ландау валентной зоны для квантовой ямы HgTe в модели «петли экстремумов»: эффекты кубической симметрии / С.В.Гудина, А.С.Боголюбский, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XIV Российская конференция по физике полупроводников, Новосибирск (Россия), -9-13 сентября.2019, Тез. докл.-М. Издательство Перо 2019. – P.234 – Текст: непосредственный.

75) S.V.Gudina. On the experimental determination of the Rashba spin splitting in mercury telluride quantum wells / S.V.Gudina, V.N.Neverov, M.R.Popov, S.M.Podgornykh, N.G.Shelushinina, M.V.Uakunin, N.N.Mikhailov, S.A.Dvoretsky // VII Euro-Asian Symp. «Trends in MAGnetism» (EASTMAG-2019), Ekaterinburg (Россия), -8-13 сентября.2019, 2019. – P.94 – Текст: непосредственный.

76) С.В.Гудина. Об экспериментальном определении спинового расщепления Рашбы в асимметричных и симметричных квантовых ямах HgTe с инвертированным зонным спектром / С.В.Гудина, В.Н.Неверов, М.Р.Попов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов // XXIII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), -11-14 марта.2019, Труды симп.-Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета 2019. – P.644 – Текст: непосредственный.

77) S.V.Gudina. Effective mass and g-factor of two-dimensional HgTe Г8-band electrons: Shubnikov-de Haas oscillations / S.V.Gudina, A.S.Bogolubskii, V.N.Neverov, N.G.Shelushinina, M.V.Yakunin, S.M.Podgornykh, N.N.Mikhailov, S.A.Dvoretsky // XXIII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), -11-14 марта.2019, Труды симп.-Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета 2019. – P.556 – Текст: непосредственный.

78) М.Р.Попов. Спин-орбитальное расщепление в гетероструктурах на основе теллурида ртути с энергетическим спектром вблизи точки инверсии зон / М.Р.Попов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов // XX Юбилейная Всеросс. школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-20), Екатеринбург (Россия), -21-29 ноября.2019, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2019. – P.123 – Текст: непосредственный.

79) С.В.Гудина. Активационная проводимость в режиме квантового эффекта Холла в квантовых ямах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, Е.В.Дерюшкина, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 10-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «Мокеровские чтения», Москва (Россия), -15-16 мая.2019, Труды конф.-Москва:НИЯУ МИФИ 2019. – P.11 – Текст: непосредственный.

80) А.П.Савельев. Сопротивление гетероструктур n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в параллельном плоскости структуры магнитном поле: механизмы рассеяния носителей заряда / А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина // XX Юбилейная Всеросс. школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-20), Екатеринбург (Россия), -21-29 ноября.2019, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2019. – P.124 – Текст: непосредственный.

81) К.В.Туруткин. Эффективная масса и g-фактор электронов в гетероструктурах HgTe/CdHgTe: из анализа осцилляции Шубникова – де Гааза / К.В.Туруткин, С.В.Гудина, А.С.Боголюбский, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, С.М.Подгорных, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XX Юбилейная Всеросс. школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-20), Екатеринбург (Россия), -21-29 ноября.2019, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2019. – P.127 – Текст: непосредственный.

82) С.В.Гудина. Вклад от обменного электрон-электронного взаимодействия в проводимость структур InGaAs/GaAs с одиночными и двойными квантовыми ямами / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XIV Российская конференция по физике полупроводников, Новосибирск (Россия), -9-13 сентября.2019, Тез. докл.-М. Издательство Перо 2019. – P.219 – Текст: непосредственный.

83) Е.В.Ильченко. Влияние спин-орбитального взаимодействия на критическое поведение проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAiAs / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXXVIII Совещание по физике низких температур (НТ38), Москва-Ростов-на-Дону-Шепси (Россия), -17-22 сентября.2018, Тез.докл.-Москва-Ростов-на-Дону-Шепси:Фонд науки и образования 2018. – P.94 – Текст: непосредственный.

84) С.В.Гудина. Крупномасштабный примесный потенциал в квантовых ямах теллурида ртути с инвертированной зонной структурой: квантовый эффект Холла / С.В.Гудина, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, М.Р.Попов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов // XXII Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2018), Екатеринбург-Алапаевск (Россия), -19-24 февраля.2018, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2018. – P.88 – Текст: непосредственный.

85) Е.В.Ильченко. Квантовый эффект Холла в системах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs: роль спин-орбитального взаимодействия / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXII Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2018), Екатеринбург-Алапаевск (Россия), -19-24 февраля.2018, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2018. – P.112 – Текст: непосредственный.

86) А.С.Боголюбский. Магнитополевая зависимость эффекта анизотропии сопротивления в продольном поле, в 2D гетероструктурах In-GaAs/GaAs, при различных значениях температуры / А.С.Боголюбский, В.Н.Неверов, С.В.Гудина, М.В.Якунин // XXII Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2018), Екатеринбург-Алапаевск (Россия), -19-24 февраля.2018, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2018. – P.80 – Текст: непосредственный.

87) Ю.Г.Арапов. Квантовый эффект Холла в условиях смешивания уровней Ландау из-за спин-орбитального взаимодействия в нано-структурах n-In0.9Ga0.1As/In0.81Al0.19As / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXII Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2018), Екатеринбург-Алапаевск (Россия), -19-24 февраля.2018, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2018. – P.78 – Текст: непосредственный.

88) С.В.Гудина. Роль спин-орбитального взаимодействия в режиме квантового эффекта Холла в системах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), -12-15 марта.2018, Труды конф.-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского госун-та 2018. – P.576 – Текст: непосредственный.

89) Ю.Г.Арапов. Аномалии квантового эффекта Холла при перекрытии уровней Ландау в структурах n-In0,90Ga0,10As/In0,81Al0,48As с сильным спин-орбитальным взаимодействием / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXXVIII Совещание по физике низких температур (НТ38), Москва-Ростов-на-Дону-Шепси (Россия), -17-22 сентября.2018, Тез.докл.-Москва-Ростов-на-Дону-Шепси:Фонд науки и образования 2018. – P.132 – Текст: непосредственный.

90) М.Р.Попов. Экспериментальное определение спинового расщепления Рашбы в асимметричных квантовых ямах HgTe с инвертированным зонным спектром / М.Р.Попов, В.Н.Неверов, С.В.Гудина, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XIX Всеросс. школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-19), Екатеринбург (Россия), -15-22 ноября.2018, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2018. – P.111 – Текст: непосредственный.

91) А.С.Боголюбский. Эффективные массы дырок в квантовой яме HgTe с инвертированным зонным спектром в модели петли экстремумов / А.С.Боголюбский, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, С.В.Гудина, М.В.Якунин // XIX Всеросс. школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-19), Екатеринбург (Россия), -15-22 ноября.2018, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2018. – P.105 – Текст: непосредственный.

92) Ю.Г.Арапов. Эффекты электрон-электронного взаимодействия в температурной зависимости проводимости одиночной и двойных квантовых ям InGaAs / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XIX Всеросс. школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-19), Екатеринбург (Россия), -15-22 ноября.2018, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2018. – P.112 – Текст: непосредственный.

93) А.Г.Гамзатов. Магнитокалорические свойства вблизи фазового перехода первого рода в манганите Pr0,7Sr0,2Ca0,1MnO3 / А.Г.Гамзатов, А.М.Алиев, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, P.D.H.Yen, S.-C.Yu // XIX Всеросс. школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-19), Екатеринбург (Россия), -15-22 ноября.2018, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2018. – P.83 – Текст: непосредственный.

94) S.V.Gudina. Large-scale impurity potential in the HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect / S.V.Gudina, E.V.Ilchenko, V.N.Neverov, M.R.Popov, S.M.Podgornykh, N.G.Shelushinina, E.G.Novik, M.V.Yakunin, N.N.Mikhailov, S.A.Dvoretsky // 26th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, Minsk (Belarus), -18-22 июня.2018, Тез. не издавались 2018. – P.2 – Текст: непосредственный.

95) Е.В.Ильченко. Ширина полосы делокализованных состояний в режиме квантового эффекта Холла в структурах n-InGaAs/AlInAs со спин-вырожденными уровнями Ландау / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XVIII Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-18), Екатеринбург (Россия), -16-23 ноября.2017, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2017. – P.95 – Текст: непосредственный.

96) М.Р.Попов. Прыжковая проводимость в области плато квантового эффекта Холла для гетероструктуры HgTe/HgCdTe / М.Р.Попов, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», Екатеринбург (Россия), -2-6 октября.2017, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2017. – P.207 – Текст: непосредственный.

97) Е.В.Ильченко. Эффекты локализации в квантующих магнитных полях в квантовых ямах HgTe / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», Екатеринбург (Россия), -2-6 октября.2017, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2017. – P.185 – Текст: непосредственный.

98) Ю.Г.Арапов. Квантовые фазовые переходы в режиме квантового эффекта Холла в системах InGaAs/InAlAs со спин-вырожденными уровнями Ландау / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», Екатеринбург (Россия), -2-6 октября.2017, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2017. – P.165 – Текст: непосредственный.

99) С.В.Гудина. Переходы плато-плато квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», Екатеринбург (Россия), -2-6 октября.2017, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2017. – P.209 – Текст: непосредственный.

100) С.В.Гудина. Критическое поведение проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структуре HgTe/CdHgTe с двойной квантовой ямой / С.В.Гудина, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», Екатеринбург (Россия), -2-6 октября.2017, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2017. – P.174 – Текст: непосредственный.

101) С.В.Гудина. Расходимость длины локализации в режиме квантового эффекта Холла в широких квантовых ямах HgTe / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», Екатеринбург (Россия), -2-6 октября.2017, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2017. – P.198 – Текст: непосредственный.

102) С.В.Гудина. Критическое поведение проводимости в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах с квантовыми ямами на основе теллурида ртути / С.В.Гудина, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // Международная конференция «Фазовые переходы, критические и нелинейные явления в конденсированных средах», Махачкала (Россия), -6-9 сентября.2017, Сб. трудов.-Махачкала:Ин-т физики Дагестанского науч.центра РАН 2017. – P.143 – Текст: непосредственный.

103) S.V.Gudina. Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure / S.V.Gudina, E.V.Ilchenko, V.N.Neverov, E.G.Novik, S.M.Podgornykh, N.G.Shelushinina, M.V.Yakunin, N.N.Mikhailov, S.A.Dvoretsky // 25th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg (Россия), -26-30 июня.2017, Труды конф-St. Petersburg:Acad.Univ.Publ 2017. – P.95 – Текст: непосредственный.

104) С.В.Гудина. Квантовые фазовые переходы в режиме квантового эффекта Холла в системах InGaAs/InAlAs со спин-вырожденными уровнями Ландау / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 8-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «Мокеровские чтения», Москва (Россия), -24 мая.2017, Сб.трудов-Москва:НИЯУ МИФИ 2017. – P.14 – Текст: непосредственный.

105) Ю.Г.Арапов. Эффекты локализации и делокализации в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе HgTe с широкой квантовой ямой / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, М.Р.Попов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // НАУЧНАЯ СЕССИЯ Института физики металлов УрО РАН по итогам 2016 года, Екатеринбург (Россия), -27-30 марта.2017, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2017. – P.22 – Текст: непосредственный.

106) С.В.Гудина. Анализ активационной проводимости в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе теллурида ртути / С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, С.М.Подгорных, М.В.Якунин, E.G.Novik, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XXI Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), -13-16 марта.2017, Матер.конф.-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского ун-та 2017. – P.571 – Текст: непосредственный.

107) С.В.Гудина. Плотность состояний в щели подвижности в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе Hg/Te / С.В.Гудина, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XXI Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), -13-16 марта.2017, Матер.конф.-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского ун-та 2017. – P.569 – Текст: непосредственный.

108) Е.В. Ильченко. Скейлинг проводимости в условиях смешивания уровней Ландау в структурах n-InGaAs/InAlAs с сильным спин-орбитальным взаимодействием / Е.В. Ильченко, С.В. Гудина // XIX Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург (Россия), -27 ноября – 1 декабря.2017, Тез.докл.-Санкт-Петербург:Изд-во Политехнического ун-та 2017. – P.46 – Текст: непосредственный.

109) С.В. Гудина. Квантовый эффект Холла в гетероструктуре HgCdTe/HgTe с инвертированным зонным спектром: от квантового тунне-лирования к классическому протеканию / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.Р. Попов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов // XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2016), Алапаевск (Россия), -15-20 февраля.2016, Тез.докл.-Екатеринбург-Алапаевск:ИФМ УрО РАН 2016. – P.110 – Текст: непосредственный.

110) А.С. Клепикова. Температурная зависимость пиковых значений проводимости в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночной и двой-ной квантовыми ямами / А.С. Клепикова, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.В. Гудина, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2016), Алапаевск (Россия), -15-20 февраля.2016, Тез.докл.-Екатеринбург-Алапаевск:ИФМ УрО РАН 2016. – P.98 – Текст: непосредственный.

111) С.В. Гудина. Универсальность критических индексов в квантовом эффекте Холла в наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, А.П. Савельев, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, И.С. Васильевский, А.Н. Виниченко // XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2016), Алапаевск (Россия), -15-20 февраля.2016, Тез.докл.-Екатеринбург-Алапаевск:ИФМ УрО РАН 2016. – P.124 – Текст: непосредственный.

112) С.В. Гудина. Эффекты квантового туннелирования и классического протекания в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе HgTe с широкой квантовой ямой / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.Р. Попов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов // XV Конференция – школа молодых ученых «Проблемы физики твердого тела и высоких давлений», Вишневка-Сочи (Россия), -16-25 сентября.2016, Тез.докл.-Москва:ФИАН 2016. – P.99 – Текст: непосредственный.

113) А.С.Боголюбский. Влияние ИК освещения в магнитном поле на подвижность и концентрацию носителей заряда в гетероструктурах GaAS/InGaAs/GaAs / А.С.Боголюбский, В.Н.Неверов, С.В.Гудина, А.С.Клепикова // XVII Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-17), Екатеринбург (Россия), -15-22 ноября.2016, Тез.докл-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2016. – P.104 – Текст: непосредственный.

114) Е.В. Ильченко. Активационная проводимость в режиме квантового эффекта Холла в квантовой яме HgTe с инвертированной зонной структурой / Е.В. Ильченко, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // XVII Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-17), Екатеринбург (Россия), -15-22 ноября.2016, Тез.докл-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2016. – P.106 – Текст: непосредственный.

115) А.С. Клепикова. Условия экспериментального наблюдения скейлинговых закономерностей в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночной и двойной квантовой ямой / А.С. Клепикова, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, Ю.Г. Арапов, М.В. Якунин, С.В. Гудина, Б.Н. Звонков // XVII Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-17), Екатеринбург (Россия), -15-22 ноября.2016, Тез.докл-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2016. – P.107 – Текст: непосредственный.

116) С.В. Гудина. Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в метаморфных наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, А.П. Савельев, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, С.М. Подгорных, И.С. Васильевский, А.Н. Виниченко // 7-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «Мокеровские чтения», Москва (Россия), -25 мая.2016, Сб.трудов-Москва:НИЯУ МИФИ 2016. – P.25 – Текст: непосредственный.

117) S.V. Gudina. Scaling behavior and variable-range hopping conductivity in the quantum Hall plateau transition in a n-InGaAs/InAlAs heterostructures / S.V. Gudina, Yu.G. Arapov, A.P. Savelev, V.N. Neverov, N.G. Shelushinina, M.V. Yakunin, I.S. Vasilevskii, A.N. Vinichenko // 24th International Symposium «Nanostructures: Physics and Technology», St. Petersburg (Россия), -27 июня – 1 июля.2016, Тр.конф.-St. Petersburg:St Petersburg Academic Univ. 2016. – P.95 – Текст: непосредственный.

118) S.V. Gudina. Quantum Hall effect and variable-range hopping conductivity in n-InGaAs/InAlAs heterostructures / S.V. Gudina, Yu.G. Arapov, A.P. Savelev, V.N. Neverov, N.G. Shelushinina, M.V. Yakunin, I.S. Vasilevskii, A.N. Vinichenko // VI Euro-Asian Symp. «Trends in Magnetism» (EASTMAG-2016), Krasnoyarsk (Россия), -15-19 августа.2016, Тез.докл.-Красноярск:ИФ СО РАН 2016. – P.217 – Текст: непосредственный.

119) А.С. Клепикова. Переходы плато-плато квантового эффекта Холла в полупроводниковых гетероструктурах на основе арсенида галлия / А.С. Клепикова, Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, А.П. Савельев, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // Научная сессия Института физики металлов УрО РАН по итогам 2015 года, Екатеринбург (Россия), -28 марта – 1 апреля.2016, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2016. – P.20 – Текст: непосредственный.

120) С.В. Гудина. Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, А.П. Савельев, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, И.С. Васильевский, А.Н. Виниченко // XX Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), -14-18 марта.2016, Матер. Конф.-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского ун-та 2016. – P.551 – Текст: непосредственный.

121) М.Р. Попов. Прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах HgTe/CdHgTe / М.Р. Попов, Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, Н.Г. Шелушинина, Г.И. Харус, М.В. Якунин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов // XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2016), Алапаевск (Россия), -15-20 февраля.2016, Тез.докл.-Екатеринбург-Алапаевск:ИФМ УрО РАН 2016. – P.137 – Текст: непосредственный.

122) А.С. Боголюбский. Влияние параллельного плоскости гетероструктуры магнитного поля на ее электросопротивление / А.С. Боголюбский, В.Н. Неверов, С.В. Гудина, М.В. Якунин // XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2016), Алапаевск (Россия), -15-20 февраля.2016, Тез.докл.-Екатеринбург-Алапаевск:ИФМ УрО РАН 2016. – P.122 – Текст: непосредственный.

123) В.Н. Неверов. Влияние шероховатостей гетерограницы на электросопротивление в параллельном плоскости гетероструктуры маг-нитном поле / В.Н. Неверов, А.С. Боголюбский, С.В. Гудина, М.В. Якунин // XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2016), Алапаевск (Россия), -15-20 февраля.2016, Тез.докл.-Екатеринбург-Алапаевск:ИФМ УрО РАН 2016. – P.106 – Текст: непосредственный.

124) А.П. Савельев. Магнитотранспорт в 2D структурах In-GaAs/GaAs в области перехода изолятор – квантовохолловская жидкость / А.П. Савельев, Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2016), Алапаевск (Россия), -15-20 февраля.2016, Тез.докл.-Екатеринбург-Алапаевск:ИФМ УрО РАН 2016. – P.92 – Текст: непосредственный.

125) М.Р. Попов. Эффекты локализации-делокализации в двумерных гетероструктурах на основе HgTe в режиме квантового эффекта Холла / М.Р. Попов, Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов // XVI Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-16), Екатеринбург (Россия), -12-19 ноября.2015, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2015. – P.96 – Текст: непосредственный.

126) Ю.Г. Арапов. Переход изолятор – квантово-холловская жидкость в слабых магнитных полях в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, А.П. Савельев, М.В. Якунин // 11-я летняя межрегиональная школа физиков (ЛМШФ-11), Красноярск-БАМ-Владивосток (Россия), -14 июля – 9 августа.2015 – Текст: непосредственный.

127) А.П. Савельев. Особенности квантового магнитотранспорта в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs в области перехода изолятор – квантово-холловская жидкость / А.П. Савельев, Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.В. Якунин // XVI Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-16), Екатеринбург (Россия), -12-19 ноября.2015, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2015. – P.97 – Текст: непосредственный.

128) В.Н. Неверов. Связь анизотропии сопротивления в продольном магнитном поле и силы тока / В.Н. Неверов, С.В. Гудина, А.С. Боголюбский, М.В. Якунин // XVI Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-16), Екатеринбург (Россия), -12-19 ноября.2015, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2015. – P.82 – Текст: непосредственный.

129) А.С. Клепикова. Температурная зависимость пиковых значений проводимости в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с двойной квантовой ямой после освещения инфракрасным светом / А.С. Клепикова, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, М.В. Якунин // XVI Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-16), Екатеринбург (Россия), -12-19 ноября.2015, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2015. – P.87 – Текст: непосредственный.

130) Ю.Г.Арапов. Температурный скейлинг в квантовом эффекте Холла в квантовой яме HgTe с инвертированным энергетическим спектром / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, М.Р.Попов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XII российская конференция по физике полупроводников (Полупроводники-2015), Звенигород (Россия), -21-25 сентября.2015, Тез.докл.-Ершово:Физ.ин-т им.П.Н.Лебедева РАН 2015. – P.261 – Текст: непосредственный.

131) Ю.Г.Арапов. Эффекты 2D-локализации в режиме квантового эффекта Холла в широких квантовых ямах HgTe / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, М.Р.Попов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов // XII российская конференция по физике полупроводников (Полупроводники-2015), Звенигород (Россия), -21-25 сентября.2015, Тез.докл.-Ершово:Физ.ин-т им.П.Н.Лебедева РАН 2015. – P.249 – Текст: непосредственный.

132) А.С.Клепикова. Скейлинг в наноструктуре InGaAs/GaAs с двойной квантовой ямой в режиме квантового эффекта Холла / А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Ю.Г.Арапов, М.В.Якунин, С.В.Гудина // XII российская конференция по физике полупроводников (Полупроводники-2015), Звенигород (Россия), -21-25 сентября.2015, Тез.докл.-Ершово:Физ.ин-т им.П.Н.Лебедева РАН 2015. – P.183 – Текст: непосредственный.

133) Yu.G.Arapov. 2D-Localization and Delocalization Effects in Quantum Hall Effect Regime in HgTe Wide Quantum Wells / Yu.G.Arapov, S.V.Gudina, V.N.Neverov, S.M.Podgornykh, M.R.Popov, N.G.Shelushinina, G.I.Harus, M.V.Yakunin, S.A.Dvoretsky, N.N.Mikhailov // 17 International Conference on II-VI Compounds and Related Materials или 17 International Conference on II-VI Compounds and Related Materials (II-VI-2015), Paris (France), -13-18 сентября.2015, Тез.докл.-Paris,France:Org.com 2015. – P.324 – Текст: непосредственный.

134) Ю.Г. Арапов. Прыжковая проводимость в области плато квантового эффекта Холла в квантовых ямах HgTe / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.Р. Попов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, C.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов // Международная конференция «XXXVII Совещание по физике низких температур« (НТ-37), Казань (Россия), -29 июня-3 июля.2015, Тез.докл.-Казань:Казанский ун-т. 2015. – P.195 – Текст: непосредственный.

135) В.Н. Неверов. Анизотропия электросопротивления в зависимости от направления тока в параллельном плоскости гетероструктуры магнитном поле / В.Н. Неверов, С.В. Гудина, А.С. Боголюбский, М.В. Якунин // Международная конференция «XXXVII Совещание по физике низких температур« (НТ-37), Казань (Россия), -29 июня-3 июля.2015, Тез.докл.-Казань:Казанский ун-т. 2015. – P.161 – Текст: непосредственный.

136) А.С.Клепикова. Скейлинг в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой после подсветки инфракрасным светом / А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, М.В.Якунин // Международная конференция «XXXVII Совещание по физике низких температур« (НТ-37), Казань (Россия), -29 июня-3 июля.2015, Тез.докл.-Казань:Казанский ун-т. 2015. – P.208 – Текст: непосредственный.

137) Ю.Г.Арапов. Токовый скейлинг и универсальность критических индексов в квантовом эффекте Холла в наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, А.П.Савельев, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Винниченко // XIX Международный сипозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), -10-14 марта.2015, Труды.- Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского ун-та 2015. – P.469 – Текст: непосредственный.

138) Ю.Г.Арапов. Квантовый эффект Холла в гетероструктурах на основе теллурида ртути с инвертированным энергетическим спектром / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, М.Р.Попов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XIX Международный сипозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), -10-14 марта.2015, Труды.- Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского ун-та 2015. – P.628 – Текст: непосредственный.

139) В.Н.Неверов. Анизотропия электросопротивления в зависимости от направления тока в параллельном плоскости гетероструктуры магнитном поле / В.Н.Неверов, С.В.Гудина, А.С.Боголюбский, М.В.Якунин // XIX Международный сипозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), -10-14 марта.2015, Труды.- Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского ун-та 2015. – P.593 – Текст: непосредственный.

140) А.П.Савельев. Изменения энергетической структуры двойной квантовой ямы n-InGaAs/GaAs с наклоном магнитного поля / А.П.Савельев, М.В.Якунин, С.М.Подгорных, С.В.Гудина // XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS 2014), Новоуральск (Россия), -17-22 февраля.2014, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2014. – P.118 – Текст: непосредственный.

141) Yu.G.Arapov. Quantum Phase Transitions in the Quantum Hall Regime for a Double Quantum Well Nanostructure / Yu.G.Arapov, S.V.Gudina, A.S.Klepikova, V.N.Neverov, G.I.Harus, N.G.Shelushinina, M.V.Yakunin // 32-nd International Conference on the Physics of Semiconductors, Austin,Texas (USA), -10-15 августа.2014, Прогр.конф..-Austin,Texas,USA:org.com. 2014. – P.9 – Текст: непосредственный.

142) М.Р.Попов. Квантовый эффект Холла в гетероструктурах на основе теллурида ртути / М.Р.Попов, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XV Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-15), Екатеринбург (Россия), -13-20 ноября.2014, Тез.докл.-Екатеринбург: 2014. – P.103 – Текст: непосредственный.

143) Ю.Г.Арапов. Квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs до и после инфракрасного освещения / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, А.П.Савельев, М.В.Якунин // XV Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-15), Екатеринбург (Россия), -13-20 ноября.2014, Тез.докл.-Екатеринбург: 2014. – P.209 – Текст: непосредственный.

144) А.С.Боголюбский. Особенности сопротивления в параллельном плоскости гетероструктуры магнитном поле / А.С.Боголюбский, В.Н.Неверов, С.В.Гудина, А.С.Клепикова // XV Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-15), Екатеринбург (Россия), -13-20 ноября.2014, Тез.докл.-Екатеринбург: 2014. – P.92 – Текст: непосредственный.

145) А.С.Клепикова. Скейлинг в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой / А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, М.В.Якунин // XV Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-15), Екатеринбург (Россия), -13-20 ноября.2014, Тез.докл.-Екатеринбург: 2014. – P.96 – Текст: непосредственный.

146) Yu.G.Arapov. Electron-electron interaction and universality of quantum Hall effect plateau-plateau transitions / Yu.G.Arapov, S.V.Gudina, A.S.Klepikova, V.N.Neverov, N.G.Shelushinina, G.I.Harus, M.V.Yakunin // 22 International Symposium «Nanostructures:Physics and Technology», S.Petersburg,Russia (Россия), -23-27 июня.2014, Тр.конф.-St.Peterburg:Academic Univ.Publ. 2014. – P.33 – Текст: непосредственный.

147) Ю.Г.Арапов. Скейлинг в режиме целочисленного квантового эффекта Холла в квазидвумерных наноструктурах n-InGaAS/GaAS с двойными квантовыми ямами / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Г.И.Харус, М.В.Якунин // Научная сессия Института физики металлов УрО РАН, Екатеринбург (Россия), -31 марта-4 апреля.2014, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2014. – P.64 – Текст: непосредственный.

148) Ю.Г.Арапов. Скейлинг и универсальность критических индексов в квантовом эффекте Холла и наноструктурах n-InGaAs/GaAS с двойными сильно-связанными квантовыми ямами / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XVIII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), -10-14 марта.2014, Труды симпозиума.-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского гос.ун-та 2014. – P.440 – Текст: непосредственный.

149) Yu.G.Arapov. Scaling in Quantum Hall Plateau-Plateau Transition for a Double Quantum well Nanostricture / Yu.G.Arapov, S.V.Gudina, A.S.Klepikova, V.N.Neverov, G.I.Harus, N.G.Shelushinina, M.V.Yakunin // XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS 2014), Новоуральск (Россия), -17-22 февраля.2014, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2014. – P.88 – Текст: непосредственный.

150) А.С.Клепикова. Температурная зависимость ширины перехода плато-плато квантового эффекта Холла в ультраквантовой области магнитных полей / А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, Д.С.Петухов, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Г.И.Харус // XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS 2014), Новоуральск (Россия), -17-22 февраля.2014, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2014. – P.116 – Текст: непосредственный.

151) Yu.G.Arapov. Scaling in the quantum Hall regime for a double quantum well nanostructure in high magnetic field / Yu.G.Arapov, S.V.Gudina, A.S.Klepikova, V.N.Neverov, S.G.Novokshonov, T.B.Charikova, G.I.Harus, M.v.Yakunin, N.G.Shelushinina // V Euro-Asian Symposium «Trends in MAGnetism:Nanomagnetism»(EASTMAG-2013), Vladivostok (Russia), -15-21 сентября.2013, Тез.докл.-Владивосток: 2013. – P.286 – Текст: непосредственный.

152) Ю.Г.Арапов. Аномальная зависимость эффекта Холла в структурах с двойной квантовой ямой в параллельных магнитных полях / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XI Российская конференция по физике полупроводников (Полупроводники-2013), С.-Петербург (Россия), -16-20 сентября.2013, Тез.докл.-С.-Петербург:ФТИ 2013. – P.266 – Текст: непосредственный.

153) Ю.Г.Арапов. Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs с двойными сильно-связанными квантовыми ямами / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.Г.Новокшонов, С.М.Подгорных, А.П.Савельев, М.В.Якунин // XI Российская конференция по физике полупроводников (Полупроводники-2013), С.-Петербург (Россия), -16-20 сентября.2013, Тез.докл.-С.-Петербург:ФТИ 2013. – P.232 – Текст: непосредственный.

154) Ю.Г.Арапов. Скейдлинг в режиме квантового эффекта Холла в структурах с двойной квантовой ямой / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, С.Г.Новокшонов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XI Российская конференция по физике полупроводников (Полупроводники-2013), С.-Петербург (Россия), -16-20 сентября.2013, Тез.докл.-С.-Петербург:ФТИ 2013. – P.252 – Текст: непосредственный.

155) А.С.Клепикова. Скейлинг в режиме целочисленного квантового эффекта Холла в гетероструктурах с двойной квантовой ямой / А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XIV Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-14), Екатеринбург (Россия), -20-26 ноября.2013, Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2013. – P.85 – Текст: непосредственный.

156) Ю.Г.Арапов. Электрон-электронное рассеяние в квазидвумерных структурах n-InGaAs/GaAs с двойными сильно связанными квантовыми ямами / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, М.В.Якунин, Б.Н.Звонков // XVII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), -11-15 марта.2013, Тр.симп.-Н.Новгород:Ин-т физики микроструктур 2013. – P.416 – Текст: непосредственный.

157) Ю.Г.Арапов. Аномальное поведение коэффициента Холла в гетероструктурах p-Ge/Ge1-xSix в слабых магнитных полях / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, А.С.Клепикова, О.А.Кузнецов, А.Т.Лончаков, В.Н.Неверов // XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Новоуральск (Россия), -20-25 февраля.2012, Сб.тез.:Екатеринбург-Новоуральск:УрО РАН 2012. – P.110 – Текст: непосредственный.

158) Ю.Г.Арапов. Температурная зависимость квантового времени жизнив структурах n-InGaAS/GaAS с двойными сильно-связанными квантовыми ямами / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных , М.В.Якунин // XIII Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-13), Екатеринбург (Россия), -7-14 ноября.2012, Тез.докл./Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2012. – P.102 – Текст: непосредственный.

159) А.С.Клепикова. Скейлинг в гетероструктурах n-InGaAS/GaAs в режиме квантового эффекта Холла / А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, С.В.Гудина, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XIII Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-13), Екатеринбург (Россия), -7-14 ноября.2012, Тез.докл./Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2012. – P.106 – Текст: непосредственный.

160) Ю.Г.Арапов. Неупругое электрон-электронное рассеяние в структурах n-InGaAs/GaAS с двойными сильно-сязанными квантами / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, М.В.Якунин // XXXVI Международная конференция «Совещание по физике низких температур», С.-Петербург (Россия), -2-6 июля.2012, Тез.докл./С.-Петербург:ФТИ им.А.Ф.Иоффе 2012. – P.223 – Текст: непосредственный.

161) А.С.Клепикова. Влияние характера рассеивающего потенциала на делокализованные состояния в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs / А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, С.В.Гудина, М.В.Якунин // XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Новоуральск (Россия), -20-25 февраля.2012, Сб.тез.:Екатеринбург-Новоуральск:УрО РАН 2012. – P.100 – Текст: непосредственный.

162) Ю.Г.Арапов. Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAS/GaAS с двумя сильносвязанными квантовыми ямами / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, М.В.Якунин // XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Новоуральск (Россия), -20-25 февраля.2012, Сб.тез.:Екатеринбург-Новоуральск:УрО РАН 2012. – P.104 – Текст: непосредственный.

163) Ю.Г.Арапов. Электрон-электронное рассеяние в структурах n-InGaAs/GaAS с двойными сильно-связанными квантовыми ямами / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, М.В.Якунин // XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Новоуральск (Россия), -20-25 февраля.2012, Сб.тез.:Екатеринбург-Новоуральск:УрО РАН 2012. – P.106 – Текст: непосредственный.

164) Ю.Г.Арапов. Проводимость по подзонам симметричных и антисимметричных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильносвязанными квантовыми ямами / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, М.В.Якунин, С.М.Подгорных, Б.Н.Звонков // X Российская конференция по физике полупроводников, Нижний Новгород (Россия), -19-23 сентября.2011, Тез.докл.:Н.Новгород:Нижегородский гос.ун-т 2011. – P.76 – Текст: непосредственный.

165) Ю.Г.Арапов. Особенности проводимости в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильносвязанными квантовыми ямами, освещённых ИК-излучением / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, М.В.Якунин, С.М.Подгорных, Б.Н.Звонков // XII Всероссийская молодёжная школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-12), Екатеринбург (Россия), -14-20 ноября.2011, Тез.докл.:Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2011. – P.70 – Текст: непосредственный.

166) С.В.Гудина. Зависимость ширины полосы делокализованных состояний от темпетартуры в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs / С.В.Гудина, А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, М.В.Якунин // XII Всероссийская молодёжная школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-12), Екатеринбург (Россия), -14-20 ноября.2011, Тез.докл.:Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2011. – P.73 – Текст: непосредственный.

167) Ю.Г.Арапов. Переход металл-диэлектрик в квазидвумерном электронном газе в n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Г.И.Харус, М.В.Якунин // XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Новоуральск (Россия), -15-20 февраля.2010, Тез.докл. Екатеринбург:ИФМ УрО РАН 2010. – P.120 – Текст: непосредственный.

168) С.В.Гудина. Осцилляции Шубникова-де Гааза в гетероструктуре n-InxGa1-xAs/GaAs / С.В.Гудина, А.С.Клепикова, В.Н.Неверов // XI Всероссийская молодёжная школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния (СПФКС-XI), Екатеринбург (Россия), -15-21 ноября.2010, Тез.докл.Екатеринбург:УрО РАН 2010. – P.98 – Текст: непосредственный.

169) Ю.Г. Арапов. Квантовые поправки к магнитосопротивлению гетероструктур p-Ge/Ge1-хSiх / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина // XVI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, UIWSPS-2006, Екатеринбург-Кыштым (), -2.2006, 2006. – P. – Текст: непосредственный.

170) Ю.Г. Арапов. Влияние заселенности подзоны антисимметричных состояний в двойной квантовой яме на квантовые поправки к продольной и холловской проводимости GaAs/n-InGaAs/GaAs наноструктур / Ю.Г. Арапов, М.В. Якунин, С.В. Гудина, И.В. Карсканов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, С.М. Подгорных, Б.Н. Звонков // 34-е совещание по физике низких температур (НТ-34), Ростов-на-Дону (), -9.2006, 2006. – P. – Текст: непосредственный.

171) Yu.G. Arapov. Transport properties of 2D-electron gas in InGaAs/GaAs DQW in a vicinity of low-magnetic-field-induced Hall insulator-quantum Hall liquid transition / Yu.G. Arapov, M.V. Yakunin, S.V. Gudina, G.I. Harus, V.N. Neverov, N.G. Shelushinina, S.M. Podgornykh, B.N. Zvonkov, E.A. Uskova // 28th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS-28), Austria, Vienna (), -7.2006, 2006. – P. – Текст: непосредственный.

172) Ю.Г. Арапов. Особенности перехода от слабой локализации к режиму квантового эффекта Холла в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, С.М. Подгорных, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова // X Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (), -3.2006, 2006. – P. – Текст: непосредственный.

173) М.А. Гигс. Квантовый эффект Холла в гетероструктурах p-Ge/Ge1-xSix с низкой подвижностью дырок / М.А. Гигс, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // VI Молодежный семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества, Екатеринбург, Россия (), -28 .11 - 4.12, 2005.2005, 2005. – P. – Текст: непосредственный.

174) Ю.Г.Арапов. Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гтероструктур p-Ge/GeSi / Ю.Г.Арапов, С.В. Гудина, В.Н.Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина // 7-я Российская конференция по физике полупроводников, Москва (), -18-23 .09, 2005.2005, 2005. – P. – Текст: непосредственный.

175) Ю.Г.Арапов. Квантовые поправки к продольной и холловской проводимости 2D-электронного газа в двойных квантовых ямах GaAs/n-In xGa1-xAs в области перехода от диффузионного к баллистическому режиму / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, С.М.Подгорных, Б.Н.Звонков, Е.А.Ускова // Симпозиум ??Нанофизика и наноэлектроника??, Нижний Новгород, Россия (), -25 - 29 .03, 2005.2005, 2005. – P. – Текст: непосредственный.

176) Ю.Г. Арапов. Транспортные свойства 2D-электронного газа в InGaAs/GaAs DQW в окрестности перехода ??холловский изолятор??-??квантовая жидкость?? / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, Г.И. Харус, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, С.М. Подгорных, Е.А. Ускова, Б.Н. Звонков // 13-й Международный симпозиум ??Наноструктуры: физика и технология??, С.-Петербург, Россия (), -.2005, 2005. – P. – Текст: непосредственный.

177) Yu.G.Arapov. Transport properties of 2D-electron gas in InGaAs/GaAs DQW in a vicinity of the Hall insulator-quantum Hall liquid transition / Yu.G.Arapov, S.V.Gudina, G.I..Harus, V.N.Neverov, N.G.Shelushinina, M.V.Yakunin, S.M.Podgornykh, E.A..Uskova, B.N.Zvonkov // 13th International Symposium ??Nanostructures: Physics and Technology??, St-Petersburg,Russia (), -June, 2005.2005, 2005. – P. – Текст: непосредственный.

178) И.В.Карсканов. Разделение вкладов электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge1-хSix / И.В.Карсканов, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // VI Молодежный семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества, Екатеринбург, Россия (), -28 .11 - 4.12, 2005.2005, 2005. – P. – Текст: непосредственный.

Наукометрические данные ИФМ УрО РАН по состоянию на 25.06.2025 г.
	WoS	РИНЦ
Всего статей	-	20481
Индекс Хирша	-	126
Цитируемость
суммарно	-	187598
на статью	-	9,16

Адрес:	620108, г. Екатеринбург,
	ул. Софьи Ковалевской, 18
	Фактические индексы: 620077, 620066
Email:	physics@imp.uran.ru
Телефон:	(343) 374-02-30
Факс:	(343) 374-52-44
Схема проезда

Вы здесь