Говоркова Татьяна Евгеньевна
Кандидат физико-математических наук
Старший научный сотрудник (Лаборатория полупроводников и полуметаллов)
Контактная информация:
Тел.: 378-37-90,
внутренний тел.: 37-90
Корпус А, комната 350б
Электронный адрес: Govorkova@imp.uran.ru
Наукометрические данные (по состоянию на 20.08.2024г):
Web of Science: h-index - 7; Sum of the Times Cited - 149
Scopus: h-index - 8; Sum of the Times Cited - 201
РИНЦ (SCIENCE INDEX): Индекс Хирша - 10; Цитируемость - 295
Личные страницы автора в системах: WoS, Scopus ID, ORCID, РИНЦ, База публикаций ИФМ
Кандидатская диссертация: Эффекты гибридизации электронных состояний примесей переходных металлов в низкотемпературных свойствах селенида ртути (2010)
Статьи
1) Intrinsic ferromagnetism in Hg1-xFexSe (0.00012 ≤ x ≤ 0.0013) diluted magnetic semiconductor bulk single crystals at room temperature: Role of hybridization of impurity electronic states / T.E. Govorkova1, V.I. Okulov1, E.A. Pamyatnykh0, A.A. Vaulin1, V.S. Gaviko1, V.T. Surikov0. – Текст: непосредственный // Results in Physics. — 2024. — V. 56 – No. 1. — P. 107307—107315.
2) Критическая толщина и напряжения слоев HgTe на подложках HgxCd1−xTe / С.А. Дворецкий0, Н.Н. Михайлов0, Р.В. Меньщиков0, В.И. Окулов1, Т.Е. Говоркова1. – Текст: непосредственный // Физика твёрдого тела. — 2024. — V. 66 – No. 2. — P. 206—212.
3) Critical thickness and stresses of HgTe layers on HgxCd1−xTe substrates / S.A. Dvoretsky0, N.N. Mikhailov0, R.V. Menshikov0, V.I. Okulov1, T.E. Govorkova1. – Текст: непосредственный // Physics of the Solid State. — 2024. — V. 66 – No. 2. — P. 197—202.
Доклады
1) Т.Е.Говоркова. Высокотемпературный ферромагнетизм нового типа в разбавленных магнитных полупроводниках: роль гибридизации примесных электронных состояний / Т.Е.Говоркова, В.И.Окулов, А.А.Ваулин, В.С.Гавико, В.Т.Суриков // XVI Росс. конф. по физике полупроводников, Россия (Санкт-Петербург), 07.10-11.10.2024, ISBN 978-5-93634-074-5, Тезисы докладов, СПб.: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, 2024. – P.238 – Текст: непосредственный.
2) С.А.Дворецкий. Критическая толщина и напряжения слоев HgTe на подложках (013)Cd1-xHgxTe/ZnTe/GaAs / С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов, Р.В.Меньщиков, В.И.Окулов, Т.Е.Говоркова, Е.А.Кравцов, В.О.Васьковский // XXVIII Межд. симп. «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), 11.03-15.03.2024 – Текст: непосредственный.
3) С.А.Дворецкий. Критическая толщина и напряжения слоев HgTe на подложках (013) HgxCd1-xTe/ZnTe/GaAs / С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов, Р.В.Меньщиков, В.И.Окулов, Т.Е.Говоркова // XXV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2024), Екатеринбург (Россия), 12.02-17.02.2024, Тезисы докладов, Екатеринбург, ИФМ УрО РАН, 2024, ISBN 978-5-6045774-9-3. – P.206 – Текст: непосредственный.