Говоркова Татьяна Евгеньевна
Кандидат физико-математических наук
Старший научный сотрудник (Лаборатория полупроводников и полуметаллов)
Контактная информация:
Тел.: 378-37-90,
внутренний тел.: 37-90
Корпус А, комната 350б
Электронный адрес: Govorkova@imp.uran.ru
Наукометрические данные (по состоянию на 15.04.2022г):
Web of Science: h-index - 7; Sum of the Times Cited - 149
Scopus: h-index - 8; Sum of the Times Cited - 201
РИНЦ (SCIENCE INDEX): Индекс Хирша - 10; Цитируемость - 295
Личные страницы автора в системах: WoS, Scopus ID, ORCID, РИНЦ, База публикаций ИФМ
Кандидатская диссертация: Эффекты гибридизации электронных состояний примесей переходных металлов в низкотемпературных свойствах селенида ртути (2010)
Статьи
1) Intrinsic ferromagnetism in Hg1-xFexSe (0.00012 ≤ x ≤ 0.0013) diluted magnetic semiconductor bulk single crystals at room temperature: Role of hybridization of impurity electronic states / T.E. Govorkova1, V.I. Okulov1, E.A. Pamyatnykh0, A.A. Vaulin1, V.S. Gaviko1, V.T. Surikov0. – Текст: непосредственный // Results in Physics. — 2024. — V. 56. — P. 107307—107315.
2) Критическая толщина и напряжения слоев HgTe на подложках HgxCd1−xTe / С.А. Дворецкий0, Н.Н. Михайлов0, Р.В. Меньщиков0, В.И. Окулов1, Т.Е. Говоркова1. – Текст: непосредственный // Физика твёрдого тела. — 2024. — V. 66. — P. 206—212.
3) Peculiarities of Magnetic Oscillations in HgSe Monocrystal with Co Impurities of Low Concentration (<1 at %) / A.I.Veinger0, I.V.Kochman0, V.I.Okulov1, T.E.Govorkova1. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2023. — V. 57. — P. 423—429.
Доклады
1) С.А.Дворецкий. Критическая толщина и напряжения слоев HgTe на подложках (013)Cd1-xHgxTe/ZnTe/GaAs [Текст] / С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов, Р.В.Меньщиков, В.И.Окулов, Т.Е.Говоркова, Е.А.Кравцов, В.О.Васьковский // XXVIII Межд. симп. «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 15.03.2024, ISBN: Труды, Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2024, ISBN 978-5-8048-0124-4.- 0 c.
2) В.А.Голяшов. Топологическая инверсия зон в HgSe: поверхностные и объемные состояния из фотоэмиссии и расчетов из первых принципов [Текст] / В.А.Голяшов, С.Б.Бобин, Кумар Н., Т.Е.Говоркова, А.Т.Лончаков, Е.Р.Закиров, С.В.Еремеев, А.В.Тарасов, Д.А.Естюнин, И.И.Климовских, А.М.Шикин, О.Е.Терещенко // XXV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2024), Екатеринбург, 17.02.2024, ISBN: Тезисы докладов, Екатеринбург, ИФМ УрО РАН, 2024, ISBN 978-5-6045774-9-3.- 190 c.
3) С.А.Дворецкий. Критическая толщина и напряжения слоев HgTe на подложках (013) HgxCd1-xTe/ZnTe/GaAs [Текст] / С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов, Р.В.Меньщиков, В.И.Окулов, Т.Е.Говоркова // XXV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2024), Екатеринбург, 17.02.2024, ISBN: Тезисы докладов, Екатеринбург, ИФМ УрО РАН, 2024, ISBN 978-5-6045774-9-3.- 206 c.