Арапов Юрий Григорьевич

Кандидат физико-математических наук

Старший научный сотрудник (Лаборатория полупроводников и полуметаллов)

Контактная информация:
Тел.: 378-35-77,
внутренний тел.: 35-77
Корпус А, комната 301
Электронный адрес: arapov@imp.uran.ru

Наукометрические данные (по состоянию на 15.04.2022г):
Web of Science: h-index - 9; Sum of the Times Cited - 279
Scopus: h-index - 8; Sum of the Times Cited - 233
РИНЦ (SCIENCE INDEX): Индекс Хирша - 10; Цитируемость - 429
Личные страницы автора в системах: WoS, Scopus ID, ORCID, РИНЦ, База публикаций ИФМ

Кандидатская диссертация: Акцепторные состояния и особенности гальваномагнитных явлений в бесщелевых полупроводниках Hg1-xCdxTe (1982)

Статьи

1) Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures / A. P. Savelyev¹, Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, V. N. Neverov¹, S. M. Podgornykh¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2021. — V. 47. — P. 18—23.

2) Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures / A. P. Savelyev¹, Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, V. N. Neverov¹, S. M. Podgornykh¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2021. — V. 47. — P. 14—19.

3) HgTe quantum wells with inverted band structure: Quantum Hall effect and the large-scale impurity potential / S. V. Gudina¹, Yu. G. Arapov¹, V. N. Neverov¹, S. M. Podgornykh¹, M. R. Popov¹, E. V. Deriushkina¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹, N. N. Mikhailov⁰, S. A. Dvoretsky⁰. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2019. — V. 45. — P. 412—418.

Показать еще статьи

4) HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential / S.V. Gudina¹, Yu.G. Arapov¹, V.N. Neverov¹, S.M. Podgornykh¹, M.R. Popov¹, E.V. Deriushkina⁰, N.G. Shelushinina¹, M.V. Yakunin¹, N.N. Mikhailov⁰, S.A. Dvoretsky⁰. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2019. — V. 45. — P. 476—483.

5) Quantum Hall transitions in the presence of Landau levels mixing in n-InGaAs/InAlAs structures / S V Gudina¹, Yu G Arapov¹, E V Ilchenko¹, V N Neverov¹, A P Savelyev¹, S M Podgornykh¹, N G Shelushinina¹, M V Yakunin¹, I S Vasil'evskii⁰, A N Vinichenko⁰. – Текст: непосредственный // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. — 2019. — V. 475. — P. 12029—12036.

6) К вопросу об универсальности критических индексов в режиме квантового эффекта Холла / Ю.Г. Арапов¹, С.В. Гудина¹, Е.В. Дерюшкина¹, Н.Г. Шелушинина¹, М.В. Якунин¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2019. — V. 45. — P. 210—218.

7) On the issue of universality of critical exponents in the quantum Hall effect mode / Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, E. V. Deryushkina¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin². – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2019. — V. 45. — P. 181—188.

8) Effect of exchange electron-electron interaction on conductivity of InGaAs single and double quantum wells / Gudina S.V.¹, Arapov Y.G.¹, Neverov V.N.¹, Savelyev A.P.¹, Podgornykh S.M.², Shelushinina N.G.¹, Yakunin M.V.². – Текст: непосредственный // Physica E. — 2019. — V. 113. — P. 14—20.

9) Неуниверсальное скейлинговое поведение ширины пиков проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs / Гудина С.В.¹, Арапов Ю.Г.¹, Ильченко Е.В.¹, Неверов В.Н.¹, Савельев А.П.¹, Подгорных С.М.², Шелушинина Н.Г.¹, Якунин М.В.², Васильевский И.С.⁰, Виниченко А.Н.⁰. – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2018. — V. 52. — P. 1447—1455.

10) К вопросу о природе перехода в фазу квантового эффекта Холла / Савельев А.П.¹, Арапов Ю.Г.¹, Гудина С.В.¹, Шелушинина Н.Г.¹, Якунин М.В.¹. – Текст: непосредственный // Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований. — 2018. — V. -. — P. 209—216.

11) Nonuniversal Scaling Behavior of Conductivity Peak Widths in the Quantum Hall Effect in InGaAs/InAlAs Structures / S. V. Gudina¹, Yu. G. Arapov¹, E. I. Ilchenko¹, V. N. Neverov¹, A. P. Savelyev¹, S. M. Podgornykh², N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin², I. S. Vasil’evskii⁰, A. N. Vinichenko⁰. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2018. — V. 52. — P. 1551—1558.

12) Условия экспериментального наблюдения критического поведения продольного и холловского сопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе арсенида галлия и индия / А.С. Клепикова¹, Ю.Г. Арапов¹, С.В. Гудина¹, В.Н. Неверов¹, Г.И. Харус¹, Н.Г. Шелушинина¹, М.В. Якунин¹, Б.Н. Звонков¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2017. — V. 43. — P. 596—604.

13) Conditions for experimental observation of the critical behavior of the longitudinal and Hall resistance in the quantum Hall regime in gallium and indium arsenide-based heterostructures / A. S. Klepikova¹, Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, V. N. Neverov¹, G. I. Harus¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹, B.N. Zvonkov¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2017. — V. 43. — P. 478—484.

14) Insulator-quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures / A. P. Savelyev¹, S. V. Gudina¹, Yu. G. Arapov¹, V. N. Neverov¹, S. M. Podgonykh¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2017. — V. 43. — P. 491—494.

15) Quantum Hall effect in n-InGaAs/InAlAs metamorphic nanoheterostructures with high InAs content / Svetlana Gudina¹, Yurii Arapov¹, Alexander Savelyev¹, Vladimir Neverov¹, Sergey Podgornykh¹, Nina Shelushinina¹, Michail Yakunin¹, Krzysztof Rogacki¹, Ivan Vasil'evskii¹, Alexander Vinichenko¹. – Текст: непосредственный // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. — 2017. — V. 440. — P. 10—12.

16) The Temperature Dependence of the Conductivity Peak Values in the Single and the Double Quantum Well Nanostructures n-InGaAs/GaAs After IR-illumination / Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, A. S. Klepikova¹, V. N. Neverov¹, G. I. Harus¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2017. — V. 51. — P. 281—281.

17) The Temperature Dependence of the Conductivity Peak Values in the Single and the Double Quantum Well Nanostructures n-InGaAs/GaAs After IR-illumination / Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, A. S. Klepikova¹, V. N. Neverov¹, G. I. Harus¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2017. — V. 51. — P. 272—278.

18) Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs / А.П. Савельев¹, С.В. Гудина¹, Ю.Г. Арапов¹, В.Н. Неверов¹, С.М. Подгорных¹, М.В. Якунин¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2017. — V. 43. — P. 612—617.

19) 2D-localization and delocalization effects in quantum Hall regime in HgTe wide quantum wells / Svetlana V. Gudina¹, Yurii G. Arapov¹, Vladimir N. Neverov¹, Sergey M. Podgornykh¹, Mikhail R. Popov¹, Nina G. Shelushinina¹, Mikhail V. Yakunin¹, Sergey A. Dvoretsky¹, Nikolay N. Mikhailov¹. – Текст: непосредственный // Physica Status Solidi C. — 2016. — V. 13. — P. 473—476.

20) Quantum Hall Effect and Hopping Conductivity in n-InGaAs/InAlAs Nanoheterostructures / S. V. Gudina¹, Yu. G. Arapov¹, A. P. Saveliev¹, V. N. Neverov¹, S. M. Podgornykh¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹, I. S. Vasil’evskii¹, A. N. Vinichenko¹. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2016. — V. 50. — P. 1641—1646.

21) Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs / С.В. Гудина¹, Ю.Г. Арапов¹, А.П. Савельев¹, В.Н. Неверов¹, С.М. Подгорных¹, Н.Г. Шелушинина¹, М.В. Якунин¹, И.С. Васильевский¹, А.Н. Виниченко¹. – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2016. — V. 50. — P. 1669—1675.

22) Variable-Range Hopping Conductivity in Quantum Hall Regime for HgTe-Based Heterostructure / Arapov Y.G.¹, Gudina S.V.¹, Neverov V.N.¹, Podgornykh S.M.¹, Popov M.R.¹, Harus G.I.¹, Shelushinina N.G.¹, Yakunin M.V.¹, Dvoretsky S.A.¹, Mikhailov N.N.¹. – Текст: непосредственный // Journal of Low Temperature Physics. — 2016. — V. 185. — P. 665—672.

23) Electron-electron interaction and the universality of critical indices for quantum Hall effect plateau-plateau transitions in n-InGaAs/GaAs nanostructures with double quantum wells / Arapov Y.G.¹, Gudina S.V.¹, Klepikova A.S.¹, Neverov V.N.¹, Shelushinina N.G.¹, Yakunin M.V.¹. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2015. — V. 49. — P. 181—186.

24) Temperature scaling in the quantum-Hall-effect regime in a HgTe quantum well with an inverted energy spectrum / Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, V. N. Neverov¹, S. M. Podgornykh¹, M. R. Popov¹, G. I. Harus¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹, N. N. Mikhailov¹, S. A. Dvoretsky¹. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2015. — V. 49. — P. 1545—1549.

25) ПЕРЕХОД ИЗОЛЯТОР – КВАНТОВО-ХОЛЛОВСКАЯ ЖИДКОСТЬ В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ N-INGAAS/GAAS / Савельев А.П.¹, Арапов Ю.Г.¹, Гудина С.В.¹, Неверов В.Н.¹, Подгорных С.М.¹, Якунин М.В.¹. – Текст: непосредственный // Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований. — 2015. — V. 12. — P. 439—443.

26) Температурный скейлинг в квантовом эффекте Холла в квантовой яме HgTe с инвертированным энергетическим спектром / Ю.Г. Арапов¹, С.В. Гудина¹, В.Н. Неверов¹, С.М. Подгорных¹, М.Р. Попов¹, Г.И. Харус¹, Н.Г. Шелушинина¹, М.В. Якунин¹, Н.Н. Михайлов¹, С.А. Дворецкий¹. – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2015. — V. 49. — P. 1593—1597.

27) Электрон-электронное взаимодействие и универсальность критических индексов для переходов между плато квантового эффекта Холла в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами / Ю.Г. Арапов¹, С.В. Гудина¹, А.С. Клепикова¹, В.Н. Неверов¹, Н.Г. Шелушинина¹, М.В. Якунин¹. – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2015. — V. 49. — P. 186—191.

28) Quantum magnetotransport in n-InGaAs/GaAs structures with electron density changes caused by infrared radiation / Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, V. N. Neverov¹, S. M. Podgornykh¹, A. P. Saveliev¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2015. — V. 41. — P. 221—232.

29) Quantum Hall plateau-plateau transitions in n-InGaAs/GaAs heterostructures before and after IR illumination / Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, A. S. Klepikova¹, V. N. Neverov¹, G. I. Harus¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2015. — V. 41. — P. 106—109.

30) Квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs при изменении концентрации электронов под воздействием инфракрасного излучения / Ю.Г. Арапов¹, С.В. Гудина¹, В.Н. Неверов¹, С.М. Подгорных¹, А.П. Савельев¹, М.В. Якунин¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2015. — V. 41. — P. 289—303.

31) Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки / Ю.Г. Арапов¹, С.В. Гудина¹, А.С. Клепикова¹, В.Н. Неверов¹, Г.И. Харус¹, Н.Г. Шелушинина¹, М.В. Якунин¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2015. — V. 41. — P. 139—146.

32) Scaling in the Quantum Hall Regime for a Double Quantum Well Nanostructure in High Magnetic Field / Yurii G. Arapov¹, Svetlana V. Gudina¹, Anna S. Klepikova¹, Vladimir N. Neverov¹, Sergey G. Novokshonov¹, Vsevolod I. Okulov¹, Tatiana B. Charikova¹, German I. Harus¹, Nina G. Shelushinina¹, Mikhail V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Sol. Stat. Phenomena. — 2014. — V. 215. — P. 208—213.

33) Эффекты туннелирования в наклонных магнитных полях в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно-связанными квантовыми ямами / Ю.Г. Арапов¹, С.В. Гудина¹, А.С. Клепикова¹, В.Н. Неверов¹, С.М. Подгорных¹, М.В. Якунин¹, Б.Н. Звонков.¹. – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2013. — V. 47. — P. 1457—1461.

34) Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами / Ю.Г. Арапов¹, С.В. Гудина¹, В.Н. Неверов¹, С.М. Подгорных¹, М.В. Якунин¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2013. — V. 39. — P. 58—65.

35) Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла / Ю.Г. Арапов¹, С.В. Гудина¹, В.Н. Неверов¹, С.Г. Новокшонов¹, А.С. Клепикова¹, Г.И. Харус¹, Н.Г. Шелушинина¹, М.В. Якунин¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2013. — V. 39. — P. 66—75.

36) Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами / С.В. Гудина¹, Ю.Г. Арапов¹, В.Н. Неверов¹, С.М. Подгорных¹, М.В. Якунин¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2013. — V. 39. — P. 481—485.

37) Temperature dependence of quantum lifetime in n-InGaAs/GaAs structures with strongly coupled double quantum wells / Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, V. N. Neverov¹, S. M. Podgornykh¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2013. — V. 39. — P. 43—49.

38) Temperature dependence of the bandwidth of delocalized states for n-InGaAs/GaAs in the quantum Hall effect regime / Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, V. N. Neverov¹, S. G. Novokshonov¹, A. S. Klepikova¹, G. I. Kharus¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2013. — V. 39. — P. 50—57.

39) The effect of infrared radiation on quantum magnetotransport in n-InGaAs/GaAs with two strongly coupled quantum wells / S. V. Gudina¹, Yu. G. Arapov¹, V. N. Neverov¹, S. M. Podgornykh¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2013. — V. 39. — P. 374—373.

40) Tunneling effects in tilted magnetic fields in n-InGaAs/GaAs structures with strongly coupled double quantum wells / Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, A. S. Klepikova¹, V. N. Neverov¹, S. M. Podgornykh¹, M. V. Yakunin¹, B. N. Zvonkov¹. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2013. — V. 47. — P. 1447—1451.

41) СКЕЙЛИНГ В РЕЖИМЕ КВАНТОВОГО ЭФФЕКТА ХОЛЛА В НАНОСТРУКТУРАХ n- InGaAs/GaAs / Арапов Ю.Г.¹, Гудина С.В.¹, Клепикова А.С.¹, Неверов В.Н.¹, Новокшонов С.Г.¹, Харус Г.И.¹, Шелушинина Н.Г.¹, Якунин М.В.¹. – Текст: непосредственный // Журнал экспериментальной и теоретической физики. — 2013. — V. 144. — P. 166—175.

42) Scaling in the quantum Hall effect regime in n-InGaAs/GaAs nanostructures / Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, A. S. Klepikova¹, V. N. Neverov¹, S. G. Novokshonov¹, G. I. Kharus¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Journal Of Experimental And Theoretical Physics. — 2013. — V. 117. — P. 144—152.

43) Magnetotransport in two-dimensional n-InGaAs/GaAs double-quantum-well structures near the transition from the insulator to the quantum Hall effect regime / Yu. G. Arapov¹, I. V. Karskanov¹, G. I. Harus¹, V. N. Neverov¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2009. — V. 35. — P. 32—43.

44) Spectrum of Landau levels of a double quantum well in an inclined magnetic field / Yu. G. Arapov¹, V. N. Neverov¹, G. I. Harus¹, N. G. Shelushinina¹, M. Ya. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2009. — V. 35. — P. 133—136.

45) Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла / Ю.Г. Арапов¹, И.В. Карсканов¹, В.Н. Неверов¹, Г.И. Харус¹, Н.Г. Шелушинина¹, М.В. Якунин¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2009. — V. 35. — P. 44—58.

46) Спектр уровней Ландау двойной квантовой ямы в наклонном магнитном поле / Ю.Г. Арапов¹, В.Н. Неверов¹, Г.И. Харус¹, Н.Г. Шелушинина¹, М.В. Якунин¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2009. — V. 35. — P. 177—182.

47) Effect of impurity potential range on a scaling behavior in the quantum Hall regime / Yu.G. Arapov¹, G.I. Harus¹, I.V. Karskanov¹, V.N. Neverov _¹, N.G. Shelushinina¹, M.V. Yakunin¹. – Текст: непосредственный // Physica B. — 2009. — V. 404. — P. 5192—5195.

48) Transport properties of 2D-electron gas in the InGaAs/GaAs DQW in a vicinity of the Hall insulator - quantum Hall liquid transition / Yu.G.Arapov¹, S.V.Gudina¹, G.I.Harus¹, V.N.Neverov¹, N.G.Shelushinina¹, M.V.Yakunin¹, S.M.Podgornyh¹, B.N.Zvonkov¹. – Текст: непосредственный // International journal of Nanoscience. — 2007. — V. 6. — P. 173—177.

49) Spin Effects in the n-InxGa1−xAs/GaAs Double Quantum Well Magnetoresistance Under Tilted Magnetic Fields / M. V. Yakunin¹, Yu. G. Arapov¹, V. N. Neverov¹, S. M. Podgornyh¹, N. G. Shelushinina¹, G. I. Harus¹, B. N. Zvonkov¹, E. A. Uskova¹. – Текст: непосредственный // AIP Conference Proceedings. — 2007. — V. 893. — P. 631—632.

50) Quantum Hall effect in p-Ge/Ge1-xSix heterostructures with low hole mobility / Arapov Yu.G.¹, Harus G.I.¹, Karskanov I.V.¹, Neverov V.N.¹, Shelushinina N.G.¹, Yakunin M.V.¹, Kuznetsov O.A.¹, Ponomarenko L.¹, de Visser A.¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2007. — V. 33. — P. 207—210.

51) Transport Properties of 2D-Electron Gas in a InGaAs/GaAs DQW in a Vicinity of Low Magnetic-Field-Induced Insulator-Quantum Hall Liquid Transition / Yu. G. Arapov¹, M. V. Yakunin¹, S. V. Gudina¹, G. I. Harus¹, V. N. Neverov¹, N. G. Shelushinina¹, S. M. Podgornyh¹, E. A. Uskova¹, B. N. Zvonkov¹. – Текст: непосредственный // AIP Conference Proceedings. — 2007. — V. 893. — P. 647—648.

52) Contributions of the electron–electron interaction and weak localization to the conductance of p-Ge/Ge1−xSix heterostructures / Yu. G. Arapov¹, S. V. Gudina¹, I. V. Karskanov¹, V. N. Neverov¹, G. I. Harus¹, N. G. Shelushinina¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2007. — V. 33. — P. 160—164.

53) Features of quantum effects in two-dimensional GaAs/n-InGaAs/GaAs structures with double quantum wells / Yu. G. Arapov¹, M. V. Yakunin¹, S. V. Gudina¹, I. V. Karskanov¹, V. N. Neverov¹, G. I. Harus¹, N. G. Shelushinina¹, S. M. Podgornykh¹, B. N. Zvonkov¹, E. A. Uskova¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2007. — V. 33. — P. 156—159.

54) Quantum magnetotransport in an n-InxGa1−xAs/GaAs double quantum well in tilted magnetic fields / M. V. Yakunin¹, Yu. G. Arapov¹, V. N. Neverov¹, S. M. Podgornykh¹, G. I. Kharus¹, N. G. Shelushinina¹, B. N. Zvonkov¹, E. A. Uskova¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2007. — V. 33. — P. 151—155.

55) Transport properties of two-dimensional hole gas in a Ge1−xSix/Ge/Ge1−xSix quantum well in a vicinity of metal-insulator transition / Yu.G. Arapov¹, V.N. Neverov¹, G.I. Harus¹, N.G. Shelushinina¹, M.V. Yakunin¹, S.V. Gudina¹, I.V. Karskanov¹, O.A. Kuznetsov¹, A. de Visser¹, L. Ponomarenko¹. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2007. — V. 41. — P. 1315—1322.

56) Transport properties of two-dimensional hole gas in a Ge1−xSix/Ge/Ge1−xSix quantum well in a vicinity of metal-insulator transition / Yu.G. Arapov¹, V.N. Neverov¹, G.I. Harus¹, N.G. Shelushinina¹, M.V. Yakunin¹, S.V. Gudina¹, I.V. Karskanov¹, O.A. Kuznetsov¹, A. de Visser¹, L. Ponomarenko¹. – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2007. — V. 41. — P. 1333—1340.

57) Stereoscopic oscillations of the InxGa1-xAs/GaAs double quantum well magnetoresistance under tilted magnetic fields / M.V. Yakunin¹, Yu.G. Arapov¹, V.N. Neverov¹, S.M. Podgornyh¹, N.G. Shelushinina¹, G.I. Harus¹, B.N. Zvonkov¹, E.A. Uskova¹. – Текст: непосредственный // International Journal of Modern Physics B. — 2007. — V. 21. — P. 1399—1403.

58) Quantum Hall effect in p-Ge/Ge1-xSix heterostructures with low hole mobility / Yu.G. Arapov¹, G.I. Harus¹, I.V.Karskanov¹, V.N. Neverov¹, N.G. Shelushinina¹, M.V. Yakunin¹, O.A.Kuznetsov¹, L.Ponomarenko¹, A. de Visser¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2007. — V. 33. — P. 147—150.

59) Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge1-xSix / Арапов Ю.Г.¹, Гудина С.В.¹, Карсканов И.В.¹, Неверов В.Н.¹, Харус Г.И.¹, Шелушинина Н.Г.¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2007. — V. 33. — P. 222—227.

60) Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs с двойными квантовыми ямами / Арапов Ю.Г.¹, Якунин М.В.¹, Гудина С.В.¹, Карсканов И.В.¹, Неверов В.Н.¹, Харус Г.И.¹, Шелушинина Н.Г.¹, Подгорных С.М.¹, Звонков Б.Н.¹, Ускова Е.А.¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2007. — V. 33. — P. 217—221.

61) Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa1-xAs/GaAs в наклонных магнитных полях / Якунин М.В.¹, Арапов Ю.Г.¹, Неверов В.Н.¹, Подгорных С.М.¹, Харус Г.И.¹, Шелушинина Н.Г.¹, Звонков Б.Н.¹, Ускова Е.А.¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2007. — V. 33. — P. 211—216.

62) Spin effects in magnetoresistance induced in an n-In(x)Ga(1-x)As/GaAs double quantum well by a parallel magnetic field / M.V.Yakunin¹, G.A.Al'shanskii¹, Yu.G.Arapov¹, V.N.Neverov¹, G.I.Kharus¹, N.G.Shelushinina¹, B.N.Zvonkov¹, E.A.Uskova¹, A.de Visser¹, L.Ponomarenko¹. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2005. — V. 39. — P. 107—112.

63) Спиновые эффекты в индуцированном параллельным магнитным полем магнитосопротивлении двойной квантовой ямы n-In(x)Ga(1-x)As/GaAs / Якунин М.В.¹, Альшанский Г.А.¹, Арапов Ю.Г.¹, Неверов В.Н.¹, Харус Г.И.¹, Шелушинина Н.Г.¹, Звонков Б.Н.¹, Ускова Е.А.¹, де Виссер А.¹, Пономаренко Л.¹. – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2005. — V. 39. — P. 118—123.

64) Исследование размерно-квантованной валентной зоны Ge в потенциальной яме Ge(1-x)/Ge/Ge(1-x)Si(x) с помощью гальваномагнитных эффектов / Якунин М.В.¹, Альшанский Г.А.¹, Арапов Ю.Г.¹, Неверов В.Н.¹, Харус Г.И.¹, Шелушинина Н.Г.¹, Кузнецов О.А.¹, де Виссер А.¹, Пономаренко Л.¹. – Текст: непосредственный // Физика твёрдого тела. — 2005. — V. 47. — P. 50—53.

65) Galvanomagnetic study of the quantum-well valence band of germanium in the Ge(1-x)Si(x)/Ge/Ge(1-x)Si(x) potential well / M.V.Yakunin¹, G.A.Al'shanskii¹, Yu.G.Arapov¹, V.N.Neverov¹, G.I.Harus¹, N.G.Shelushinina¹, O.A.Kuznetsov¹, A.de Visser¹, L.Ponomarenko¹. – Текст: непосредственный // Physics of the Solid State. — 2005. — V. 47. — P. 49—53.

66) Multi-valence-subband magnetotransport in a modulation-doped p-type Ge1-xSix/Ge/Ge1-xSix quantum well / M. V. Yakunin¹, G. A. Alshanskii¹, V. N. Neverov¹, Yu. G. Arapov¹, G. I. Harus¹, N. G. Shelushinina¹, O. A. Kuznetsov¹, A. de Visser¹, L Ponomarenko.¹. – Текст: непосредственный // International Journal of Modern Physics B. — 2004. — V. 18. — P. 3641—3640.

67) Magnetotransport probing of the quality of the heterointerfaces and degree Magnetotransport probing of the quality of the heterointerfaces and degree of symmetry of the potential profile of quantum wells in the valence band of the Ge1-xSix/Ge/Ge1-xSix heterosystem / 15.M.V.Yakunin¹, G. A. Alshanskii¹, Yu.G. Arapov¹, V. N. Neverov¹, G.I. Harus¹, N.G. Shelushinina¹, O.A. Kuznetsov¹, A. de Visser¹, L. Ponomarenko¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2004. — V. 30. — P. 853—857.

68) Nonmonotonic temperature dependence of the resistivity of p-Ge/Ge1-xSix in the region of the metal-insulator transition / 14.Yu.G.Arapov¹, G. I. Harus¹, N. G. Shelushinina¹, M.V. Yakunin¹, V.N. Neverov¹, O.A. Kuznetsov¹, L. Ponomarenko¹, A. de Visser¹. – Текст: непосредственный // Low temperature physics. — 2004. — V. 30. — P. 867—870.

69) Magnetotransport probing of quality of the interfaces of quantum wells in the valence band of Ge1-xSix/Ge/Ge1-xSix heterostructures and the symmetry of their potential profile / M. V. Yakunin¹, G. A. Alshanskii¹, Yu. G. Arapov¹, V. N. Neverov¹, G. I. Harus¹, N. G. Shelushinina¹, O. A. Kuznetsov¹, A. de Visser¹, L. Ponomarenko¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2004. — V. 30. — P. 1139—1145.

70) Parallel magnetic field induced magnetoresistance peculiarities of the double quantum well filled with electrons or holes / M. V. Yakunin¹, G. A. Alshanskii¹, Yu. G. Arapov¹, G. I. Harus¹, V. N. Neverov¹, N. G. Shelushinina¹, O. A. Kuznetsov¹, B. N. Zvonkov¹, E. A. Uskova¹, L. Ponomarenko¹, A. de Visser¹. – Текст: непосредственный // Physica E. — 2004. — V. 22. — P. 68—71.

71) Nonmonotonic temperature dependence of p-Ge/GeSi heterostructure resistance at insulator-metal transition / Yu. G. Arapov¹, V. N. Neverov¹, G. I. Harus¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹, O. A. Kuznetsov¹, L. Ponomarenko¹, A. De Visser¹. – Текст: непосредственный // Физика низких температур. — 2004. — V. 30. — P. 1157—1161.

72) Особенности индуцированного параллельным магнитным полем магнитосопротивления двойной квантовой ямы, содержащей электронный или дырочный газ / М. В. Якунин¹, Г. А. Альшанский¹, Ю. Г. Арапов¹, В. Н. Неверов¹, Н. Г. Шелушинина¹, Г. И. Харус¹, О. А. Кузнецов¹, Е. А. Ускова¹, А. де Виссер¹, Л. Пономаренко¹. – Текст: непосредственный // Известия Российской Академии наук. Серия физическая. — 2004. — V. 68. — P. 35—38.

73) Reconstruction of the 2D hole gas spectrum for selectively doped p-Ge/GeSi heterostructures / Yu. G. Arapov¹, G. I. Harus¹, V. N. Neverov¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹, O. A. Kuznetsov¹. – Текст: непосредственный // Журнал экспериментальной и теоретической физики. — 2003. — V. 123. — P. 137—148.

74) Определение щелей подвижности и плотности локализованных состояний дырок для гетероструктур p-Ge/GeSi в режиме квантового эффекта Холла / Ю. Г. Арапов¹, Г. И. Харус¹, В. Н. Неверов¹, Н. Г. Шелушинина¹, М. В. Якунин¹, О. А. Кузнецов¹. – Текст: непосредственный // Физика и техника полупроводников. — 2002. — V. 36. — P. 550—557.

75) Магнитосопротивление квантовой ямы pGeSi/Ge/pGeSi в параллельном магнитном поле / М. В. Якунин¹, Г. А. Альшанский¹, Ю. Г. Арапов¹, О. А. Кузнецов¹, В. Н. Неверов¹. – Текст: непосредственный // Известия Российской Академии наук. Серия физическая. — 2002. — V. 66. — P. 183—186.

76) The key role of smooth impurity potential in formation of hole spectrum for p-Ge/GeSi heterostructures in the quantum Hall regime / Yu. G. Arapov¹, G. A. Alshanskii¹, G. I. Harus¹, V. N. Neverov¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹, O. A. Kuznetsov¹. – Текст: непосредственный // Nanotechnology. — 2002. — V. 13. — P. 86—93.

77) Квантовые гальваномагнитные явления в системе двух взаимосвязанных двумерных слоев дырок в широкой потенциальной яме pGeSix/Ge/pGeSi / М. В. Якунин¹, Г. А. Альшанский¹, Ю. Г. Арапов¹, В. Н. Неверов¹, О. А. Кузнецов¹. – Текст: непосредственный // Известия Российской Академии наук. Серия физическая. — 2001. — V. 65. — P. 207—210.

78) Probing the p-GeSi/Ge/p-GeSi quantum well by means of quantum Hall effect. / Yu. G. Arapov¹, G. I. Harus¹, V. N. Neverov¹, N. G. Shelushinina¹, M. V. Yakunin¹, G. A. Alshanskii¹, O. A. Kuznetsov¹. – Текст: непосредственный // Nanotechnology. — 2000. — V. 11. — P. 351—358.

Доклады

1) S.V.Gudina. Critical behavior of conductivity in the quantum Hall effect regime under large-scale impurity potential [Текст] / S.V.Gudina, Yu.G.Arapov, V.N.Neverov, N.G.Shelushinina // XXXIX Fortov Intern. Conf. on Equations of State for Matter (ELBRUS 2024), Elbrus, Kabardino-Balkaria, 06.03.2024, ISBN: 0.- 0 c.

2) В.Н.Неверов. Температурная зависимость величины сбоя фазы для одиночных и двойных гетеропереходов в квантовых фазовых переходах плато-плато КЭХ [Текст] / В.Н.Неверов, С.В.Гудина, Н.Г.Шелушинина, Ю.Г.Арапов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин // XXVIII Межд. симп. «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 15.03.2024, ISBN: Труды, Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2024, ISBN 978-5-8048-0124-4.- 754 c.

3) С.В.Гудина. Исследование механизмов рассеяния в двойных квантовых ямах InGaAs/GaAs в параллельном магнитном поле [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, А.Н.Титов, Т.В.Кузнецова // XXVIII Межд. симп. «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 15.03.2024, ISBN: Труды, Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2024, ISBN 978-5-8048-0124-4.- 625 c.

Показать еще доклады

4) С.В.Гудина. Магнитосопротивление в двойных квантовых ямах InGaAs/GaAs в параллельном магнитном поле: исследование механизмов рассеяния [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XXV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2024), Екатеринбург, 17.02.2024, ISBN: Тезисы докладов, Екатеринбург, ИФМ УрО РАН, 2024, ISBN 978-5-6045774-9-3.- 135 c.

5) С.В.Гудина. Критическое поведение проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs: крупномасштабный примесный потенциал [Текст] / С.В.Гудина, А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, К.В.Туруткин, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 14-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ», Москва, 25.05.2023, ISBN: 978-5-7262-2958-4, Сборник трудов, М.: НИЯУ МИФИ, 2023.- 15 c.

6) А.П.Савельев. Исследование механизмов рассеяния в двойных квантовых ямах InGaAs/GaAs в параллельном магнитном поле [Текст] / А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XXIV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2022), Екатеринбург, 14-19 февраля, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 164 c.

7) В.Н.Неверов. Механизмы сбоя фазы для одиночных и двойных гетеропереходов в квантовых фазовых переходах плато-плато КЭХ [Текст] / В.Н.Неверов, С.В.Гудина, Н.Г.Шелушинина, Ю.Г.Арапов, А.С.Боголюбский, А.С.Клепикова, К.В.Туруткин, М.В.Якунин // XV Российская конференция по физике полупроводников, Нижний Новгород, 3-7 октября, ISBN: Тез.докл.-Нижний Новгород:Орг.ком..- 154 c.

8) С.В.Гудина. Эффективный g-фактор в квантовых ямах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.С.Сандаков, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // Международный семинар «Фазовые переходы и неоднородные состояния в оксидах» International Workshop PTISO22, Казань, 4-8 июля, ISBN: Тез.докл.-Казань:Орг.ком..- 84 c.

9) С.В.Гудина. Слабая локализация и время фазовой когерентности в структурах InGaAs/GaAs с двойными сильно-связанными квантовыми ямами [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Б.Н.Звонков // 13-я Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения», Москва, 25-26 мая, ISBN: Сб.трудов-Москва:НИЯУ МИФИ.- 58 c.

10) С.В.Гудина. Квантовое время жизни и электрон-электронное взаимодействие в структурах InGaAs/GaAs с двойными сильно-связанными квантовыми ямами [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Б.Н.Звонков // XXV Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 9-12 марта, ISBN: Труды симпозиума-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского ун-та.- 626 c.

11) С.В.Гудина. Квантовый эффект Холла в квантовых ямах InGaAs: активационная проводимость [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, К.В.Туруткин, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // Международная конференция «Фазовые переходы, критические и нелинейные явления в конденсированных средах», XIV Межд. семинар молодых ученых «Магнитные фазовые переходы» \rnull, Махачкала, 12-17 сентября, ISBN: Тез.не изд..- 294 c.

12) С.В.Гудина. Электрон-электронное взаимодействие в структурах InGaAs/GaAs [Текст] / С.В.Гудина, А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // 2-я Конференция «Физика Конденсированных Состояний», посвященная 90-летию со дня рождения акад. Ю.А. Осипьяна\rnull, Черноголовка, 31 мая – 4 июня, ISBN: Тез.докл.-Черноголовка:ИФТТ РАН.- 13 c.

13) С.В.Гудина. Крупномасштабный примесный потенциал в структурах InGaAs/InAlAs: квантовый эффект Холла [Текст] / С.В.Гудина, А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 12-я Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения» \rnull, Москва, 19-20 мая, ISBN: Сб.трудов.- М.: НИЯУ МИФИ.- 55 c.

14) А.П.Савельев. Крупномасштабный примесный потенциал в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs [Текст] / А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина // XXI Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-21)\rnull, Екатеринбург, 18-25 марта, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 172 c.

15) С.В.Гудина. Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах InGaAs/GaAs с двойными сильно-связанными квантовыми ямами [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Б.Н.Звонков // 11-я Межд. Научно-практич. конф. по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения» \rnull, Москва, 28 октября , ISBN: Сборник трудов. М.: НИЯУ МИФИ.- 11 c.

16) С.В.Гудина. Интерференционный вклад от обменного электрон-электронного взаимодействия в проводимость гетероструктур InGaAs/GaAS [Текст] / С.В.Гудина, А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Б.Н.Звонков // XXIV Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» , Нижний Новгород, 10-13 марта , ISBN: "Труды симпозиума.-Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета".- 543 c.

17) С.В.Гудина. Эффекты обменного взаимодействия в проводимости гетероструктур InGaAs/GaAs [Текст] / С.В.Гудина, А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Б.Н.Звонков // XXIII Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2020)\rnull, Екатеринбург-Алапаевск, 17-22 февраля , ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург, Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН.- 66 c.

18) А.П.Савельев. Сопротивление гетероструктур n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в параллельном плоскости структуры магнитном поле: механизмы рассеяния носителей заряда [Текст] / А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина // XX Юбилейная Всеросс. школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-20), Екатеринбург, 21-29 ноября, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 124 c.

19) С.В.Гудина. Вклад от обменного электрон-электронного взаимодействия в проводимость структур InGaAs/GaAs с одиночными и двойными квантовыми ямами [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XIV Российская конференция по физике полупроводников, Новосибирск, 9-13 сентября, ISBN: Тез. докл.-М. Издательство Перо.- 219 c.

20) С.В.Гудина. Активационная проводимость в режиме квантового эффекта Холла в квантовых ямах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, Е.В.Дерюшкина, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 10-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «Мокеровские чтения», Москва, 15-16 мая, ISBN: Труды конф.-Москва:НИЯУ МИФИ.- 11 c.

21) Ю.Г.Арапов. Эффекты электрон-электронного взаимодействия в температурной зависимости проводимости одиночной и двойных квантовых ям InGaAs [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XIX Всеросс. школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-19), Екатеринбург, 15-22 ноября, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 112 c.

22) Ю.Г.Арапов. Аномалии квантового эффекта Холла при перекрытии уровней Ландау в структурах n-In0,90Ga0,10As/In0,81Al0,48As с сильным спин-орбитальным взаимодействием [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXXVIII Совещание по физике низких температур (НТ38), Москва-Ростов-на-Дону-Шепси, 17-22 сентября, ISBN: Тез.докл.-Москва-Ростов-на-Дону-Шепси:Фонд науки и образования.- 132 c.

23) Е.В.Ильченко. Влияние спин-орбитального взаимодействия на критическое поведение проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAiAs [Текст] / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXXVIII Совещание по физике низких температур (НТ38), Москва-Ростов-на-Дону-Шепси, 17-22 сентября, ISBN: Тез.докл.-Москва-Ростов-на-Дону-Шепси:Фонд науки и образования.- 94 c.

24) С.В.Гудина. Роль спин-орбитального взаимодействия в режиме квантового эффекта Холла в системах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 12-15 марта, ISBN: Труды конф.-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского госун-та.- 576 c.

25) Ю.Г.Арапов. Квантовый эффект Холла в условиях смешивания уровней Ландау из-за спин-орбитального взаимодействия в нано-структурах n-In0.9Ga0.1As/In0.81Al0.19As [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXII Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2018), Екатеринбург-Алапаевск, 19-24 февраля, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 78 c.

26) Е.В.Ильченко. Квантовый эффект Холла в системах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs: роль спин-орбитального взаимодействия [Текст] / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXII Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2018), Екатеринбург-Алапаевск, 19-24 февраля, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 112 c.

27) Ю.Г.Арапов. Эффекты локализации и делокализации в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе HgTe с широкой квантовой ямой [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, М.Р.Попов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // НАУЧНАЯ СЕССИЯ Института физики металлов УрО РАН по итогам 2016 года, Екатеринбург, 27-30 марта, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 22 c.

28) Е.В.Ильченко. Ширина полосы делокализованных состояний в режиме квантового эффекта Холла в структурах n-InGaAs/AlInAs со спин-вырожденными уровнями Ландау [Текст] / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XVIII Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-18), Екатеринбург, 16-23 ноября, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 95 c.

29) М.Р.Попов. Прыжковая проводимость в области плато квантового эффекта Холла для гетероструктуры HgTe/HgCdTe [Текст] / М.Р.Попов, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», Екатеринбург, 2-6 октября, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 207 c.

30) Е.В.Ильченко. Эффекты локализации в квантующих магнитных полях в квантовых ямах HgTe [Текст] / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», Екатеринбург, 2-6 октября, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 185 c.

31) Ю.Г.Арапов. Квантовые фазовые переходы в режиме квантового эффекта Холла в системах InGaAs/InAlAs со спин-вырожденными уровнями Ландау [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», Екатеринбург, 2-6 октября, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 165 c.

32) С.В.Гудина. Переходы плато-плато квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», Екатеринбург, 2-6 октября, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 209 c.

33) С.В.Гудина. Расходимость длины локализации в режиме квантового эффекта Холла в широких квантовых ямах HgTe [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», Екатеринбург, 2-6 октября, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 198 c.

34) С.В.Гудина. Квантовые фазовые переходы в режиме квантового эффекта Холла в системах InGaAs/InAlAs со спин-вырожденными уровнями Ландау [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 8-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «Мокеровские чтения», Москва, 24 мая, ISBN: Сб.трудов-Москва:НИЯУ МИФИ.- 14 c.

35) С.В. Гудина. Эффекты квантового туннелирования и классического протекания в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе HgTe с широкой квантовой ямой [Текст] / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.Р. Попов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов // XV Конференция – школа молодых ученых «Проблемы физики твердого тела и высоких давлений», Вишневка-Сочи, 16-25 сентября, ISBN: Тез.докл.-Москва:ФИАН.- 99 c.

36) А.С. Клепикова. Условия экспериментального наблюдения скейлинговых закономерностей в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночной и двойной квантовой ямой [Текст] / А.С. Клепикова, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, Ю.Г. Арапов, М.В. Якунин, С.В. Гудина, Б.Н. Звонков // XVII Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-17), Екатеринбург, 15-22 ноября, ISBN: Тез.докл-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 107 c.

37) С.В. Гудина. Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в метаморфных наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs [Текст] / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, А.П. Савельев, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, С.М. Подгорных, И.С. Васильевский, А.Н. Виниченко // 7-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «Мокеровские чтения», Москва, 25 мая, ISBN: Сб.трудов-Москва:НИЯУ МИФИ.- 25 c.

38) S.V. Gudina. Scaling behavior and variable-range hopping conductivity in the quantum Hall plateau transition in a n-InGaAs/InAlAs heterostructures [Текст] / S.V. Gudina, Yu.G. Arapov, A.P. Savelev, V.N. Neverov, N.G. Shelushinina, M.V. Yakunin, I.S. Vasilevskii, A.N. Vinichenko // 24th International Symposium «Nanostructures: Physics and Technology», St. Petersburg, 27 июня – 1 июля, ISBN: Тр.конф.-St. Petersburg:St Petersburg Academic Univ..- 95 c.

39) S.V. Gudina. Quantum Hall effect and variable-range hopping conductivity in n-InGaAs/InAlAs heterostructures [Текст] / S.V. Gudina, Yu.G. Arapov, A.P. Savelev, V.N. Neverov, N.G. Shelushinina, M.V. Yakunin, I.S. Vasilevskii, A.N. Vinichenko // VI Euro-Asian Symp. «Trends in Magnetism» (EASTMAG-2016), Krasnoyarsk, 15-19 августа, ISBN: Тез.докл.-Красноярск:ИФ СО РАН.- 217 c.

40) А.С. Клепикова. Переходы плато-плато квантового эффекта Холла в полупроводниковых гетероструктурах на основе арсенида галлия [Текст] / А.С. Клепикова, Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, А.П. Савельев, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // Научная сессия Института физики металлов УрО РАН по итогам 2015 года, Екатеринбург, 28 марта – 1 апреля, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 20 c.

41) С.В. Гудина. Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs [Текст] / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, А.П. Савельев, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, И.С. Васильевский, А.Н. Виниченко // XX Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 14-18 марта, ISBN: Матер. Конф.-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского ун-та.- 551 c.

42) М.Р. Попов. Прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах HgTe/CdHgTe [Текст] / М.Р. Попов, Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, Н.Г. Шелушинина, Г.И. Харус, М.В. Якунин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов // XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2016), Алапаевск, 15-20 февраля, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург-Алапаевск:ИФМ УрО РАН.- 137 c.

43) А.П. Савельев. Магнитотранспорт в 2D структурах In-GaAs/GaAs в области перехода изолятор – квантовохолловская жидкость [Текст] / А.П. Савельев, Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2016), Алапаевск, 15-20 февраля, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург-Алапаевск:ИФМ УрО РАН.- 92 c.

44) С.В. Гудина. Квантовый эффект Холла в гетероструктуре HgCdTe/HgTe с инвертированным зонным спектром: от квантового тунне-лирования к классическому протеканию [Текст] / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.Р. Попов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов // XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2016), Алапаевск, 15-20 февраля, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург-Алапаевск:ИФМ УрО РАН.- 110 c.

45) С.В. Гудина. Универсальность критических индексов в квантовом эффекте Холла в наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs [Текст] / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, А.П. Савельев, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, И.С. Васильевский, А.Н. Виниченко // XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2016), Алапаевск, 15-20 февраля, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург-Алапаевск:ИФМ УрО РАН.- 124 c.

46) А.С. Клепикова. Температурная зависимость пиковых значений проводимости в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночной и двой-ной квантовыми ямами [Текст] / А.С. Клепикова, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.В. Гудина, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2016), Алапаевск, 15-20 февраля, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург-Алапаевск:ИФМ УрО РАН.- 98 c.

47) Ю.Г. Арапов. Переход изолятор – квантово-холловская жидкость в слабых магнитных полях в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs [Текст] / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, А.П. Савельев, М.В. Якунин // 11-я летняя межрегиональная школа физиков (ЛМШФ-11), Красноярск-БАМ-Владивосток, 14 июля – 9 августа, ISBN: Тез.не изд..- 0 c.

48) М.Р. Попов. Эффекты локализации-делокализации в двумерных гетероструктурах на основе HgTe в режиме квантового эффекта Холла [Текст] / М.Р. Попов, Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов // XVI Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-16), Екатеринбург, 12-19 ноября, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 96 c.

49) А.П. Савельев. Особенности квантового магнитотранспорта в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs в области перехода изолятор – квантово-холловская жидкость [Текст] / А.П. Савельев, Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.В. Якунин // XVI Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-16), Екатеринбург, 12-19 ноября, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 97 c.

50) А.С. Клепикова. Температурная зависимость пиковых значений проводимости в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с двойной квантовой ямой после освещения инфракрасным светом [Текст] / А.С. Клепикова, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, М.В. Якунин // XVI Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-16), Екатеринбург, 12-19 ноября, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 87 c.

51) Ю.Г.Арапов. Температурный скейлинг в квантовом эффекте Холла в квантовой яме HgTe с инвертированным энергетическим спектром [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, М.Р.Попов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XII российская конференция по физике полупроводников (Полупроводники-2015), Звенигород, 21-25 сентября, ISBN: Тез.докл.-Ершово:Физ.ин-т им.П.Н.Лебедева РАН.- 261 c.

52) Ю.Г.Арапов. Эффекты 2D-локализации в режиме квантового эффекта Холла в широких квантовых ямах HgTe [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, М.Р.Попов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов // XII российская конференция по физике полупроводников (Полупроводники-2015), Звенигород, 21-25 сентября, ISBN: Тез.докл.-Ершово:Физ.ин-т им.П.Н.Лебедева РАН.- 249 c.

53) А.С.Клепикова. Скейлинг в наноструктуре InGaAs/GaAs с двойной квантовой ямой в режиме квантового эффекта Холла [Текст] / А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Ю.Г.Арапов, М.В.Якунин, С.В.Гудина // XII российская конференция по физике полупроводников (Полупроводники-2015), Звенигород, 21-25 сентября, ISBN: Тез.докл.-Ершово:Физ.ин-т им.П.Н.Лебедева РАН.- 183 c.

54) Yu.G.Arapov. 2D-Localization and Delocalization Effects in Quantum Hall Effect Regime in HgTe Wide Quantum Wells [Текст] / Yu.G.Arapov, S.V.Gudina, V.N.Neverov, S.M.Podgornykh, M.R.Popov, N.G.Shelushinina, G.I.Harus, M.V.Yakunin, S.A.Dvoretsky, N.N.Mikhailov // 17 International Conference on II-VI Compounds and Related Materials или 17 International Conference on II-VI Compounds and Related Materials (II-VI-2015), Paris, 13-18 сентября, ISBN: Тез.докл.-Paris,France:Org.com.- 324 c.

55) Ю.Г. Арапов. Прыжковая проводимость в области плато квантового эффекта Холла в квантовых ямах HgTe [Текст] / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.Р. Попов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, C.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов // Международная конференция «XXXVII Совещание по физике низких температур« (НТ-37), Казань, 29 июня-3 июля, ISBN: Тез.докл.-Казань:Казанский ун-т..- 195 c.

56) А.С.Клепикова. Скейлинг в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой после подсветки инфракрасным светом [Текст] / А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, М.В.Якунин // Международная конференция «XXXVII Совещание по физике низких температур« (НТ-37), Казань, 29 июня-3 июля, ISBN: Тез.докл.-Казань:Казанский ун-т..- 208 c.

57) Ю.Г.Арапов. Токовый скейлинг и универсальность критических индексов в квантовом эффекте Холла в наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, А.П.Савельев, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Винниченко // XIX Международный сипозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 10-14 марта, ISBN: Труды.- Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского ун-та.- 469 c.

58) Ю.Г.Арапов. Квантовый эффект Холла в гетероструктурах на основе теллурида ртути с инвертированным энергетическим спектром [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, М.Р.Попов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XIX Международный сипозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 10-14 марта, ISBN: Труды.- Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского ун-та.- 628 c.

59) Yu.G.Arapov. Quantum Phase Transitions in the Quantum Hall Regime for a Double Quantum Well Nanostructure [Текст] / Yu.G.Arapov, S.V.Gudina, A.S.Klepikova, V.N.Neverov, G.I.Harus, N.G.Shelushinina, M.V.Yakunin // 32-nd International Conference on the Physics of Semiconductors, Austin,Texas, 10-15 августа, ISBN: Прогр.конф..-Austin,Texas,USA:org.com..- 9 c.

60) М.Р.Попов. Квантовый эффект Холла в гетероструктурах на основе теллурида ртути [Текст] / М.Р.Попов, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XV Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-15), Екатеринбург, 13-20 ноября, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:.- 103 c.

61) Yu.G.Arapov. Scaling in Quantum Hall Plateau-Plateau Transition for a Double Quantum well Nanostricture [Текст] / Yu.G.Arapov, S.V.Gudina, A.S.Klepikova, V.N.Neverov, G.I.Harus, N.G.Shelushinina, M.V.Yakunin // XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS 2014), Новоуральск, 17-22 февраля, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 88 c.

62) Ю.Г.Арапов. Квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs до и после инфракрасного освещения [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, А.П.Савельев, М.В.Якунин // XV Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-15), Екатеринбург, 13-20 ноября, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:.- 209 c.

63) А.С.Клепикова. Скейлинг в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой [Текст] / А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, М.В.Якунин // XV Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-15), Екатеринбург, 13-20 ноября, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:.- 96 c.

64) Yu.G.Arapov. Electron-electron interaction and universality of quantum Hall effect plateau-plateau transitions [Текст] / Yu.G.Arapov, S.V.Gudina, A.S.Klepikova, V.N.Neverov, N.G.Shelushinina, G.I.Harus, M.V.Yakunin // 22 International Symposium «Nanostructures:Physics and Technology», S.Petersburg,Russia, 23-27 июня, ISBN: Тр.конф.-St.Peterburg:Academic Univ.Publ..- 33 c.

65) Ю.Г.Арапов. Скейлинг в режиме целочисленного квантового эффекта Холла в квазидвумерных наноструктурах n-InGaAS/GaAS с двойными квантовыми ямами [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Г.И.Харус, М.В.Якунин // Научная сессия Института физики металлов УрО РАН, Екатеринбург, 31 марта-4 апреля, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 64 c.

66) Ю.Г.Арапов. Скейлинг и универсальность критических индексов в квантовом эффекте Холла и наноструктурах n-InGaAs/GaAS с двойными сильно-связанными квантовыми ямами [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XVIII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 10-14 марта, ISBN: Труды симпозиума.-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского гос.ун-та.- 440 c.

67) А.С.Клепикова. Температурная зависимость ширины перехода плато-плато квантового эффекта Холла в ультраквантовой области магнитных полей [Текст] / А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, Д.С.Петухов, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Г.И.Харус // XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS 2014), Новоуральск, 17-22 февраля, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 116 c.

68) А.С.Клепикова. Скейлинг в режиме целочисленного квантового эффекта Холла в гетероструктурах с двойной квантовой ямой [Текст] / А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XIV Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-14), Екатеринбург, 20-26 ноября, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 85 c.

69) Ю.Г.Арапов. Электрон-электронное рассеяние в квазидвумерных структурах n-InGaAs/GaAs с двойными сильно связанными квантовыми ямами [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, М.В.Якунин, Б.Н.Звонков // XVII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 11-15 марта, ISBN: Тр.симп.-Н.Новгород:Ин-т физики микроструктур.- 416 c.

70) Yu.G.Arapov. Scaling in the quantum Hall regime for a double quantum well nanostructure in high magnetic field [Текст] / Yu.G.Arapov, S.V.Gudina, A.S.Klepikova, V.N.Neverov, S.G.Novokshonov, T.B.Charikova, G.I.Harus, M.v.Yakunin, N.G.Shelushinina // V Euro-Asian Symposium «Trends in MAGnetism:Nanomagnetism»(EASTMAG-2013), Vladivostok, 15-21 сентября, ISBN: Тез.докл.-Владивосток:.- 286 c.

71) Ю.Г.Арапов. Скейдлинг в режиме квантового эффекта Холла в структурах с двойной квантовой ямой [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, С.Г.Новокшонов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XI Российская конференция по физике полупроводников (Полупроводники-2013), С.-Петербург, 16-20 сентября, ISBN: Тез.докл.-С.-Петербург:ФТИ .- 252 c.

72) Ю.Г.Арапов. Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs с двойными сильно-связанными квантовыми ямами [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.Г.Новокшонов, С.М.Подгорных, А.П.Савельев, М.В.Якунин // XI Российская конференция по физике полупроводников (Полупроводники-2013), С.-Петербург, 16-20 сентября, ISBN: Тез.докл.-С.-Петербург:ФТИ .- 232 c.

73) Ю.Г.Арапов. Аномальная зависимость эффекта Холла в структурах с двойной квантовой ямой в параллельных магнитных полях [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XI Российская конференция по физике полупроводников (Полупроводники-2013), С.-Петербург, 16-20 сентября, ISBN: Тез.докл.-С.-Петербург:ФТИ .- 266 c.

74) Ю.Г.Арапов. Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAS/GaAS с двумя сильносвязанными квантовыми ямами [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, М.В.Якунин // XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Новоуральск, 20-25 февраля, ISBN: Сб.тез.:Екатеринбург-Новоуральск:УрО РАН.- 104 c.

75) Ю.Г.Арапов. Неупругое электрон-электронное рассеяние в структурах n-InGaAs/GaAS с двойными сильно-сязанными квантами [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, М.В.Якунин // XXXVI Международная конференция «Совещание по физике низких температур», С.-Петербург, 2-6 июля, ISBN: Тез.докл./С.-Петербург:ФТИ им.А.Ф.Иоффе.- 223 c.

76) Ю.Г.Арапов. Температурная зависимость квантового времени жизнив структурах n-InGaAS/GaAS с двойными сильно-связанными квантовыми ямами [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных , М.В.Якунин // XIII Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-13), Екатеринбург, 7-14 ноября, ISBN: Тез.докл./Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 102 c.

77) Ю.Г.Арапов. Аномальное поведение коэффициента Холла в гетероструктурах p-Ge/Ge1-xSix в слабых магнитных полях [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, А.С.Клепикова, О.А.Кузнецов, А.Т.Лончаков, В.Н.Неверов // XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Новоуральск, 20-25 февраля, ISBN: Сб.тез.:Екатеринбург-Новоуральск:УрО РАН.- 110 c.

78) Ю.Г.Арапов. Электрон-электронное рассеяние в структурах n-InGaAs/GaAS с двойными сильно-связанными квантовыми ямами [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, М.В.Якунин // XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Новоуральск, 20-25 февраля, ISBN: Сб.тез.:Екатеринбург-Новоуральск:УрО РАН.- 106 c.

79) Ю.Г.Арапов. Проводимость по подзонам симметричных и антисимметричных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильносвязанными квантовыми ямами [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, М.В.Якунин, С.М.Подгорных, Б.Н.Звонков // X Российская конференция по физике полупроводников, Нижний Новгород, 19-23 сентября, ISBN: Тез.докл.:Н.Новгород:Нижегородский гос.ун-т.- 76 c.

80) Ю.Г.Арапов. Особенности проводимости в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильносвязанными квантовыми ямами, освещённых ИК-излучением [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, М.В.Якунин, С.М.Подгорных, Б.Н.Звонков // XII Всероссийская молодёжная школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-12), Екатеринбург, 14-20 ноября, ISBN: Тез.докл.:Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 70 c.

81) Ю.Г.Арапов. Магнитотранспорт в гетероструктурах p-Ge/GeSi вблизи перехода металл-диэлектрик [Текст] / Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина // XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Новоуральск, 15-20 февраля, ISBN: Тез.докл. Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 116 c.

82) Ю.Г.Арапов. Графен: квантовые эффекты при температурах вплоть до комнатных [Текст] / Ю.Г.Арапов // XI Всероссийская молодёжная школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния (СПФКС-XI), Екатеринбург, 15-21 ноября, ISBN: Тез.докл.Екатеринбург:УрО РАН.- 11 c.

83) М.В.Якунин. Обнаружение гигантского спинового расщепления магнитных уровней и его анизотропии в немагнитном двумерном слое с помощью анализа угловой зависимости квантового эффекта Холла [Текст] / М.В.Якунин, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Г.И.Харус, С.М.Подгорных, Дж.Галисту, А.де Виссер, Ю.Г.Садофьев, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // Научная сессия ИФМ УрО РАН по итогам 2009 г., Екатеринбург, 22-26 марта, ISBN: Сб.тез.Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 44 c.

84) Ю.Г.Арапов. Новые закономерности гальваномагнитных явлений в электронных наноструктурах с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла [Текст] / Ю.Г.Арапов, И.В.Карсканов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Г.И.Харус, М.В.Якунин, С.М.Подгорных // Научная сессия ИФМ УрО РАН по итогам 2009 г., Екатеринбург, 22-26 марта, ISBN: Сб.тез.Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 28 c.

85) Ю.Г.Арапов. Зависимость щели в спектре двойной квантовой ямы InGaAs/GaAs от параметров инфракрасной подсветки [Текст] / Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Г.И.Харус, М.В.Якунин // XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Новоуральск, 15-20 февраля, ISBN: Тез.докл. Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 127 c.

86) Ю.Г.Арапов. Переход металл-диэлектрик в квазидвумерном электронном газе в n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Г.И.Харус, М.В.Якунин // XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Новоуральск, 15-20 февраля, ISBN: Тез.докл. Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 120 c.

87) Ю.Г.Арапов. Квантовый спиновый эффект Холла в нулевом магнитном поле [Текст] / Ю.Г.Арапов // Х (Юбилейная) Молодёжная школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-10), Екатеринбург, 9-15 ноября, ISBN: Тез.докл.:Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 53 c.

88) Ю.Г.Арапов. Преход металл-диэлектрик в подзоне антисимметричных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами [Текст] / Ю.Г.Арапов, И.В.Карсканов, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, С.М.Подгорных // XXXV Совещание по физике низких температур (НТ-35), Черноголовка, 29 сентября-2 октября, ISBN: Тез. докл.: М.:Граница.- 226 c.

89) N.G.Shelushinina. Effect of impurity potential range on a scaling behavior in the quantum Holl regime [Текст] / N.G.Shelushinina, Yu.G.Arapov, G.I.Harus, I.V.Karskanov, V.N.Neverov, M.V.Yakunin // 25-th International conference on defects in semiconductors (ICDS-25), St.Petersburg, 20-24 июля, ISBN: Тез.докл: St.Peterburg: Ioffe in-t.- 414 c.

90) Ю.Г.Арапов. Определение туннельной щели в двойных квантовых ямах n-InGaAs/GaAs [Текст] / Ю.Г.Арапов, М.В.Якунин, И.В.Карсканов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Г.И.Харус, С.М.Подгорных // XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Екатеринбург-Новоуральск, 18-23 февраля, ISBN: Тез.докл.Изд-во ИФМ УрО РАН.- 94 c.

91) Ю.Г.Арапов. Перход металл-диэлектрик в неупорядоченных двумерных электронных структурах. Возможен или нет двумерный металл? [Текст] / Ю.Г.Арапов // IX Молодежная школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-9), Екатеринбург, 17-23 ноября, ISBN: Тез.докл.: Екатеринбург: ИФМ УрОРАН.- 152 c.

92) Yu.G.Arapov. Quantum Hall plateua-plateua transition in p-Ge/Ge1-xSix and n-InxGa1-xAs/GaAS heterostructures [Текст] / Yu.G.Arapov, G.I.Harus, I.V.Karskanov, V.N.Neverov, N.G.Shelushinina, M.V.Yakunin // XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Екатеринбург-Новоуральск, 18-23 февраля, ISBN: Тез.докл.Изд-во ИФМ УрО РАН.- 72 c.

93) Ю.Г.Арапов. Эффекты локализации и электрон-электронного взаимодействия в гетероструктурах Ge/Ge1-xSix p-типа [Текст] / Ю.Г.Арапов, Г.И.Харус, В.Н.Неверов, И.В.Карсканов, Н.Г.Шелушинина // XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Екатеринбург-Новоуральск, 18-23 февраля, ISBN: Тез.докл.Изд-во ИФМ УрО РАН.- 80 c.

94) Ю.Г.Арапов. Роль квазидвумерности в режиме квантового эффекта Холла в наклонном магнитном поле [Текст] / Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Екатеринбург-Новоуральск, 18-23 февраля, ISBN: Тез.докл.Изд-во ИФМ УрО РАН.- 89 c.

95) Ю.Г.Арапов. Спектр уровней Ландау в наклонном магнитном поле [Текст] / Ю.Г.Арапов, Г.И.Харус, В.Н.Неверов, И.В.Карсканов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Екатеринбург-Новоуральск, 18-23 февраля, ISBN: Тез.докл.Изд-во ИФМ УрО РАН.- 91 c.

96) Ю.Г.Арапов. Физика и формирование электрических и магнитных свойств полупровдниковых наноструктур [Текст] / Ю.Г.Арапов // XI Международная конференция «Дислокационная структура и механические свойства металлов и сплавов» - ДСМСМС-2008, Екатеринбург, 10-14 апреля, ISBN: Тез.докл.: УрО РАН.- 18 c.

97) Ю.Г.Арапов. Определение туннельной щели в двойных квантовых ямах n-InGaAs/GaAs [Текст] / Ю.Г.Арапов, М.В.Якунин, И.В.Карсканов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Г.И.Харус, С.М.Подгорных // VIII Российская конференция по физике полупроводников Полупроводники-2007, Екатеринбург, 30 сентября-5 октября 2007, ISBN: .- c.

98) Yu.G.Arapov. Quantum Hall plateau-plateau transition in p-Ge/Ge1-xSix and n-In1-xGaxAs/GaAs heterostructures [Текст] / Yu.G.Arapov, G.I.Harus, I.V.Karskanov, V.N.Neverov, N.G.Shelushinina, M.V.Yakunin // 15th International Simposium Nanostructures: Physics and technology, Novosibirsk, 25-29 июня 2007, ISBN: .- c.

99) Yu.G.Arapov. Direct observation of the transition from the diffusive to the ballistic regime in a p-Ge/Ge1-xSix and n-In1-xGaxAs/GaAs quantum wells [Текст] / Yu.G.Arapov, G.I.Harus, I.V.Karskanov, V.N.Neverov, N.G.Shelushinina, M.V.Yakunin // 15th International Simposium Nanostructures: Physics and technology, Novosibirsk, 25-29 июня 2007, ISBN: .- c.

100) Ю.Г.Арапов. Спектр уровней Ландау в двойной квантовой яме в наклонном магнитном поле [Текст] / Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // VIII Российская конференция по физике полупроводников Полупроводники-2007, Екатеринбург, 30 сентября-5 октября 2007, ISBN: .- c.

101) M.V. Yakunin. Spin effect in the InxGa1-xAs/GaAs double quantum well magnetoresistance under tilted magnetic fields [Текст] / M.V. Yakunin, Yu.G. Arapov, V.N. Neverov, S.M. Podgornykh, N.G. Shelushinina, G.I. Harus, B.N. Zvonkov, E.A. Uskova // 28th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS-28), Austria, Vienna, 7.2006, ISBN: .- c.

102) Ю.Г.Арапов. Переход плато-плато в режиме квантового эфекта Холла в гетероструктурах p-Ge/Ge1-хSix [Текст] / Ю.Г.Арапов, М.А. Гинс, И.В.Карсканов, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // 7-й Молодежный семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества, Новоуральск-Екатеринбург, 11.2006, ISBN: .- c.

103) Ю.Г. Арапов. Немонотонная температурная зависимость константы Холла для 2D электронного газа в структурах n-InxGa1-xAs/GaAs в области перехода от диффузионного к баллистическому режиму [Текст] / Ю.Г. Арапов, С.И. Гудина, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, С.М. Подгорных, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова // XVI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, UIWSPS-2006, Екатеринбург-Кыштым, 2.2006, ISBN: .- c.

104) М.В. Якунин. Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa1-xAs/GaAs в присутствии параллельной компоненты магнитного поля [Текст] / М.В. Якунин, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, Н.Г. Шелушинина, Г.И. Харус, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова // XVI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, UIWSPS-2006, Екатеринбург-Кыштым, 2.2006, ISBN: .- c.

105) Ю.Г. Арапов. Квантовые поправки к магнитосопротивлению гетероструктур p-Ge/Ge1-хSiх [Текст] / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина // XVI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, UIWSPS-2006, Екатеринбург-Кыштым, 2.2006, ISBN: .- c.

106) Ю.Г. Арапов. Особенности перехода от слабой локализации к режиму квантового эффекта Холла в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами [Текст] / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, С.М. Подгорных, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова // X Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 3.2006, ISBN: .- c.

107) Ю.Г. Арапов. Переход плато-плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах p-Ge/Ge1-xSix [Текст] / Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // 34-е совещание по физике низких температур (НТ-34), Ростов-на-Дону, 9.2006, ISBN: .- c.

108) Ю.Г. Арапов. Влияние заселенности подзоны антисимметричных состояний в двойной квантовой яме на квантовые поправки к продольной и холловской проводимости GaAs/n-InGaAs/GaAs наноструктур [Текст] / Ю.Г. Арапов, М.В. Якунин, С.В. Гудина, И.В. Карсканов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, С.М. Подгорных, Б.Н. Звонков // 34-е совещание по физике низких температур (НТ-34), Ростов-на-Дону, 9.2006, ISBN: .- c.

109) М.В. Якунин. Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa1-xAs/GaAs в наклонных магнитных полях [Текст] / М.В. Якунин, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, Н.Г. Шелушинина, Г.И. Харус, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова // 34-е совещание по физике низких температур (НТ-34), Ростов-на-Дону, 9.2006, ISBN: .- c.

110) M.V. Yakunin. Spin effect in stereoscopic pictures of the n-InxGa1-xAs/GaAs double quantum well magnetoresistance dependencies on the perpendicular and parallel field components [Текст] / M.V. Yakunin, Yu.G. Arapov, V.N. Neverov, S.M. Podgornykh, N.G. Shelushinina, G.I. Harus, B.N. Zvonkov, E.A. Uskova // X Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 3.2006, ISBN: .- c.

111) M.V. Yakunin. Spin effect in stereoscopic pictures of the n-InxGa1-xAs/GaAs double quantum well magnetoresistance dependencies on the perpendicular and parallel field components [Текст] / M.V. Yakunin, Yu.G. Arapov, V.N. Neverov, S.M. Podgornykh, N.G. Shelushinina, G.I. Harus, B.N. Zvonkov, E.A. Uskova // 14th International Symposium “Nanostructures: Physics and technology”, С-Петербург, 6.2006, ISBN: .- c.

112) M.V. Yakunin. Stereoscopic oscillations of the InxGa1-xAs/GaAs double quantum well magnetoresistance under tilted magnetic fields [Текст] / M.V. Yakunin, Yu.G. Arapov, V.N. Neverov, S.M. Podgornykh, N.G. Shelushinina, G.I. Harus, B.N. Zvonkov, E.A. Uskova // 17th International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics (HMF-17), Germany, Wurzburg, 7.2006, ISBN: .- c.

113) Yu.G. Arapov. Transport properties of 2D-electron gas in InGaAs/GaAs DQW in a vicinity of low-magnetic-field-induced Hall insulator-quantum Hall liquid transition [Текст] / Yu.G. Arapov, M.V. Yakunin, S.V. Gudina, G.I. Harus, V.N. Neverov, N.G. Shelushinina, S.M. Podgornykh, B.N. Zvonkov, E.A. Uskova // 28th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS-28), Austria, Vienna, 7.2006, ISBN: .- c.

114) Yu.G.Arapov. Transport properties of 2D-electron gas in InGaAs/GaAs DQW in a vicinity of the Hall insulator-quantum Hall liquid transition [Текст] / Yu.G.Arapov, S.V.Gudina, G.I..Harus, V.N.Neverov, N.G.Shelushinina, M.V.Yakunin, S.M.Podgornykh, E.A..Uskova, B.N.Zvonkov // 13th International Symposium ??Nanostructures: Physics and Technology??, St-Petersburg,Russia, June, 2005, ISBN: .- c.

115) И.В.Карсканов. Разделение вкладов электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge1-хSix [Текст] / И.В.Карсканов, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // VI Молодежный семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества, Екатеринбург, Россия, 28 .11 - 4.12, 2005, ISBN: .- c.

116) М.А. Гигс. Квантовый эффект Холла в гетероструктурах p-Ge/Ge1-xSix с низкой подвижностью дырок [Текст] / М.А. Гигс, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // VI Молодежный семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества, Екатеринбург, Россия, 28 .11 - 4.12, 2005, ISBN: .- c.

117) Ю.Г. Арапов. Транспортные свойства 2D-электронного газа в InGaAs/GaAs DQW в окрестности перехода ??холловский изолятор??-??квантовая жидкость?? [Текст] / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, Г.И. Харус, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, С.М. Подгорных, Е.А. Ускова, Б.Н. Звонков // 13-й Международный симпозиум ??Наноструктуры: физика и технология??, С.-Петербург, Россия, , ISBN: .- c.

118) Ю.Г.Арапов. Квантовые поправки к продольной и Холловской проводимости 2D-электронного газа в двойных квантовых ямах GaAs/n-InGaAs/GaAs в области перехода от диффузионного к баллистическому режиму [Текст] / Ю.Г.Арапов, C.B.Гудина, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, С.М.Подгорных, Б.Н.Звонков, Е.А.Ускова // IX-й симпозиум ??Нанофизика и наноэлектроника??, Нижний Новгород, Россия, март, 2005, ISBN: .- c.

119) М.В.Якунин. Осциллирующие зависимости магнитосопротивления от параллельной компоненты магнитного поля в двойной квантовой яме n-InxGa1-xAs/GaAs [Текст] / М.В.Якунин, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, С.М. Подгорных, Б.Н.Звонков, Е.А.Ускова // IX-й симпозиум ??Нанофизика и наноэлектроника??, Нижний Новгород, Россия, март, 2005, ISBN: .- c.

120) М.В.Якунин. Осциллирующие зависимости магнитосопротивления от параллельной компоненты магнитного поля в двойной квантовой яме n-InxGa1-xAs/GaAs [Текст] / М.В.Якунин, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, С.М. Подгорных, Б.Н.Звонков, Е.А.Ускова // 7-я Российская конференция по физике полупроводников, Москва, 18-23 .09, 2005, ISBN: .- c.

121) Ю.Г.Арапов. Квантовые поправки к продольной и холловской проводимости 2D-электронного газа в двойных квантовых ямах GaAs/n-In xGa1-xAs в области перехода от диффузионного к баллистическому режиму [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, С.М.Подгорных, Б.Н.Звонков, Е.А.Ускова // Симпозиум ??Нанофизика и наноэлектроника??, Нижний Новгород, Россия, 25 - 29 .03, 2005, ISBN: .- c.

122) М.В.Якунин. Осциллирующие зависимости магнитосопротивления от параллельной компоненты магнитного поля в двойной квантовой яме n-InxGa1-xAs/GaAs [Текст] / М.В.Якунин, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Б.Н.Звонков, Е.А.Ускова // Симпозиум ??Нанофизика и наноэлектроника??, Нижний Новгород, Россия, 25 - 29 .03, 2005, ISBN: .- c.

123) Ю.Г.Арапов. Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гтероструктур p-Ge/GeSi [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В. Гудина, В.Н.Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина // 7-я Российская конференция по физике полупроводников, Москва, 18-23 .09, 2005, ISBN: .- c.

124) М.В.Якунин. Осциллирующие зависимости магнитосопротивления от параллельной компоненты магнитного поля в двойной квантовой яме n-InxGa1-xAs/GaAs [Текст] / М.В.Якунин, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Б.Н.Звонков, Е А.Ускова // 7-я Российская конференция по физике полупроводников, Москва, 18-23 .09, 2005, ISBN: .- c.

125) Д.В.Перов. сверхдлиннопериодных сейсмических осцилляций [Текст] / Д.В.Перов, A.Б.Ринкевич, О.А.Кусонский // XVI сессии Российского акустического общества, Москва, , ISBN: .- c.

Наукометрические данные ИФМ по состоянию на 4.04.2022 г.
	WoS	РИНЦ
Всего статей	12791	16985
Индекс Хирша	92	106
Цитируемость
суммарно	90010	140780
на статью	7,03	8,2

Адрес:	620108, г. Екатеринбург,
	ул. Софьи Ковалевской, 18
Email:	physics@imp.uran.ru
Телефон:	(343) 374-02-30
Факс:	(343) 374-52-44
Схема проезда

Вы здесь