4) С.В.Гудина, Критическое поведение проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs: крупномасштабный примесный потенциал [Текст] / С.В.Гудина, А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, К.В.Туруткин, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 14-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ», 25.05.2023, 2023 / 978-5-7262-2958-4, Сборник трудов, М.: НИЯУ МИФИ, 2023
5) С.В.Гудина, Эффективный g-фактор в квантовых ямах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.С.Сандаков, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // Международный семинар «Фазовые переходы и неоднородные состояния в оксидах» International Workshop PTISO22, 4-8 июля, 2022 / Тез.докл.-Казань:Орг.ком.
6) С.В.Гудина, Слабая локализация и время фазовой когерентности в структурах InGaAs/GaAs с двойными сильно-связанными квантовыми ямами [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Б.Н.Звонков // 13-я Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения», 25-26 мая, 2022 / Сб.трудов-Москва:НИЯУ МИФИ
7) А.П.Савельев, Исследование механизмов рассеяния в двойных квантовых ямах InGaAs/GaAs в параллельном магнитном поле [Текст] / А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XXIV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2022), 14-19 февраля, 2022 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН
8) С.В.Гудина, Квантовый эффект Холла в квантовых ямах InGaAs: активационная проводимость [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, К.В.Туруткин, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // Международная конференция «Фазовые переходы, критические и нелинейные явления в конденсированных средах», XIV Межд. семинар молодых ученых «Магнитные фазовые переходы» \rnull, 12-17 сентября, 2021 / Тез.не изд.
9) С.В.Гудина, Электрон-электронное взаимодействие в структурах InGaAs/GaAs [Текст] / С.В.Гудина, А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // 2-я Конференция «Физика Конденсированных Состояний», посвященная 90-летию со дня рождения акад. Ю.А. Осипьяна\rnull, 31 мая – 4 июня, 2021 / Тез.докл.-Черноголовка:ИФТТ РАН
10) С.В.Гудина, Крупномасштабный примесный потенциал в структурах InGaAs/InAlAs: квантовый эффект Холла [Текст] / С.В.Гудина, А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 12-я Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения» \rnull, 19-20 мая, 2021 / Сб.трудов.- М.: НИЯУ МИФИ
11) А.П.Савельев, Крупномасштабный примесный потенциал в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs [Текст] / А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина // XXI Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-21)\rnull, 18-25 марта, 2021 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН
12) С.В.Гудина, Квантовое время жизни и электрон-электронное взаимодействие в структурах InGaAs/GaAs с двойными сильно-связанными квантовыми ямами [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Б.Н.Звонков // XXV Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», 9-12 марта, 2021 / Труды симпозиума-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского ун-та
13) С.В.Гудина, Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах InGaAs/GaAs с двойными сильно-связанными квантовыми ямами [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Б.Н.Звонков // 11-я Межд. Научно-практич. конф. по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения» \rnull, 28 октября , 2020 / Сборник трудов. М.: НИЯУ МИФИ
14) С.В.Гудина, Эффекты обменного взаимодействия в проводимости гетероструктур InGaAs/GaAs [Текст] / С.В.Гудина, А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Б.Н.Звонков // XXIII Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2020)\rnull, 17-22 февраля , 2020 / Тез.докл.-Екатеринбург, Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН
15) С.В.Гудина, Интерференционный вклад от обменного электрон-электронного взаимодействия в проводимость гетероструктур InGaAs/GaAS [Текст] / С.В.Гудина, А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Б.Н.Звонков // XXIV Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» , 10-13 марта , 2020 / "Труды симпозиума.-Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского
госуниверситета"
16) С.В.Гудина, Вклад от обменного электрон-электронного взаимодействия в проводимость структур InGaAs/GaAs с одиночными и двойными квантовыми ямами [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9-13 сентября, 2019 / Тез. докл.-М. Издательство Перо
17) А.П.Савельев, Сопротивление гетероструктур n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в параллельном плоскости структуры магнитном поле: механизмы рассеяния носителей заряда [Текст] / А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина // XX Юбилейная Всеросс. школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-20), 21-29 ноября, 2019 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН
18) С.В.Гудина, Активационная проводимость в режиме квантового эффекта Холла в квантовых ямах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, Е.В.Дерюшкина, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 10-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «Мокеровские чтения», 15-16 мая, 2019 / Труды конф.-Москва:НИЯУ МИФИ
19) Е.В.Ильченко, Влияние спин-орбитального взаимодействия на критическое поведение проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAiAs [Текст] / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXXVIII Совещание по физике низких температур (НТ38), 17-22 сентября, 2018 / Тез.докл.-Москва-Ростов-на-Дону-Шепси:Фонд науки и образования
20) Ю.Г.Арапов, Эффекты электрон-электронного взаимодействия в температурной зависимости проводимости одиночной и двойных квантовых ям InGaAs [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XIX Всеросс. школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-19), 15-22 ноября, 2018 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН
21) Е.В.Ильченко, Квантовый эффект Холла в системах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs: роль спин-орбитального взаимодействия [Текст] / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXII Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2018), 19-24 февраля, 2018 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН
22) С.В.Гудина, Роль спин-орбитального взаимодействия в режиме квантового эффекта Холла в системах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», 12-15 марта, 2018 / Труды конф.-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского госун-та
23) Ю.Г.Арапов, Квантовые фазовые переходы в режиме квантового эффекта Холла в системах InGaAs/InAlAs со спин-вырожденными уровнями Ландау [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», 2-6 октября, 2017 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН
24) Е.В.Ильченко, Ширина полосы делокализованных состояний в режиме квантового эффекта Холла в структурах n-InGaAs/AlInAs со спин-вырожденными уровнями Ландау [Текст] / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XVIII Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-18), 16-23 ноября, 2017 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН
25) С.В.Гудина, Квантовые фазовые переходы в режиме квантового эффекта Холла в системах InGaAs/InAlAs со спин-вырожденными уровнями Ландау [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 8-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «Мокеровские чтения», 24 мая, 2017 / Сб.трудов-Москва:НИЯУ МИФИ
26) С.В.Гудина, Переходы плато-плато квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», 2-6 октября, 2017 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН
27) С.В. Гудина, Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs [Текст] / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, А.П. Савельев, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, И.С. Васильевский, А.Н. Виниченко // XX Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», 14-18 марта, 2016 / Матер. Конф.-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского ун-та
28) А.П. Савельев, Магнитотранспорт в 2D структурах In-GaAs/GaAs в области перехода изолятор – квантовохолловская жидкость [Текст] / А.П. Савельев, Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2016), 15-20 февраля, 2016 / Тез.докл.-Екатеринбург-Алапаевск:ИФМ УрО РАН
29) А.С. Клепикова, Переходы плато-плато квантового эффекта Холла
в полупроводниковых гетероструктурах на основе
арсенида галлия [Текст] / А.С. Клепикова, Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, А.П. Савельев, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // Научная сессия Института физики металлов УрО РАН по итогам 2015 года, 28 марта – 1 апреля, 2016 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН
30) С.В. Гудина, Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в метаморфных наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs [Текст] / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, А.П. Савельев, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, С.М. Подгорных, И.С. Васильевский, А.Н. Виниченко // 7-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «Мокеровские чтения», 25 мая, 2016 / Сб.трудов-Москва:НИЯУ МИФИ
31) С.В. Гудина, Универсальность критических индексов в квантовом эффекте Холла в наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs [Текст] / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, А.П. Савельев, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, И.С. Васильевский, А.Н. Виниченко // XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2016), 15-20 февраля, 2016 / Тез.докл.-Екатеринбург-Алапаевск:ИФМ УрО РАН
32) Ю.Г.Арапов, Токовый скейлинг и универсальность критических индексов в квантовом эффекте Холла в наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, А.П.Савельев, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Винниченко // XIX Международный сипозиум «Нанофизика и наноэлектроника», 10-14 марта, 2015 / Труды.- Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского ун-та
33) Ю.Г. Арапов, Переход изолятор – квантово-холловская жидкость в слабых магнитных полях в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs [Текст] / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, А.П. Савельев, М.В. Якунин // 11-я летняя межрегиональная школа физиков (ЛМШФ-11), 14 июля – 9 августа, 2015 / Тез.не изд.
34) А.П. Савельев, Особенности квантового магнитотранспорта в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs в области перехода изолятор – квантово-холловская жидкость [Текст] / А.П. Савельев, Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.В. Якунин // XVI Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-16), 12-19 ноября, 2015 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН
35) А.П.Савельев, Изменения энергетической структуры двойной квантовой ямы n-InGaAs/GaAs с наклоном магнитного поля [Текст] / А.П.Савельев, М.В.Якунин, С.М.Подгорных, С.В.Гудина // XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS 2014), 17-22 февраля, 2014 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН
36) Ю.Г.Арапов, Квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs до и после инфракрасного освещения [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, А.П.Савельев, М.В.Якунин // XV Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-15), 13-20 ноября, 2014 / Тез.докл.-Екатеринбург:
37) M.V. Yakunin, Quantum Magnetotransport in the HgTe Double Quantum Well with Inverted Energy Spectrum. [Текст] / M.V. Yakunin, A.V. Suslov, S.M. Podgornykh, A.P. Savelyev, S.A. Dvoretsky, N.N.Mikhailov // 20th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional System (EP2DS-20), 1-5 июля, 2013 / Тез.докл.-Wroclaw, Poland:
38) М.В.Якунин, Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме HgTe с инвертированным энергетическим спектром. [Текст] / М.В.Якунин, А.В.Суслов, С.М.Подгорных, А.П.Спвельев , С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов // XI Российская конференция по физике полупроводников (Полупроводники-2013), 16-20 сентября, 2013 / Тез.докл.-С.-Петербург:ФТИ
39) Ю.Г.Арапов, Аномальная зависимость эффекта Холла в структурах с двойной квантовой ямой в параллельных магнитных полях [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XI Российская конференция по физике полупроводников (Полупроводники-2013), 16-20 сентября, 2013 / Тез.докл.-С.-Петербург:ФТИ
40) Ю.Г.Арапов, Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs с двойными сильно-связанными квантовыми ямами [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.Г.Новокшонов, С.М.Подгорных, А.П.Савельев, М.В.Якунин // XI Российская конференция по физике полупроводников (Полупроводники-2013), 16-20 сентября, 2013 / Тез.докл.-С.-Петербург:ФТИ
41) М.В.Якунин, Интерференция спиновых и туннельных щелей в квантовом магнитотранспорте двойной квантовой ямы n-InGaAs/GaAs [Текст] / М.В.Якунин, С.М.Подгорных, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, А. де Виссер, Дж.Галисту // XIV Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-14), 20-26 ноября, 2013 / Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН
42) М.В.Якунин, Спиновая поляризация и псевдоспиновый ферромагнетизм в режиме квантового эффекта Холла в квантовой яме HgTe [Текст] / М.В.Якунин, А.В.Суслов, С.М.Подгорных, А.П.Савельев, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов // XVI Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», 12-16 марта, 2012 / Тр.конф./Нижний Новгород:Ин-т физики микроструктур РАН
43) М.В.Якунин, Интерференция спиновых и псевдоспиновых щелей в квантовом магнитотранспорте двойной квантовой ямы n-InGaAs/GaAs [Текст] / М.В.Якунин, С.М.Подгорных, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, А.де Виссер, Дж.Галисту // XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, 20-25 февраля, 2012 / Сб.тез.:Екатеринбург-Новоуральск:УрО РАН
44) М.В.Якунин, Интерференция спиновых и псевдоспиновых щелей в квантовом магнитотранспорте двойной квантовой ямы n-InGaAs/GaAs [Текст] / М.В.Якунин, С.М.Подгорных, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, А.де Виссер, Дж.Галисту // XXXVI Международная конференция «Совещание по физике низких температур», 2-6 июля, 2012 / Тез.докл./С.-Петербург:ФТИ им.А.Ф.Иоффе