4) Н.С.Сандаков. Эффективные масса и g-фактор электронов в квантовой яме InGaAs с высоким содержанием InAs / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, М.В.Якунин // XXVIII Межд. симп. «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород (Россия), 11.03-15.03.2024, Труды, Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2024, ISBN 978-5-8048-0124-4. – P.812 – Текст: непосредственный.
5) Н.С.Сандаков. Параметры энергетического спектра электронов в квантующих магнитных полях в метаморфных гетероструктурах InGaAs/InAlAs / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // Молодежная конференция по физике полупроводников «Зимняя школа 2024», Зеленогорск (Россия), 29.02-04.03.2024, Тезисы докладов, СПб.: ПОЛИТЕХ-ПРЕСС, 2024, ISBN 978-5-7422-8466-6. – P.92 – Текст: непосредственный.
6) Н.С.Сандаков. Параметры электронного энергетического спектра в квантующих магнитных полях в метаморфных гетероструктурах InGaAs/InAlAs / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2024), Екатеринбург (Россия), 12.02-17.02.2024, Тезисы докладов, Екатеринбург, ИФМ УрО РАН, 2024, ISBN 978-5-6045774-9-3. – P.117 – Текст: непосредственный.
7) Н.С.Сандаков. Параметры электронного энергетического спектра в квантующих магнитных полях в метаморфных гетероструктурах с квантовой ямой InGaAs / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXV Всеросс. молодежная конф. по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто-и наноэлектронике, Санкт-Петербург (Россия), 27.11-01.12.2023, ISBN 978-5-7422-8329-4, Тезисы докладов, СПб. : ПОЛИТЕХ-ПРЕСС, 2023. – P.55 – Текст: непосредственный.
8) Н.С.Сандаков. Циклотронная эффективная масса и g*-фактор электронов в метаморфных гетероструктурах с квантовой ямой InGaAs / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXIII Всеросс. школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-23), Екатеринбург (Россия), 23.11-30.11.2023, ISBN 978-5-6045774-8-6, Тезисы докладов, Екатеринбург: ИФМ УрО РАН, 2023. – P.129 – Текст: непосредственный.
9) Н.С.Сандаков. Эффективный g-фактор в метаморфных гетеро- структурах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 14-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ», Москва (Россия), 24.05-25.05.2023, ISBN 978-5-7262-2958-4, Сборник трудов, М.: НИЯУ МИФИ, 2023. – P.19 – Текст: непосредственный.
10) Н.С.Сандаков. Обменное усиление g-фактора электронов в метаморфных гетероструктурах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // X Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации» (ФТИ-2023), Екатеринбург (Россия), 15.05-19.05.2023, ISBN 978-5-6050040-2-8, Тезисы докладов, Екатеринбург : УрФУ, ИЗДАТЕЛЬСВО АМБ, 2023.. – P.300 – Текст: непосредственный.
11) Н.С.Сандаков. Усиление эффективного g-фактора в метаморфных гетероструктурах InGaAs/InAlAs / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 65-я Всероссийская научная конфеенция МФТИ , Москва (Россия), 03.04-08.04.2023 – Текст: непосредственный.
12) С.В.Гудина. Эффективный g-фактор в квантовых ямах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.С.Сандаков, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // Международный семинар «Фазовые переходы и неоднородные состояния в оксидах» International Workshop PTISO22, Казань (Россия), -4-8 июля.2022, Тез.докл.-Казань:Орг.ком. 2022. – P.84 – Текст: непосредственный.
13) Н.С.Сандаков. Определение эффективного g -фактора в метаморфных гетероструктурах InGaAs{InAlAs с высоким содержанием InAs в наклонных магнитных полях / Н.С.Сандаков, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин, М.В.Якунин // XXII Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-22) памяти М.И. Куркина, Екатеринбург (Россия), -24 ноября – 1 декабря.2022, Тезисы докладов, г. Екатеринбург: ИФМ УрО РАН, 2022. – P.163 – Текст: непосредственный.