4) С.В.Гудина. Магнитосопротивление в двойных квантовых ямах InGaAs/GaAs в параллельном магнитном поле: исследование механизмов рассеяния [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XXV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2024), Екатеринбург, 17.02.2024, ISBN: Тезисы докладов, Екатеринбург, ИФМ УрО РАН, 2024, ISBN 978-5-6045774-9-3.- 135 c.
5) С.В.Гудина. Критическое поведение проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs: крупномасштабный примесный потенциал [Текст] / С.В.Гудина, А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, К.В.Туруткин, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 14-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ», Москва, 25.05.2023, ISBN: 978-5-7262-2958-4, Сборник трудов, М.: НИЯУ МИФИ, 2023.- 15 c.
6) А.П.Савельев. Исследование механизмов рассеяния в двойных квантовых ямах InGaAs/GaAs в параллельном магнитном поле [Текст] / А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XXIV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2022), Екатеринбург, 14-19 февраля, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 164 c.
7) В.Н.Неверов. Механизмы сбоя фазы для одиночных и двойных гетеропереходов в квантовых фазовых переходах плато-плато КЭХ [Текст] / В.Н.Неверов, С.В.Гудина, Н.Г.Шелушинина, Ю.Г.Арапов, А.С.Боголюбский, А.С.Клепикова, К.В.Туруткин, М.В.Якунин // XV Российская конференция по физике полупроводников, Нижний Новгород, 3-7 октября, ISBN: Тез.докл.-Нижний Новгород:Орг.ком..- 154 c.
8) С.В.Гудина. Эффективный g-фактор в квантовых ямах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.С.Сандаков, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // Международный семинар «Фазовые переходы и неоднородные состояния в оксидах» International Workshop PTISO22, Казань, 4-8 июля, ISBN: Тез.докл.-Казань:Орг.ком..- 84 c.
9) С.В.Гудина. Слабая локализация и время фазовой когерентности в структурах InGaAs/GaAs с двойными сильно-связанными квантовыми ямами [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Б.Н.Звонков // 13-я Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения», Москва, 25-26 мая, ISBN: Сб.трудов-Москва:НИЯУ МИФИ.- 58 c.
10) С.В.Гудина. Квантовое время жизни и электрон-электронное взаимодействие в структурах InGaAs/GaAs с двойными сильно-связанными квантовыми ямами [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Б.Н.Звонков // XXV Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 9-12 марта, ISBN: Труды симпозиума-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского ун-та.- 626 c.
11) С.В.Гудина. Квантовый эффект Холла в квантовых ямах InGaAs: активационная проводимость [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, К.В.Туруткин, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // Международная конференция «Фазовые переходы, критические и нелинейные явления в конденсированных средах», XIV Межд. семинар молодых ученых «Магнитные фазовые переходы» \rnull, Махачкала, 12-17 сентября, ISBN: Тез.не изд..- 294 c.
12) С.В.Гудина. Электрон-электронное взаимодействие в структурах InGaAs/GaAs [Текст] / С.В.Гудина, А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // 2-я Конференция «Физика Конденсированных Состояний», посвященная 90-летию со дня рождения акад. Ю.А. Осипьяна\rnull, Черноголовка, 31 мая – 4 июня, ISBN: Тез.докл.-Черноголовка:ИФТТ РАН.- 13 c.
13) С.В.Гудина. Крупномасштабный примесный потенциал в структурах InGaAs/InAlAs: квантовый эффект Холла [Текст] / С.В.Гудина, А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 12-я Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения» \rnull, Москва, 19-20 мая, ISBN: Сб.трудов.- М.: НИЯУ МИФИ.- 55 c.
14) А.П.Савельев. Крупномасштабный примесный потенциал в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs [Текст] / А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина // XXI Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-21)\rnull, Екатеринбург, 18-25 марта, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 172 c.
15) С.В.Гудина. Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах InGaAs/GaAs с двойными сильно-связанными квантовыми ямами [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Б.Н.Звонков // 11-я Межд. Научно-практич. конф. по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения» \rnull, Москва, 28 октября , ISBN: Сборник трудов. М.: НИЯУ МИФИ.- 11 c.
16) С.В.Гудина. Интерференционный вклад от обменного электрон-электронного взаимодействия в проводимость гетероструктур InGaAs/GaAS [Текст] / С.В.Гудина, А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Б.Н.Звонков // XXIV Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» , Нижний Новгород, 10-13 марта , ISBN: "Труды симпозиума.-Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского
госуниверситета".- 543 c.
17) С.В.Гудина. Эффекты обменного взаимодействия в проводимости гетероструктур InGaAs/GaAs [Текст] / С.В.Гудина, А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Б.Н.Звонков // XXIII Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2020)\rnull, Екатеринбург-Алапаевск, 17-22 февраля , ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург, Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН.- 66 c.
18) А.П.Савельев. Сопротивление гетероструктур n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в параллельном плоскости структуры магнитном поле: механизмы рассеяния носителей заряда [Текст] / А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина // XX Юбилейная Всеросс. школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-20), Екатеринбург, 21-29 ноября, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 124 c.
19) С.В.Гудина. Вклад от обменного электрон-электронного взаимодействия в проводимость структур InGaAs/GaAs с одиночными и двойными квантовыми ямами [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XIV Российская конференция по физике полупроводников, Новосибирск, 9-13 сентября, ISBN: Тез. докл.-М. Издательство Перо.- 219 c.
20) С.В.Гудина. Активационная проводимость в режиме квантового эффекта Холла в квантовых ямах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, Е.В.Дерюшкина, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 10-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «Мокеровские чтения», Москва, 15-16 мая, ISBN: Труды конф.-Москва:НИЯУ МИФИ.- 11 c.
21) Ю.Г.Арапов. Эффекты электрон-электронного взаимодействия в температурной зависимости проводимости одиночной и двойных квантовых ям InGaAs [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XIX Всеросс. школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-19), Екатеринбург, 15-22 ноября, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 112 c.
22) Ю.Г.Арапов. Аномалии квантового эффекта Холла при перекрытии уровней Ландау в структурах n-In0,90Ga0,10As/In0,81Al0,48As с сильным спин-орбитальным взаимодействием [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXXVIII Совещание по физике низких температур (НТ38), Москва-Ростов-на-Дону-Шепси, 17-22 сентября, ISBN: Тез.докл.-Москва-Ростов-на-Дону-Шепси:Фонд науки и образования.- 132 c.
23) Е.В.Ильченко. Влияние спин-орбитального взаимодействия на критическое поведение проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAiAs [Текст] / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXXVIII Совещание по физике низких температур (НТ38), Москва-Ростов-на-Дону-Шепси, 17-22 сентября, ISBN: Тез.докл.-Москва-Ростов-на-Дону-Шепси:Фонд науки и образования.- 94 c.
24) С.В.Гудина. Роль спин-орбитального взаимодействия в режиме квантового эффекта Холла в системах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 12-15 марта, ISBN: Труды конф.-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского госун-та.- 576 c.
25) Ю.Г.Арапов. Квантовый эффект Холла в условиях смешивания уровней Ландау из-за спин-орбитального взаимодействия в нано-структурах n-In0.9Ga0.1As/In0.81Al0.19As [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXII Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2018), Екатеринбург-Алапаевск, 19-24 февраля, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 78 c.
26) Е.В.Ильченко. Квантовый эффект Холла в системах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs: роль спин-орбитального взаимодействия [Текст] / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XXII Уральская межд. зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2018), Екатеринбург-Алапаевск, 19-24 февраля, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 112 c.
27) Ю.Г.Арапов. Эффекты локализации и делокализации в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе HgTe с широкой квантовой ямой [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, М.Р.Попов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // НАУЧНАЯ СЕССИЯ Института физики металлов УрО РАН по итогам 2016 года, Екатеринбург, 27-30 марта, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 22 c.
28) Е.В.Ильченко. Ширина полосы делокализованных состояний в режиме квантового эффекта Холла в структурах n-InGaAs/AlInAs со спин-вырожденными уровнями Ландау [Текст] / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XVIII Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-18), Екатеринбург, 16-23 ноября, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 95 c.
29) М.Р.Попов. Прыжковая проводимость в области плато квантового эффекта Холла для гетероструктуры HgTe/HgCdTe [Текст] / М.Р.Попов, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», Екатеринбург, 2-6 октября, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 207 c.
30) Е.В.Ильченко. Эффекты локализации в квантующих магнитных полях в квантовых ямах HgTe [Текст] / Е.В.Ильченко, С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», Екатеринбург, 2-6 октября, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 185 c.
31) Ю.Г.Арапов. Квантовые фазовые переходы в режиме квантового эффекта Холла в системах InGaAs/InAlAs со спин-вырожденными уровнями Ландау [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», Екатеринбург, 2-6 октября, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 165 c.
32) С.В.Гудина. Переходы плато-плато квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Е.В.Ильченко, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», Екатеринбург, 2-6 октября, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 209 c.
33) С.В.Гудина. Расходимость длины локализации в режиме квантового эффекта Холла в широких квантовых ямах HgTe [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XIII Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2017», Екатеринбург, 2-6 октября, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 198 c.
34) С.В.Гудина. Квантовые фазовые переходы в режиме квантового эффекта Холла в системах InGaAs/InAlAs со спин-вырожденными уровнями Ландау [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, Е.В.Ильченко, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 8-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «Мокеровские чтения», Москва, 24 мая, ISBN: Сб.трудов-Москва:НИЯУ МИФИ.- 14 c.
35) С.В. Гудина. Эффекты квантового туннелирования и классического протекания в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе HgTe с широкой квантовой ямой [Текст] / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.Р. Попов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов // XV Конференция – школа молодых ученых «Проблемы физики твердого тела и высоких давлений», Вишневка-Сочи, 16-25 сентября, ISBN: Тез.докл.-Москва:ФИАН.- 99 c.
36) А.С. Клепикова. Условия экспериментального наблюдения скейлинговых закономерностей в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночной и двойной квантовой ямой [Текст] / А.С. Клепикова, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, Ю.Г. Арапов, М.В. Якунин, С.В. Гудина, Б.Н. Звонков // XVII Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-17), Екатеринбург, 15-22 ноября, ISBN: Тез.докл-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 107 c.
37) С.В. Гудина. Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в метаморфных наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs [Текст] / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, А.П. Савельев, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, С.М. Подгорных, И.С. Васильевский, А.Н. Виниченко // 7-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «Мокеровские чтения», Москва, 25 мая, ISBN: Сб.трудов-Москва:НИЯУ МИФИ.- 25 c.
38) S.V. Gudina. Scaling behavior and variable-range hopping conductivity in the quantum Hall plateau transition in a n-InGaAs/InAlAs heterostructures [Текст] / S.V. Gudina, Yu.G. Arapov, A.P. Savelev, V.N. Neverov, N.G. Shelushinina, M.V. Yakunin, I.S. Vasilevskii, A.N. Vinichenko // 24th International Symposium «Nanostructures: Physics and Technology», St. Petersburg, 27 июня – 1 июля, ISBN: Тр.конф.-St. Petersburg:St Petersburg Academic Univ..- 95 c.
39) S.V. Gudina. Quantum Hall effect and variable-range hopping conductivity in n-InGaAs/InAlAs heterostructures [Текст] / S.V. Gudina, Yu.G. Arapov, A.P. Savelev, V.N. Neverov, N.G. Shelushinina, M.V. Yakunin, I.S. Vasilevskii, A.N. Vinichenko // VI Euro-Asian Symp. «Trends in Magnetism» (EASTMAG-2016), Krasnoyarsk, 15-19 августа, ISBN: Тез.докл.-Красноярск:ИФ СО РАН.- 217 c.
40) А.С. Клепикова. Переходы плато-плато квантового эффекта Холла
в полупроводниковых гетероструктурах на основе
арсенида галлия [Текст] / А.С. Клепикова, Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, А.П. Савельев, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // Научная сессия Института физики металлов УрО РАН по итогам 2015 года, Екатеринбург, 28 марта – 1 апреля, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 20 c.
41) С.В. Гудина. Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs [Текст] / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, А.П. Савельев, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, И.С. Васильевский, А.Н. Виниченко // XX Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 14-18 марта, ISBN: Матер. Конф.-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского ун-та.- 551 c.
42) М.Р. Попов. Прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах HgTe/CdHgTe [Текст] / М.Р. Попов, Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, Н.Г. Шелушинина, Г.И. Харус, М.В. Якунин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов // XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2016), Алапаевск, 15-20 февраля, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург-Алапаевск:ИФМ УрО РАН.- 137 c.
43) А.П. Савельев. Магнитотранспорт в 2D структурах In-GaAs/GaAs в области перехода изолятор – квантовохолловская жидкость [Текст] / А.П. Савельев, Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2016), Алапаевск, 15-20 февраля, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург-Алапаевск:ИФМ УрО РАН.- 92 c.
44) С.В. Гудина. Квантовый эффект Холла в гетероструктуре HgCdTe/HgTe с инвертированным зонным спектром: от квантового тунне-лирования к классическому протеканию [Текст] / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.Р. Попов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов // XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2016), Алапаевск, 15-20 февраля, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург-Алапаевск:ИФМ УрО РАН.- 110 c.
45) С.В. Гудина. Универсальность критических индексов в квантовом эффекте Холла в наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs [Текст] / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, А.П. Савельев, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, И.С. Васильевский, А.Н. Виниченко // XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2016), Алапаевск, 15-20 февраля, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург-Алапаевск:ИФМ УрО РАН.- 124 c.
46) А.С. Клепикова. Температурная зависимость пиковых значений проводимости в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночной и двой-ной квантовыми ямами [Текст] / А.С. Клепикова, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.В. Гудина, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2016), Алапаевск, 15-20 февраля, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург-Алапаевск:ИФМ УрО РАН.- 98 c.
47) Ю.Г. Арапов. Переход изолятор – квантово-холловская жидкость в слабых магнитных полях в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs [Текст] / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, А.П. Савельев, М.В. Якунин // 11-я летняя межрегиональная школа физиков (ЛМШФ-11), Красноярск-БАМ-Владивосток, 14 июля – 9 августа, ISBN: Тез.не изд..- 0 c.
48) М.Р. Попов. Эффекты локализации-делокализации в двумерных гетероструктурах на основе HgTe в режиме квантового эффекта Холла [Текст] / М.Р. Попов, Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов // XVI Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-16), Екатеринбург, 12-19 ноября, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 96 c.
49) А.П. Савельев. Особенности квантового магнитотранспорта в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs в области перехода изолятор – квантово-холловская жидкость [Текст] / А.П. Савельев, Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.В. Якунин // XVI Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-16), Екатеринбург, 12-19 ноября, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 97 c.
50) А.С. Клепикова. Температурная зависимость пиковых значений проводимости в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с двойной квантовой ямой после освещения инфракрасным светом [Текст] / А.С. Клепикова, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, М.В. Якунин // XVI Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-16), Екатеринбург, 12-19 ноября, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 87 c.
51) Ю.Г.Арапов. Температурный скейлинг в квантовом эффекте Холла в квантовой яме HgTe с инвертированным энергетическим спектром [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, М.Р.Попов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // XII российская конференция по физике полупроводников (Полупроводники-2015), Звенигород, 21-25 сентября, ISBN: Тез.докл.-Ершово:Физ.ин-т им.П.Н.Лебедева РАН.- 261 c.
52) Ю.Г.Арапов. Эффекты 2D-локализации в режиме квантового эффекта Холла в широких квантовых ямах HgTe [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, М.Р.Попов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов // XII российская конференция по физике полупроводников (Полупроводники-2015), Звенигород, 21-25 сентября, ISBN: Тез.докл.-Ершово:Физ.ин-т им.П.Н.Лебедева РАН.- 249 c.
53) А.С.Клепикова. Скейлинг в наноструктуре InGaAs/GaAs с двойной квантовой ямой в режиме квантового эффекта Холла [Текст] / А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Ю.Г.Арапов, М.В.Якунин, С.В.Гудина // XII российская конференция по физике полупроводников (Полупроводники-2015), Звенигород, 21-25 сентября, ISBN: Тез.докл.-Ершово:Физ.ин-т им.П.Н.Лебедева РАН.- 183 c.
54) Yu.G.Arapov. 2D-Localization and Delocalization Effects in Quantum Hall Effect Regime
in HgTe Wide Quantum Wells [Текст] / Yu.G.Arapov, S.V.Gudina, V.N.Neverov, S.M.Podgornykh, M.R.Popov, N.G.Shelushinina, G.I.Harus, M.V.Yakunin, S.A.Dvoretsky, N.N.Mikhailov // 17 International Conference on II-VI Compounds and Related Materials или 17 International Conference on II-VI Compounds and Related Materials (II-VI-2015), Paris, 13-18 сентября, ISBN: Тез.докл.-Paris,France:Org.com.- 324 c.
55) Ю.Г. Арапов. Прыжковая проводимость в области плато квантового эффекта Холла в квантовых ямах HgTe [Текст] / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.Р. Попов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, C.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов // Международная конференция «XXXVII Совещание по физике низких температур« (НТ-37), Казань, 29 июня-3 июля, ISBN: Тез.докл.-Казань:Казанский ун-т..- 195 c.
56) А.С.Клепикова. Скейлинг в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой после подсветки инфракрасным светом [Текст] / А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, М.В.Якунин // Международная конференция «XXXVII Совещание по физике низких температур« (НТ-37), Казань, 29 июня-3 июля, ISBN: Тез.докл.-Казань:Казанский ун-т..- 208 c.
57) Ю.Г.Арапов. Токовый скейлинг и универсальность критических индексов в квантовом эффекте Холла в наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, А.П.Савельев, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Винниченко // XIX Международный сипозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 10-14 марта, ISBN: Труды.- Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского ун-та.- 469 c.
58) Ю.Г.Арапов. Квантовый эффект Холла в гетероструктурах на основе теллурида ртути с инвертированным энергетическим спектром [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, М.Р.Попов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XIX Международный сипозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 10-14 марта, ISBN: Труды.- Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского ун-та.- 628 c.
59) Yu.G.Arapov. Quantum Phase Transitions in the Quantum Hall Regime for a Double Quantum Well Nanostructure [Текст] / Yu.G.Arapov, S.V.Gudina, A.S.Klepikova, V.N.Neverov, G.I.Harus, N.G.Shelushinina, M.V.Yakunin // 32-nd International Conference on the Physics of Semiconductors, Austin,Texas, 10-15 августа, ISBN: Прогр.конф..-Austin,Texas,USA:org.com..- 9 c.
60) М.Р.Попов. Квантовый эффект Холла в гетероструктурах на основе теллурида ртути [Текст] / М.Р.Попов, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XV Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-15), Екатеринбург, 13-20 ноября, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:.- 103 c.
61) Yu.G.Arapov. Scaling in Quantum Hall Plateau-Plateau Transition for a Double Quantum well Nanostricture [Текст] / Yu.G.Arapov, S.V.Gudina, A.S.Klepikova, V.N.Neverov, G.I.Harus, N.G.Shelushinina, M.V.Yakunin // XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS 2014), Новоуральск, 17-22 февраля, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 88 c.
62) Ю.Г.Арапов. Квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs до и после инфракрасного освещения [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, А.П.Савельев, М.В.Якунин // XV Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-15), Екатеринбург, 13-20 ноября, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:.- 209 c.
63) А.С.Клепикова. Скейлинг в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой [Текст] / А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, М.В.Якунин // XV Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-15), Екатеринбург, 13-20 ноября, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:.- 96 c.
64) Yu.G.Arapov. Electron-electron interaction and universality of quantum Hall effect plateau-plateau transitions [Текст] / Yu.G.Arapov, S.V.Gudina, A.S.Klepikova, V.N.Neverov, N.G.Shelushinina, G.I.Harus, M.V.Yakunin // 22 International Symposium «Nanostructures:Physics and Technology», S.Petersburg,Russia, 23-27 июня, ISBN: Тр.конф.-St.Peterburg:Academic Univ.Publ..- 33 c.
65) Ю.Г.Арапов. Скейлинг в режиме целочисленного квантового эффекта Холла в квазидвумерных наноструктурах n-InGaAS/GaAS с двойными квантовыми ямами [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Г.И.Харус, М.В.Якунин // Научная сессия Института физики металлов УрО РАН, Екатеринбург, 31 марта-4 апреля, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 64 c.
66) Ю.Г.Арапов. Скейлинг и универсальность критических индексов в квантовом эффекте Холла и наноструктурах n-InGaAs/GaAS с двойными сильно-связанными квантовыми ямами [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XVIII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 10-14 марта, ISBN: Труды симпозиума.-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского гос.ун-та.- 440 c.
67) А.С.Клепикова. Температурная зависимость ширины перехода плато-плато квантового эффекта Холла в ультраквантовой области магнитных полей [Текст] / А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, Д.С.Петухов, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Г.И.Харус // XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS 2014), Новоуральск, 17-22 февраля, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 116 c.
68) А.С.Клепикова. Скейлинг в режиме целочисленного квантового эффекта Холла в гетероструктурах с двойной квантовой ямой [Текст] / А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XIV Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-14), Екатеринбург, 20-26 ноября, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 85 c.
69) Ю.Г.Арапов. Электрон-электронное рассеяние в квазидвумерных структурах n-InGaAs/GaAs с двойными сильно связанными квантовыми ямами [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, М.В.Якунин, Б.Н.Звонков // XVII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 11-15 марта, ISBN: Тр.симп.-Н.Новгород:Ин-т физики микроструктур.- 416 c.
70) Yu.G.Arapov. Scaling in the quantum Hall regime for a double quantum well nanostructure in high magnetic field [Текст] / Yu.G.Arapov, S.V.Gudina, A.S.Klepikova, V.N.Neverov, S.G.Novokshonov, T.B.Charikova, G.I.Harus, M.v.Yakunin, N.G.Shelushinina // V Euro-Asian Symposium «Trends in MAGnetism:Nanomagnetism»(EASTMAG-2013), Vladivostok, 15-21 сентября, ISBN: Тез.докл.-Владивосток:.- 286 c.
71) Ю.Г.Арапов. Скейдлинг в режиме квантового эффекта Холла в структурах с двойной квантовой ямой [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, С.Г.Новокшонов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XI Российская конференция по физике полупроводников (Полупроводники-2013), С.-Петербург, 16-20 сентября, ISBN: Тез.докл.-С.-Петербург:ФТИ .- 252 c.
72) Ю.Г.Арапов. Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs с двойными сильно-связанными квантовыми ямами [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.Г.Новокшонов, С.М.Подгорных, А.П.Савельев, М.В.Якунин // XI Российская конференция по физике полупроводников (Полупроводники-2013), С.-Петербург, 16-20 сентября, ISBN: Тез.докл.-С.-Петербург:ФТИ .- 232 c.
73) Ю.Г.Арапов. Аномальная зависимость эффекта Холла в структурах с двойной квантовой ямой в параллельных магнитных полях [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, А.С.Клепикова, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XI Российская конференция по физике полупроводников (Полупроводники-2013), С.-Петербург, 16-20 сентября, ISBN: Тез.докл.-С.-Петербург:ФТИ .- 266 c.
74) Ю.Г.Арапов. Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAS/GaAS с двумя сильносвязанными квантовыми ямами [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, М.В.Якунин // XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Новоуральск, 20-25 февраля, ISBN: Сб.тез.:Екатеринбург-Новоуральск:УрО РАН.- 104 c.
75) Ю.Г.Арапов. Неупругое электрон-электронное рассеяние в структурах n-InGaAs/GaAS с двойными сильно-сязанными квантами [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, М.В.Якунин // XXXVI Международная конференция «Совещание по физике низких температур», С.-Петербург, 2-6 июля, ISBN: Тез.докл./С.-Петербург:ФТИ им.А.Ф.Иоффе.- 223 c.
76) Ю.Г.Арапов. Температурная зависимость квантового времени жизнив структурах n-InGaAS/GaAS с двойными сильно-связанными квантовыми ямами [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных , М.В.Якунин // XIII Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-13), Екатеринбург, 7-14 ноября, ISBN: Тез.докл./Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 102 c.
77) Ю.Г.Арапов. Аномальное поведение коэффициента Холла в гетероструктурах p-Ge/Ge1-xSix в слабых магнитных полях [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, А.С.Клепикова, О.А.Кузнецов, А.Т.Лончаков, В.Н.Неверов // XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Новоуральск, 20-25 февраля, ISBN: Сб.тез.:Екатеринбург-Новоуральск:УрО РАН.- 110 c.
78) Ю.Г.Арапов. Электрон-электронное рассеяние в структурах n-InGaAs/GaAS с двойными сильно-связанными квантовыми ямами [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, М.В.Якунин // XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Новоуральск, 20-25 февраля, ISBN: Сб.тез.:Екатеринбург-Новоуральск:УрО РАН.- 106 c.
79) Ю.Г.Арапов. Проводимость по подзонам симметричных и антисимметричных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильносвязанными квантовыми ямами [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, М.В.Якунин, С.М.Подгорных, Б.Н.Звонков // X Российская конференция по физике полупроводников, Нижний Новгород, 19-23 сентября, ISBN: Тез.докл.:Н.Новгород:Нижегородский гос.ун-т.- 76 c.
80) Ю.Г.Арапов. Особенности проводимости в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильносвязанными квантовыми ямами, освещённых ИК-излучением [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, М.В.Якунин, С.М.Подгорных, Б.Н.Звонков // XII Всероссийская молодёжная школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-12), Екатеринбург, 14-20 ноября, ISBN: Тез.докл.:Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 70 c.
81) Ю.Г.Арапов. Магнитотранспорт в гетероструктурах p-Ge/GeSi вблизи перехода металл-диэлектрик [Текст] / Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина // XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Новоуральск, 15-20 февраля, ISBN: Тез.докл. Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 116 c.
82) Ю.Г.Арапов. Графен: квантовые эффекты при температурах вплоть до комнатных [Текст] / Ю.Г.Арапов // XI Всероссийская молодёжная школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния (СПФКС-XI), Екатеринбург, 15-21 ноября, ISBN: Тез.докл.Екатеринбург:УрО РАН.- 11 c.
83) М.В.Якунин. Обнаружение гигантского спинового расщепления магнитных уровней и его анизотропии в немагнитном двумерном слое с помощью анализа угловой зависимости квантового эффекта Холла [Текст] / М.В.Якунин, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Г.И.Харус, С.М.Подгорных, Дж.Галисту, А.де Виссер, Ю.Г.Садофьев, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий // Научная сессия ИФМ УрО РАН по итогам 2009 г., Екатеринбург, 22-26 марта, ISBN: Сб.тез.Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 44 c.
84) Ю.Г.Арапов. Новые закономерности гальваномагнитных явлений в электронных наноструктурах с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла [Текст] / Ю.Г.Арапов, И.В.Карсканов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Г.И.Харус, М.В.Якунин, С.М.Подгорных // Научная сессия ИФМ УрО РАН по итогам 2009 г., Екатеринбург, 22-26 марта, ISBN: Сб.тез.Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 28 c.
85) Ю.Г.Арапов. Зависимость щели в спектре двойной квантовой ямы InGaAs/GaAs от параметров инфракрасной подсветки [Текст] / Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Г.И.Харус, М.В.Якунин // XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Новоуральск, 15-20 февраля, ISBN: Тез.докл. Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 127 c.
86) Ю.Г.Арапов. Переход металл-диэлектрик в квазидвумерном электронном газе в n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Г.И.Харус, М.В.Якунин // XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Новоуральск, 15-20 февраля, ISBN: Тез.докл. Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 120 c.
87) Ю.Г.Арапов. Квантовый спиновый эффект Холла в нулевом магнитном поле [Текст] / Ю.Г.Арапов // Х (Юбилейная) Молодёжная школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-10), Екатеринбург, 9-15 ноября, ISBN: Тез.докл.:Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 53 c.
88) Ю.Г.Арапов. Преход металл-диэлектрик в подзоне антисимметричных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами [Текст] / Ю.Г.Арапов, И.В.Карсканов, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, С.М.Подгорных // XXXV Совещание по физике низких температур (НТ-35), Черноголовка, 29 сентября-2 октября, ISBN: Тез. докл.: М.:Граница.- 226 c.
89) N.G.Shelushinina. Effect of impurity potential range on a scaling behavior in the quantum Holl regime [Текст] / N.G.Shelushinina, Yu.G.Arapov, G.I.Harus, I.V.Karskanov, V.N.Neverov, M.V.Yakunin // 25-th International conference on defects in semiconductors (ICDS-25), St.Petersburg, 20-24 июля, ISBN: Тез.докл: St.Peterburg: Ioffe in-t.- 414 c.
90) Ю.Г.Арапов. Определение туннельной щели в двойных квантовых ямах n-InGaAs/GaAs [Текст] / Ю.Г.Арапов, М.В.Якунин, И.В.Карсканов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Г.И.Харус, С.М.Подгорных // XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Екатеринбург-Новоуральск, 18-23 февраля, ISBN: Тез.докл.Изд-во ИФМ УрО РАН.- 94 c.
91) Ю.Г.Арапов. Перход металл-диэлектрик в неупорядоченных двумерных электронных структурах. Возможен или нет двумерный металл? [Текст] / Ю.Г.Арапов // IX Молодежная школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-9), Екатеринбург, 17-23 ноября, ISBN: Тез.докл.: Екатеринбург: ИФМ УрОРАН.- 152 c.
92) Yu.G.Arapov. Quantum Hall plateua-plateua transition in p-Ge/Ge1-xSix and n-InxGa1-xAs/GaAS heterostructures [Текст] / Yu.G.Arapov, G.I.Harus, I.V.Karskanov, V.N.Neverov, N.G.Shelushinina, M.V.Yakunin // XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Екатеринбург-Новоуральск, 18-23 февраля, ISBN: Тез.докл.Изд-во ИФМ УрО РАН.- 72 c.
93) Ю.Г.Арапов. Эффекты локализации и электрон-электронного взаимодействия в гетероструктурах Ge/Ge1-xSix p-типа [Текст] / Ю.Г.Арапов, Г.И.Харус, В.Н.Неверов, И.В.Карсканов, Н.Г.Шелушинина // XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Екатеринбург-Новоуральск, 18-23 февраля, ISBN: Тез.докл.Изд-во ИФМ УрО РАН.- 80 c.
94) Ю.Г.Арапов. Роль квазидвумерности в режиме квантового эффекта Холла в наклонном магнитном поле [Текст] / Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Екатеринбург-Новоуральск, 18-23 февраля, ISBN: Тез.докл.Изд-во ИФМ УрО РАН.- 89 c.
95) Ю.Г.Арапов. Спектр уровней Ландау в наклонном магнитном поле [Текст] / Ю.Г.Арапов, Г.И.Харус, В.Н.Неверов, И.В.Карсканов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Екатеринбург-Новоуральск, 18-23 февраля, ISBN: Тез.докл.Изд-во ИФМ УрО РАН.- 91 c.
96) Ю.Г.Арапов. Физика и формирование электрических и магнитных свойств полупровдниковых наноструктур [Текст] / Ю.Г.Арапов // XI Международная конференция «Дислокационная структура и механические свойства металлов и сплавов» - ДСМСМС-2008, Екатеринбург, 10-14 апреля, ISBN: Тез.докл.: УрО РАН.- 18 c.
97) Ю.Г.Арапов. Определение туннельной щели в двойных квантовых ямах n-InGaAs/GaAs [Текст] / Ю.Г.Арапов, М.В.Якунин, И.В.Карсканов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, Г.И.Харус, С.М.Подгорных // VIII Российская конференция по физике полупроводников Полупроводники-2007, Екатеринбург, 30 сентября-5 октября 2007, ISBN: .- c.
98) Yu.G.Arapov. Quantum Hall plateau-plateau transition in p-Ge/Ge1-xSix and n-In1-xGaxAs/GaAs heterostructures [Текст] / Yu.G.Arapov, G.I.Harus, I.V.Karskanov, V.N.Neverov, N.G.Shelushinina, M.V.Yakunin // 15th International Simposium Nanostructures: Physics and technology, Novosibirsk, 25-29 июня 2007, ISBN: .- c.
99) Yu.G.Arapov. Direct observation of the transition from the diffusive to the ballistic regime in a p-Ge/Ge1-xSix and n-In1-xGaxAs/GaAs quantum wells [Текст] / Yu.G.Arapov, G.I.Harus, I.V.Karskanov, V.N.Neverov, N.G.Shelushinina, M.V.Yakunin // 15th International Simposium Nanostructures: Physics and technology, Novosibirsk, 25-29 июня 2007, ISBN: .- c.
100) Ю.Г.Арапов. Спектр уровней Ландау в двойной квантовой яме в наклонном магнитном поле [Текст] / Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // VIII Российская конференция по физике полупроводников Полупроводники-2007, Екатеринбург, 30 сентября-5 октября 2007, ISBN: .- c.
101) M.V. Yakunin. Spin effect in the InxGa1-xAs/GaAs double quantum well magnetoresistance under tilted magnetic fields [Текст] / M.V. Yakunin, Yu.G. Arapov, V.N. Neverov, S.M. Podgornykh, N.G. Shelushinina, G.I. Harus, B.N. Zvonkov, E.A. Uskova // 28th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS-28), Austria, Vienna, 7.2006, ISBN: .- c.
102) Ю.Г.Арапов. Переход плато-плато в режиме квантового эфекта Холла в гетероструктурах p-Ge/Ge1-хSix [Текст] / Ю.Г.Арапов, М.А. Гинс, И.В.Карсканов, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // 7-й Молодежный семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества, Новоуральск-Екатеринбург, 11.2006, ISBN: .- c.
103) Ю.Г. Арапов. Немонотонная температурная зависимость константы Холла для 2D электронного газа в структурах n-InxGa1-xAs/GaAs в области перехода от диффузионного к баллистическому режиму [Текст] / Ю.Г. Арапов, С.И. Гудина, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, С.М. Подгорных, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова // XVI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, UIWSPS-2006, Екатеринбург-Кыштым, 2.2006, ISBN: .- c.
104) М.В. Якунин. Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa1-xAs/GaAs в присутствии параллельной компоненты магнитного поля [Текст] / М.В. Якунин, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, Н.Г. Шелушинина, Г.И. Харус, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова // XVI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, UIWSPS-2006, Екатеринбург-Кыштым, 2.2006, ISBN: .- c.
105) Ю.Г. Арапов. Квантовые поправки к магнитосопротивлению гетероструктур p-Ge/Ge1-хSiх [Текст] / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина // XVI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, UIWSPS-2006, Екатеринбург-Кыштым, 2.2006, ISBN: .- c.
106) Ю.Г. Арапов. Особенности перехода от слабой локализации к режиму квантового эффекта Холла в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами [Текст] / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, С.М. Подгорных, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова // X Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 3.2006, ISBN: .- c.
107) Ю.Г. Арапов. Переход плато-плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах p-Ge/Ge1-xSix [Текст] / Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // 34-е совещание по физике низких температур (НТ-34), Ростов-на-Дону, 9.2006, ISBN: .- c.
108) Ю.Г. Арапов. Влияние заселенности подзоны антисимметричных состояний в двойной квантовой яме на квантовые поправки к продольной и холловской проводимости GaAs/n-InGaAs/GaAs наноструктур [Текст] / Ю.Г. Арапов, М.В. Якунин, С.В. Гудина, И.В. Карсканов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, С.М. Подгорных, Б.Н. Звонков // 34-е совещание по физике низких температур (НТ-34), Ростов-на-Дону, 9.2006, ISBN: .- c.
109) М.В. Якунин. Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa1-xAs/GaAs в наклонных магнитных полях [Текст] / М.В. Якунин, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, Н.Г. Шелушинина, Г.И. Харус, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова // 34-е совещание по физике низких температур (НТ-34), Ростов-на-Дону, 9.2006, ISBN: .- c.
110) M.V. Yakunin. Spin effect in stereoscopic pictures of the n-InxGa1-xAs/GaAs double quantum well magnetoresistance dependencies on the perpendicular and parallel field components [Текст] / M.V. Yakunin, Yu.G. Arapov, V.N. Neverov, S.M. Podgornykh, N.G. Shelushinina, G.I. Harus, B.N. Zvonkov, E.A. Uskova // X Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 3.2006, ISBN: .- c.
111) M.V. Yakunin. Spin effect in stereoscopic pictures of the n-InxGa1-xAs/GaAs double quantum well magnetoresistance dependencies on the perpendicular and parallel field components [Текст] / M.V. Yakunin, Yu.G. Arapov, V.N. Neverov, S.M. Podgornykh, N.G. Shelushinina, G.I. Harus, B.N. Zvonkov, E.A. Uskova // 14th International Symposium “Nanostructures: Physics and technology”, С-Петербург, 6.2006, ISBN: .- c.
112) M.V. Yakunin. Stereoscopic oscillations of the InxGa1-xAs/GaAs double quantum well magnetoresistance under tilted magnetic fields [Текст] / M.V. Yakunin, Yu.G. Arapov, V.N. Neverov, S.M. Podgornykh, N.G. Shelushinina, G.I. Harus, B.N. Zvonkov, E.A. Uskova // 17th International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics (HMF-17), Germany, Wurzburg, 7.2006, ISBN: .- c.
113) Yu.G. Arapov. Transport properties of 2D-electron gas in InGaAs/GaAs DQW in a vicinity of low-magnetic-field-induced Hall insulator-quantum Hall liquid transition [Текст] / Yu.G. Arapov, M.V. Yakunin, S.V. Gudina, G.I. Harus, V.N. Neverov, N.G. Shelushinina, S.M. Podgornykh, B.N. Zvonkov, E.A. Uskova // 28th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS-28), Austria, Vienna, 7.2006, ISBN: .- c.
114) Yu.G.Arapov. Transport properties of 2D-electron gas in InGaAs/GaAs DQW in a vicinity of the Hall insulator-quantum Hall liquid transition [Текст] / Yu.G.Arapov, S.V.Gudina, G.I..Harus, V.N.Neverov, N.G.Shelushinina, M.V.Yakunin, S.M.Podgornykh, E.A..Uskova, B.N.Zvonkov // 13th International Symposium ??Nanostructures: Physics and Technology??, St-Petersburg,Russia, June, 2005, ISBN: .- c.
115) И.В.Карсканов. Разделение вкладов электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge1-хSix [Текст] / И.В.Карсканов, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // VI Молодежный семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества, Екатеринбург, Россия, 28 .11 - 4.12, 2005, ISBN: .- c.
116) М.А. Гигс. Квантовый эффект Холла в гетероструктурах p-Ge/Ge1-xSix с низкой подвижностью дырок [Текст] / М.А. Гигс, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // VI Молодежный семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества, Екатеринбург, Россия, 28 .11 - 4.12, 2005, ISBN: .- c.
117) Ю.Г. Арапов. Транспортные свойства 2D-электронного газа в InGaAs/GaAs DQW в окрестности перехода ??холловский изолятор??-??квантовая жидкость?? [Текст] / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, Г.И. Харус, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, С.М. Подгорных, Е.А. Ускова, Б.Н. Звонков // 13-й Международный симпозиум ??Наноструктуры: физика и технология??, С.-Петербург, Россия, , ISBN: .- c.
118) Ю.Г.Арапов. Квантовые поправки к продольной и Холловской проводимости 2D-электронного газа в двойных квантовых ямах GaAs/n-InGaAs/GaAs в области перехода от диффузионного к баллистическому режиму [Текст] / Ю.Г.Арапов, C.B.Гудина, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, С.М.Подгорных, Б.Н.Звонков, Е.А.Ускова // IX-й симпозиум ??Нанофизика и наноэлектроника??, Нижний Новгород, Россия, март, 2005, ISBN: .- c.
119) М.В.Якунин. Осциллирующие зависимости магнитосопротивления от параллельной компоненты магнитного поля в двойной квантовой яме n-InxGa1-xAs/GaAs [Текст] / М.В.Якунин, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, С.М. Подгорных, Б.Н.Звонков, Е.А.Ускова // IX-й симпозиум ??Нанофизика и наноэлектроника??, Нижний Новгород, Россия, март, 2005, ISBN: .- c.
120) М.В.Якунин. Осциллирующие зависимости магнитосопротивления от параллельной компоненты магнитного поля в двойной квантовой яме n-InxGa1-xAs/GaAs [Текст] / М.В.Якунин, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, С.М. Подгорных, Б.Н.Звонков, Е.А.Ускова // 7-я Российская конференция по физике полупроводников, Москва, 18-23 .09, 2005, ISBN: .- c.
121) Ю.Г.Арапов. Квантовые поправки к продольной и холловской проводимости 2D-электронного газа в двойных квантовых ямах GaAs/n-In xGa1-xAs в области перехода от диффузионного к баллистическому режиму [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, С.М.Подгорных, Б.Н.Звонков, Е.А.Ускова // Симпозиум ??Нанофизика и наноэлектроника??, Нижний Новгород, Россия, 25 - 29 .03, 2005, ISBN: .- c.
122) М.В.Якунин. Осциллирующие зависимости магнитосопротивления от параллельной компоненты магнитного поля в двойной квантовой яме n-InxGa1-xAs/GaAs [Текст] / М.В.Якунин, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Б.Н.Звонков, Е.А.Ускова // Симпозиум ??Нанофизика и наноэлектроника??, Нижний Новгород, Россия, 25 - 29 .03, 2005, ISBN: .- c.
123) Ю.Г.Арапов. Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гтероструктур p-Ge/GeSi [Текст] / Ю.Г.Арапов, С.В. Гудина, В.Н.Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина // 7-я Российская конференция по физике полупроводников, Москва, 18-23 .09, 2005, ISBN: .- c.
124) М.В.Якунин. Осциллирующие зависимости магнитосопротивления от параллельной компоненты магнитного поля в двойной квантовой яме n-InxGa1-xAs/GaAs [Текст] / М.В.Якунин, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, С.М.Подгорных, Б.Н.Звонков, Е А.Ускова // 7-я Российская конференция по физике полупроводников, Москва, 18-23 .09, 2005, ISBN: .- c.
125) Д.В.Перов. сверхдлиннопериодных сейсмических осцилляций [Текст] / Д.В.Перов, A.Б.Ринкевич, О.А.Кусонский // XVI сессии Российского акустического общества, Москва, , ISBN: .- c.