Список публикаций

1) Особенности магнитотранспортных свойств монокристаллов MoxW1-xTe2 (x = 0; 0.7) / А. Н. Перевалова¹, Б. М. Фоминых¹, В. В. Чистяков¹, В. В. Марченков¹. – Текст: непосредственный // Chelyabinsk Physical and Mathematical Journal. — 2024. — V. 9. — P. 658—669.

2) Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2024685399 Российская Федерация. Анализ температурных зависимостей электросопротивления и оценка вкладов от различных механизмов рассеяния в сплавах Гейслера: № 2024685013: заявл. 29.10.2024: опубликовано 29.10.2024 / В.В.Чистяков, Ю.А.Перевозчикова, В.В.Марченков; заявитель и правообладатель ИФМ УрО РАН. - 1 c.: ил. - Текст: непосредственный.

3) Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2024685398 Российская Федерация. Анализ и обработка экспериментальных данных по аномальному эффекту Холла в ферромагнетиках: № 2024685012: заявл. 29.10.2024: опубликовано 29.10.2024 / В.В.Чистяков, В.В.Марченков; заявитель и правообладатель ИФМ УрО РАН. - 1 c.: ил. - Текст: непосредственный.

4) Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2024685101 Российская Федерация. Выделение поверхностного и объемного вкладов в электросопротивлении топологических материалов и анализ их температурной зависимости: № 2024684612: заявл. 24.10.2024: опубликовано 24.10.2024 / В.В.Чистяков, В.В.Марченков; заявитель и правообладатель ИФМ УрО РАН. - 1 c.: ил. - Текст: непосредственный.

5) Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2024685098 Российская Федерация. Оценка вкладов от поверхности и объема в электросопротивление топологических изоляторов и вейлевских полуметаллов: № 2024684610: заявл. 24.10.2024: опубликовано 24.10.2024 / В.В.Чистяков, А.Н.Перевалова, Б.М.Фоминых, В.В.Марченков; заявитель и правообладатель ИФМ УрО РАН . - 1 c.: ил. - Текст: непосредственный.

6) Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2024685097 Российская Федерация. Анализ и обработка экспериментальных данных по размерному эффекту в электросопротивлении топологических материалов: № 2024684609 : заявл. 24.10.2024: опубликовано 24.10.2024 / В.В.Чистяков, В.В.Марченков; заявитель и правообладатель ИФМ УрО РАН . - 1 c.: ил. - Текст: непосредственный.

7) Debye temperature, electron-phonon coupling constant, and three-dome shape of crystalline strain as a function of pressure in highly compressed La3Ni2O7−δ / E.F. Talantsev¹, V.V. Chistyakov¹. – Текст: непосредственный // Letters on Materials. — 2024. — V. 14. — P. 262—268.

8) Role of bulk and surface current carriers in resistivity of thin films of the topological insulator Bi2Se3 / A. N. Perevalova¹, B. M. Fominykh¹, V. V. Chistyakov¹, V. V. Marchenkov¹. – Текст: непосредственный // Nanosystems-physics chemistry mathematics. — 2024. — V. 15. — P. 465—468.

9) Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2024668191 Российская Федерация. Анализ и выделение топологического эффекта Холла в материалах со спиновой текстурой : № 2024667191: заявл. 23.07.2024: опубликовано 06.08.2024 / В.В.Чистяков, Ю.А.Перевозчикова, В.В.Марченков; заявитель и правообладатель ИФМ УрО РАН. - 1 c.: ил. - Текст: непосредственный.

10) Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2024667275 Российская Федерация. Обработка результатов измерений гальваномагнитных свойств материалов, в которых наблюдается аномальный эффект Холла: № 2024666642 : заявл. 23.07.2024 : опубликовано 23.07.2024 / В.В.Марченков, В.В.Чистяков, Ю.А.Перевозчикова; заявитель и правообладатель ИФМ УрО РАН. - 1 c.: ил. - Текст: непосредственный.

11) The A-15-type superconducting hydride La4H23: a nanograined structure with low strain, strong electron-phonon interaction, and a moderate level of nonadiabaticity / E.F. Talantsev², V.V. Chistyakov². – Текст: непосредственный // Superconductor Science and Technology. — 2024. — V. 37. — P. 95016—95035.

12) Hall effect and quantum oscillations of magnetoresistivity in the topological insulator Bi2Se3. The role of bulk and surface carriers / B.M. Fominykh¹, A.N. Perevalova¹, S.V. Naumov¹, V.V. Chistyakov¹, V.V. Marchenkov¹. – Текст: непосредственный // Physics of the Solid State. — 2024. — V. 66. — P. 641—646.

13) Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2024660499 Российская Федерация. Измерение электросопротивления топологических, полупроводниковых и металлических материалов при высоких температурах: № 07.05.2024: заявл. 2024619750: опубликовано 07.05.2024 / В.В.Марченков , В.В.Чистяков ; заявитель и правообладатель ИФМ УрО РАН. - 1 c.: ил. - Текст: непосредственный.

14) Эффект Холла и квантовые осцилляции магнитосопротивления в топологическом изоляторе Bi2Se3. Роль объемных и поверхностных носителей / Б.М. Фоминых¹, А.Н. Перевалова¹, С.В. Наумов¹, В.В. Чистяков¹, В.В. Марченков¹. – Текст: непосредственный // Физика твёрдого тела. — 2024. — V. 66. — P. 661—666.

15) Electrical Resistance of the Alloy Ni45Mn46In9 / N. V. Volkova¹, V. V. Chistyakov¹, E. I. Patrakov¹, S. M. Emelyanova¹. – Текст: непосредственный // High Temperature. — 2023. — V. 61. — P. 173—177.

Показать все публикации