Список публикаций

Цвелиховская Вера Михайловна

  

1) Синтез тонкопленочных магнитных структур для спин-орбитроники / А. В. Телегин1, В. Д. Бессонов1, В. С. Теплов1, В. М. Цвелиховская1. – Текст: непосредственный // Известия вузов. Электроника.. — 2024. — V. 27. — P. 100—209.

2) Spin Transport in InSb Semiconductors with Different Electron Gas Concentrations / N. A. Viglin1, Yu. V. Nikulin0, V. M. Tsvelikhovskaya1, T. N. Pavlov1, V. V. Proglyado1. – Текст: непосредственный // Journal Of Experimental And Theoretical Physics. — 2022. — V. 134. — P. 736—742.

3) Спиновый транспорт в полупроводниках InSb с различной плотностью электронного газа / Виглин Н.А.1, Никулин Ю.В.0, Цвелиховская В.М.1, Павлов Т.Н.1, Проглядо В.В.1. – Текст: непосредственный // Журнал экспериментальной и теоретической физики. — 2022. — V. 134. — P. 866—873.

4) Semiconductor Lateral Spin Device with Half-Metallic Ferromagnet Electrodes / N. A. Viglin1, V. M. Tsvelikhovskaya1, S. V. Naumov1, A. O. Shorikov2, T. N. Pavlov1. – Текст: непосредственный // Physics of the Solid State. — 2020. — V. 62. — P. 2301—2304.

5) Полупроводниковое латеральное спиновое устройство с электродами из полуметаллического ферромагнетика / Виглин Н.А.1, Цвелиховская В.М.1, Наумов С.В.1, Шориков А.О.2, Павлов Т.Н.1. – Текст: непосредственный // Физика твёрдого тела. — 2020. — V. 62. — P. 2055—2060.

6) V.M.Tsevikhovskaya. Technology features of creating InSb-based spin-valve [Текст] / V.M.Tsevikhovskaya, N.A.Viglin, E.I.Patrakov, I.Y.Kamenskii, I.K.Maksimova // VII Euro-Asian Symp. «Trends in MAGnetism» (EASTMAG-2019), Ekaterinburg, 8-13 сентября, ISBN: .- 136 c.

7) N.A.Viglin. Spin-dependent injection phenomena in ferromagnet/semiconductor nanostructures [Текст] / N.A.Viglin, V.M.Tsvelikhovskaya, T.N.Pavlov, V.V.Ustinov // VII Euro-Asian Symp. «Trends in MAGnetism» (EASTMAG-2019), Ekaterinburg, 8-13 сентября, ISBN: .- 104 c.

8) Technology features of creating InSb-based spin-valve / V. M. Tsvelikhovskaya1, N. A. Viglin1, E. I. Patrakov1, I. Y. Kamenskii1, I. K.Maksimova1. – Текст: непосредственный // Journal of Physics: Conference Series. — 2019. — V. 1389. — P. 12143—12147.

9) Effective Injection of Spins from a Ferromagnetic Metal to the InSb Semiconductor / N.A.Viglin1, V.M.Tsvelikhovskaya1, N.A.Kulesh0, T.N.Pavlov1. – Текст: непосредственный // JETP Letters. — 2019. — V. 110. — P. 273—278.

10) Oxide Removal from the InSb Plate Surface to Produce Lateral Spin Valves / N. A. Viglin1, I. V. Gribov1, V. M. Tsvelikhovskaya0, E. I. Patrakov1. – Текст: непосредственный // Semiconductors. — 2019. — V. 53. — P. 264—267.

11) Electric measurement and magnetic control of spin transport in InSb-based lateral spin devices / N. A. Viglin1, V. V. Ustinov1, S. O. Demokritov1, A. O. Shorikov1, N. G. Bebenin1, V. M. Tsvelikhovskaya1, T. N. Pavlov1, E.I.Patrakov1. – Текст: непосредственный // Physical Review B. — 2017. — V. 96. — P. 235303—235312.

12) N.A. Viglin. Effectiveness of spin injection in lateral spin valves on the base of Co0.9Fe0.1/InSb heterostructure [Текст] / N.A. Viglin, V.V. Ustinov, V.M. Tsvelikhovskaya, T.N. Pavlov // VI Euro-Asian Symp. «Trends in Magnetism» (EASTMAG-2016), Krasnoyarsk, 15-19 августа, ISBN: Тез.докл.-Красноярск:ИФ СО РАН.- 229 c.

13) Electric Injection and Detection of Spin_Polarized Electrons in Lateral Spin Valves on Ferromagnetic Metal–Semiconductor InSb Heterojunctions / N.A. Viglin1, V.V. Ustinov1, V. M. Tsvelikhovskaya1, T.N. Pavlov1. – Текст: непосредственный // JETP Letters. — 2015. — V. 101. — P. 113—117.

14) Quantum Amplifier with the Pumping by Injection of the Spin-Polarized Electrons / Viglin N.A.1, Ustinov V.V.1, Pavlov T.N.1, Tsvelikhovskaya V. M.1. – Текст: непосредственный // Sol. Stat. Phenomena. — 2011. — V. 168-169. — P. 43—46.

15) N.A.Viglin. Quantum Amplifier with the Pumping by Injection of the Spin-Polarized Electrons [Текст] / N.A.Viglin, V.V.Ustinov, T.N.Pavlov, V.M.Tsvelikhovskaya // IV Euro-Asian Symposium «Trends in MAGnetism:Nanospintronics (EASTMAG-2010), Ekaterinburg, 28 июня-2 июля, ISBN: Тез.докл.Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 183 c.

Показать все публикации