Publications
Arapov Yuriy Grigor'yevich
1) S.V.Gudina. Critical behavior of conductivity in the quantum Hall effect regime under large-scale impurity potential [Текст] / S.V.Gudina, Yu.G.Arapov, V.N.Neverov, N.G.Shelushinina // XXXIX Fortov Intern. Conf. on Equations of State for Matter (ELBRUS 2024), Elbrus, Kabardino-Balkaria, 06.03.2024, ISBN: 0.- 0 c.
2) С.В.Гудина. Исследование механизмов рассеяния в двойных квантовых ямах InGaAs/GaAs в параллельном магнитном поле [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, А.Н.Титов, Т.В.Кузнецова // XXVIII Межд. симп. «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 15.03.2024, ISBN: Труды, Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2024, ISBN 978-5-8048-0124-4.- 625 c.
3) В.Н.Неверов. Температурная зависимость величины сбоя фазы для одиночных и двойных гетеропереходов в квантовых фазовых переходах плато-плато КЭХ [Текст] / В.Н.Неверов, С.В.Гудина, Н.Г.Шелушинина, Ю.Г.Арапов, А.С.Боголюбский, К.В.Туруткин // XXVIII Межд. симп. «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 15.03.2024, ISBN: Труды, Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2024, ISBN 978-5-8048-0124-4.- 754 c.
4) С.В.Гудина. Магнитосопротивление в двойных квантовых ямах InGaAs/GaAs в параллельном магнитном поле: исследование механизмов рассеяния [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XXV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2024), Екатеринбург, 17.02.2024, ISBN: Тезисы докладов, Екатеринбург, ИФМ УрО РАН, 2024, ISBN 978-5-6045774-9-3.- 135 c.
5) С.В.Гудина. Критическое поведение проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs: крупномасштабный примесный потенциал [Текст] / С.В.Гудина, А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, К.В.Туруткин, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 14-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ», Москва, 25.05.2023, ISBN: 978-5-7262-2958-4, Сборник трудов, М.: НИЯУ МИФИ, 2023.- 15 c.
6) В.Н.Неверов. Механизмы сбоя фазы для одиночных и двойных гетеропереходов в квантовых фазовых переходах плато-плато КЭХ [Текст] / В.Н.Неверов, С.В.Гудина, Н.Г.Шелушинина, Ю.Г.Арапов, А.С.Боголюбский, А.С.Клепикова, К.В.Туруткин, М.В.Якунин // XV Российская конференция по физике полупроводников, Нижний Новгород, 3-7 октября, ISBN: Тез.докл.-Нижний Новгород:Орг.ком..- 154 c.
7) С.В.Гудина. Эффективный g-фактор в квантовых ямах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.С.Сандаков, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // Международный семинар «Фазовые переходы и неоднородные состояния в оксидах» International Workshop PTISO22, Казань, 4-8 июля, ISBN: Тез.докл.-Казань:Орг.ком..- 84 c.
8) С.В.Гудина. Слабая локализация и время фазовой когерентности в структурах InGaAs/GaAs с двойными сильно-связанными квантовыми ямами [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Б.Н.Звонков // 13-я Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения», Москва, 25-26 мая, ISBN: Сб.трудов-Москва:НИЯУ МИФИ.- 58 c.
9) А.П.Савельев. Исследование механизмов рассеяния в двойных квантовых ямах InGaAs/GaAs в параллельном магнитном поле [Текст] / А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // XXIV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2022), Екатеринбург, 14-19 февраля, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 164 c.
10) С.В.Гудина. Квантовый эффект Холла в квантовых ямах InGaAs: активационная проводимость [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, К.В.Туруткин, С.М.Подгорных, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // Международная конференция «Фазовые переходы, критические и нелинейные явления в конденсированных средах», XIV Межд. семинар молодых ученых «Магнитные фазовые переходы» \rnull, Махачкала, 12-17 сентября, ISBN: Тез.не изд..- 294 c.
11) С.В.Гудина. Электрон-электронное взаимодействие в структурах InGaAs/GaAs [Текст] / С.В.Гудина, А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин // 2-я Конференция «Физика Конденсированных Состояний», посвященная 90-летию со дня рождения акад. Ю.А. Осипьяна\rnull, Черноголовка, 31 мая – 4 июня, ISBN: Тез.докл.-Черноголовка:ИФТТ РАН.- 13 c.
12) С.В.Гудина. Крупномасштабный примесный потенциал в структурах InGaAs/InAlAs: квантовый эффект Холла [Текст] / С.В.Гудина, А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // 12-я Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения» \rnull, Москва, 19-20 мая, ISBN: Сб.трудов.- М.: НИЯУ МИФИ.- 55 c.
13) А.П.Савельев. Крупномасштабный примесный потенциал в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs [Текст] / А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, С.В.Гудина, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина // XXI Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-21)\rnull, Екатеринбург, 18-25 марта, ISBN: Тез.докл.-Екатеринбург:ИФМ УрО РАН.- 172 c.
14) С.В.Гудина. Квантовое время жизни и электрон-электронное взаимодействие в структурах InGaAs/GaAs с двойными сильно-связанными квантовыми ямами [Текст] / С.В.Гудина, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, А.П.Савельев, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, Б.Н.Звонков // XXV Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 9-12 марта, ISBN: Труды симпозиума-Нижний Новгород:Изд-во Нижегородского ун-та.- 626 c.
15) С.В.Гудина, Крупномасштабный примесный потенциал в структурах InGaAs/InAlAs: квантовый эффект Холла [Текст] / С.В.Гудина, А.П.Савельев, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко // talk, : 12-я Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения», Москва, Сб.трудов.- М.: НИЯУ МИФИ, ISBN 978-5-7262-2777-2, 2021. - стр. 55-56