Цвелиховская Вера Михайловна

Младший научный сотрудник (Лаборатория магнитных полупроводников)


Наукометрические данные (по состоянию на 15.04.2022г):
Web of Science: h-index - 0; Sum of the Times Cited - 0
Scopus: h-index - 0; Sum of the Times Cited - 0
РИНЦ (SCIENCE INDEX): Индекс Хирша - 4; Цитируемость - 50


Специалист в области фотолитографии полупроводниковых и металлических микро- и наноструктур

Статьи

1) Spin Transport in InSb Semiconductors with Different Electron Gas Concentrations / N. A. Viglin1, Yu. V. Nikulin0, V. M. Tsvelikhovskaya1, T. N. Pavlov1, V. V. Proglyado1. – Текст: непосредственный // Journal Of Experimental And Theoretical Physics. — 2022. — V. 134. — P. 736—742.

2) Спиновый транспорт в полупроводниках InSb с различной плотностью электронного газа / Виглин Н.А.1, Никулин Ю.В.0, Цвелиховская В.М.1, Павлов Т.Н.1, Проглядо В.В.1. – Текст: непосредственный // Журнал экспериментальной и теоретической физики. — 2022. — V. 134. — P. 866—873.

3) Полупроводниковое латеральное спиновое устройство с электродами из полуметаллического ферромагнетика / Виглин Н.А.1, Цвелиховская В.М.1, Наумов С.В.1, Шориков А.О.2, Павлов Т.Н.1. – Текст: непосредственный // Физика твёрдого тела. — 2020. — V. 62. — P. 2055—2060.

Доклады

1) N.A.Viglin. Spin-dependent injection phenomena in ferromagnet/semiconductor nanostructures [Текст] / N.A.Viglin, V.M.Tsvelikhovskaya, T.N.Pavlov, V.V.Ustinov // VII Euro-Asian Symp. «Trends in MAGnetism» (EASTMAG-2019), Ekaterinburg, 8-13 сентября, ISBN: .- 104 c.

2) V.M.Tsevikhovskaya. Technology features of creating InSb-based spin-valve [Текст] / V.M.Tsevikhovskaya, N.A.Viglin, E.I.Patrakov, I.Y.Kamenskii, I.K.Maksimova // VII Euro-Asian Symp. «Trends in MAGnetism» (EASTMAG-2019), Ekaterinburg, 8-13 сентября, ISBN: .- 136 c.

3) N.A. Viglin. Effectiveness of spin injection in lateral spin valves on the base of Co0.9Fe0.1/InSb heterostructure [Текст] / N.A. Viglin, V.V. Ustinov, V.M. Tsvelikhovskaya, T.N. Pavlov // VI Euro-Asian Symp. «Trends in Magnetism» (EASTMAG-2016), Krasnoyarsk, 15-19 августа, ISBN: Тез.докл.-Красноярск:ИФ СО РАН.- 229 c.