Установка для облучения полупроводниковых материалов МэВ электронами при температуре жидкого азота

Разработана методика, создана установка, и произведены пробные облучения материалов (размером до 10х10х10 см) пучками электронов с энергией 10 МэВ в ванне с жидким азотом. Облученные материалы исследовались методом фотолюминесценции (ФЛ) в диапазоне от 950 нм до 1650 нм. Данная методика была опробована на тонких пленках полупроводниковых соединений Cu(In,Ga)Se2, применяющиеся в качестве поглощающих слоев тонкопленочных солнечных батарей.

Разработка реализована на практике.