Технология получения магниторезистивных наноструктур типа «спиновый клапан» и магнитных сенсорных элементов на их основе

Разработана и оптимизирована магнетронная технология изготовления высокочувствительных спиновых клапанов на основе гигантского магниторезистивного (ГМР) эффекта. Определены допустимые технологические отклонения при использовании разработанной лабораторной технологии в промышленных условиях. Выявлены факторы, влияющие на гистерезисные характеристики спиновых клапанов. Исследованы температурная стабильность и влияние термомагнитной обработки на функциональные характеристики спиновых клапанов (на величину ГМР эффекта, магниторезистивную чувствительность и низкополевой магнитный гистерезис)

Разработчик: Лаборатория электрических явлений